一种有源矩阵有机发光二极管显示器制造技术

技术编号:19431520 阅读:45 留言:0更新日期:2018-11-14 11:52
本发明专利技术提供一种有源矩阵有机发光二极管显示器,该显示器包括:依次位于衬底基板上的第一金属层、层间绝缘层;其中所述层间绝缘层上设置有第一过孔,所述第一金属层通过所述第一过孔与部分第二金属层连接;第二金属层,覆盖所述第一过孔;平坦层,位于所述第二金属层上,所述平坦层上形成有第二过孔;所述透明导电层,覆盖所述第二过孔及位于部分所述平坦层上,所述透明导电层通过所述第二过孔与所述第二金属层连接;所述第二金属层与所述透明导电层的接触面为凹凸面。本发明专利技术的有源矩阵有机发光二极管显示器,能够提高显示器的连接稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种有源矩阵有机发光二极管显示器
本专利技术涉及显示
,特别是涉及一种有源矩阵有机发光二极管显示器。
技术介绍
在有源矩阵有机发光二极管(Active-matrixorganiclightemittingdiode,AMOLED)显示器中,通常阳极(Anode)采用ITO/Ag/ITO三层结构组成,由于氧化铟锡(Indiumtinoxide,ITO)具备优异的导电性能和透光特性,且具有高功函数特性,因而通过在Ag和OLEDHOMO之间增加高功函数的ITO,提高空穴注入的效率。此外,ITO高功函数的特性,还可以改善源漏极金属和IC/FPC金手指之间的接触阻抗。ITO除了高功函数的特性以外,还有较好的化学稳定性,ITO膜在经过耐酸和耐碱实验后,ITO膜能够耐受水汽的腐蚀。对于AMOLED显示面板除了显示区域的Anode外,非显示区的ICPad、FPCPad、ArrayFullContact测试Pad、Cell测试Pad等也需要覆盖ITO,以避免ArrayS/D金属制程完成后,在后段OLED和module工艺过程中遭到环境酸碱和其它高温高湿工艺的水汽的腐蚀,如图1所示,上述非本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有源矩阵有机发光二极管显示器,其特征在于,其包括:依次位于衬底基板上的第一金属层、层间绝缘层;其中所述层间绝缘层上设置有第一过孔,所述第一金属层通过所述第一过孔与部分第二金属层连接;所述第二金属层,覆盖所述第一过孔;平坦层,位于所述第二金属层上,所述平坦层上形成有第二过孔;所述透明导电层,覆盖所述第二过孔及位于部分所述平坦层上,所述透明导电层通过所述第二过孔与所述第二金属层连接;所述第二金属层与所述透明导电层的接触面为凹凸面。

【技术特征摘要】
1.一种有源矩阵有机发光二极管显示器,其特征在于,其包括:依次位于衬底基板上的第一金属层、层间绝缘层;其中所述层间绝缘层上设置有第一过孔,所述第一金属层通过所述第一过孔与部分第二金属层连接;所述第二金属层,覆盖所述第一过孔;平坦层,位于所述第二金属层上,所述平坦层上形成有第二过孔;所述透明导电层,覆盖所述第二过孔及位于部分所述平坦层上,所述透明导电层通过所述第二过孔与所述第二金属层连接;所述第二金属层与所述透明导电层的接触面为凹凸面。2.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管显示器,其特征在于,所述有源矩阵有机发光二极管显示器还包括:第一绝缘层,位于所述衬底基板和所述第一金属层之间;所述第一金属层上设置有至少一个第三过孔,所述第一绝缘层通过所述第三过孔与部分所述第二金属层连接。3.根据权利要求2所述的有源矩阵有机发光二极管显示器,其特征在于,所述第二金属层覆盖所述第三过孔以及所述第一过孔。4.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管显示器,其特征在于,所述第二金属层上设置有至少一个第四过孔,部分所述透明导电层通过所述第四过孔与部分所述第一金属层连接;所述透明导电层,覆盖所述第二过孔和所述第四过孔及位于所述平坦层上。5.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈彩琴
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:湖北,42

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