一种助焊膏的制备方法技术

一种助焊膏的制备方法，包括将制作助焊膏的基础原料置于反应容器内加热至80～120℃搅拌均匀，制得助焊膏初反应体；在80～120℃恒温条件下，在助焊膏初反应体上施加超声波进行分散处理，制得助焊膏中间体；将助焊膏中间体冷却至室温，冷却过程中持续使用超声波进行分散处理，制得助焊膏。本发明专利技术方法操作简便，工作效率高，采用本发明专利技术方法制备得到的助焊膏中的结晶粒径尺寸小于20μm，晶粒分布更加均匀，综合性能优。

【技术实现步骤摘要】
一种助焊膏的制备方法
本专利技术涉及助焊膏制备的
，具体涉及利用超声技术制备精细助焊膏的方法。
技术介绍
随着电子制备工艺的发展以及元件微型化、高密化的发展趋势，SMT电子元器件封装所用的锡膏将更加精细化。传统的T3、T4型锡膏由于自身锡膏颗粒尺寸较大根本无法应用于细间距、高密度的元件的固晶、喷印等封装工艺，采用T6、T7和T8锡粉与相应助焊膏调配而成的精细化锡膏便应运而生。这里T3表示的颗粒直径范围是：25～45μm，T4表示的颗粒直径范围是：20～38μm，T6表示的颗粒直径范围是：5～15μm，T7表示的颗粒直径范围是：2～11μm，T8表示的颗粒直径范围是：2～8μm。一般助焊膏由于其中存在大颗粒结晶物，部分结晶物比锡粉还要大，与T6、T7和T8锡粉混合后极易造成堵针、断膏等质量问题。同时T6、T7和T8锡粉具有较高的比表面积，T3的比表面积约为21cm2/g,T4的比表面积约为23cm2/g,T5的比表面积约为34cm2/g,T6的比表面积约为68cm2/g,T7的比表面积约为104cm2/g,T8的比表面积约为135cm2/g。比表面积越大，相应单位的氧化物越多。锡本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种助焊膏的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤B：在80～120℃恒温条件下，对助焊膏初反应体施加超声波进行分散处理，制得助焊膏中间体；步骤C：将步骤B制得的助焊膏中间体冷却至室温，冷却过程中持续使用超声波进行分散处理，制得助焊膏。

【技术特征摘要】
1.一种助焊膏的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤B：在80～120℃恒温条件下，对助焊膏初反应体施加超声波进行分散处理，制得助焊膏中间体；步骤C：将步骤B制得的助焊膏中间体冷却至室温，冷却过程中持续使用超声波进行分散处理，制得助焊膏。2.根据权利要求1所述的助焊膏的制备方法，其特征在于：在步骤B中，对助焊膏初反应体施加超声波进行分散处理的同时还伴有机械搅拌；和/或在步骤C中，对助焊膏中间体施加超声波进行分散处理的同时还伴有机械搅拌。3.根据权利要求1所述的助焊膏的制备方法，其特征在于:还包括制作助焊膏初反应体的步骤A：将用于制作助焊膏的基础原料加热至80～120℃搅拌均匀，加热时间为0.1～1h，搅拌速率为0.1～1m/s，制得助焊膏初反应体；所述助焊膏初反应体还可以是市场上销售的助焊膏，其中结晶物的粒径尺寸为50～100μm。4.根据权利要求1所述的助焊膏的制备方法，其特征在于：在步骤B中，施加在助焊膏初反应体上的超声波是功率为1～2kW或1～10kW的超声发生器产生的超声波，超声波频率范围为20～40kHz。5.根据权利要求1所述的助焊膏的制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐朴，王思远，刘传福，
申请(专利权)人：深圳市福英达工业技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44