【技术实现步骤摘要】
一种基于多对电极电容成像检测技术判别非导体缺陷深度的方法
本专利技术涉及无损检测信号处理领域，尤其涉及一种基于多对电极电容成像检测技术判别非导体缺陷深度的方法。
技术介绍
多对电极电容成像检测技术是基于单对电极电容成像检测技术发展而来的一种新型检测技术，单对电极电容成像检测技术是一种利用一对共面电极板之间产生的准静态边缘电场对缺陷进行检测的技术，当缺陷位于共面电极板之间的有效检测电场内时，缺陷会扰动有效电场的分布，影响检测极板上测得的电荷数，从而达到检测缺陷的目的。单对电极电容成像检测技术虽能对导体表面缺陷和非导体内部缺陷进行检测，但检测结果只能大致体现缺陷的长度和宽度信息，无法反映非导体内部缺陷的深度信息。随着无损检测技术朝着精细化、可视化方向快速发展，缺少缺陷深度信息这一重要参数的单对电极电容成像检测面临着诸多弊端；虽然单对电极电容成像检测技术在多次提离高度下能在一定程度上反映非导体内部缺陷的深度信息，检测过程中需要把导体材料放在非导体材料的下面，反映的缺陷深度信息也只有非导体材料的上部或下部两种信息；而且对同一缺陷进行多次扫描时需要花费较多的时间，效率较低；...
【技术保护点】
1.一种基于多对电极电容成像检测技术判别非导体缺陷深度的方法，应用于提离高度不变的情况下基于多对电极电容成像检测技术的检测信号，其特征在于，包括：接收输入的多对电极电容成像检测信号，其中所述多对电极电容成像检测信号包含提离高度L下的各电极对(C1、C2……Cn)对含缺陷试件的检测信号(Y1、Y2、……Yn)和同一提离高度L下的各电极对(C1、C2……Cn)对同一材质无缺陷试件的检测信号(YS1、YS2、……YSn)；对所述多对电极电容成像缺陷检测信号求缺陷信号变化值△Yn＝Yn‑YSn,并同时判断多对电极电容成像缺陷信号变化值△Yn是否大于等于预设阀值Pn；如果否，则判断缺...
【技术特征摘要】
1.一种基于多对电极电容成像检测技术判别非导体缺陷深度的方法，应用于提离高度不变的情况下基于多对电极电容成像检测技术的检测信号，其特征在于，包括：接收输入的多对电极电容成像检测信号，其中所述多对电极电容成像检测信号包含提离高度L下的各电极对(C1、C2……Cn)对含缺陷试件的检测信号(Y1、Y2、……Yn)和同一提离高度L下的各电极对(C1、C2……Cn)对同一材质无缺陷试件的检测信号(YS1、YS2、……YSn)；对所述多对电极电容成像缺陷检测信号求缺陷信号变化值△Yn＝Yn-YSn,并同时判断多对电极电容成像缺陷信号变化值△Yn是否大于等于预设阀值Pn；如果否，则判断缺陷不存在；如果是，则判断缺陷存在；对缺陷信号Yn所对应的横坐标Xn进行坐标变换，变换后的横坐标为HXn＝Xn-dn/2，其中d1、d2……dn为各电极对(C1、C2……Cn)的中心距；对缺陷信号Yn进行变换，变换后的纵坐标为HYn＝Yn./YSn；并根据横坐标HXn与纵坐标HYn绘制曲线图；当缺陷所对应曲线图的波谷个数为1时，确定各电极对(C1、C2……Cn)中的最大电极对编号Ca，其中1≤a≤n；当同一缺陷所对应曲线图的波谷个数为2时，确定各电极对(C1、C2……Cn)中的最小电极对编号Cb，其中1≤b≤n；则判定此缺陷的深度位于电极对Ca与电极对Cb的有效检测深度之间。2.根据权利要求1所述的一种基于多对电极电容成像检测技术判别非导体缺陷深度的方法，其特征在于，所述接收输入的多对电极电容成像检测信号之后，包括：根据所述多电极对(C1、C2……Cn)检测无缺陷试件的检测信号(YS1、YS2、……YSn)获取各多电极对...
【专利技术属性】
技术研发人员：殷晓康，李晨，李振，李伟，陈国明，符嘉明，王克凡，曹松，谷悦，
申请(专利权)人：中国石油大学华东，
类型：发明
国别省市：山东,37
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