一种有源矩阵有机发光二极管显示器制造技术

本发明专利技术提供一种有源矩阵有机发光二极管显示器，该显示器包括：依次位于衬底基板上的第一金属层、层间绝缘层；其中所述层间绝缘层上设置有第一过孔，所述第一金属层通过所述第一过孔与部分第二金属层连接；第二金属层，覆盖所述第一过孔；平坦层，位于所述第二金属层上，所述平坦层上形成有第二过孔；所述透明导电层，覆盖所述第二过孔及位于部分所述平坦层上，所述透明导电层通过所述第二过孔与所述第二金属层连接；所述第二金属层与所述透明导电层的接触面为凹凸面。本发明专利技术的有源矩阵有机发光二极管显示器，能够提高显示器的连接稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种有源矩阵有机发光二极管显示器
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种有源矩阵有机发光二极管显示器。
技术介绍
在有源矩阵有机发光二极管(Active-matrixorganiclightemittingdiode，AMOLED)显示器中，通常阳极(Anode)采用ITO/Ag/ITO三层结构组成，由于氧化铟锡(Indiumtinoxide,ITO)具备优异的导电性能和透光特性，且具有高功函数特性，因而通过在Ag和OLEDHOMO之间增加高功函数的ITO，提高空穴注入的效率。此外，ITO高功函数的特性，还可以改善源漏极金属和IC/FPC金手指之间的接触阻抗。ITO除了高功函数的特性以外，还有较好的化学稳定性，ITO膜在经过耐酸和耐碱实验后，ITO膜能够耐受水汽的腐蚀。对于AMOLED显示面板除了显示区域的Anode外，非显示区的ICPad、FPCPad、ArrayFullContact测试Pad、Cell测试Pad等也需要覆盖ITO，以避免ArrayS/D金属制程完成后，在后段OLED和module工艺过程中遭到环境酸碱和其它高温高湿工艺的水汽的腐蚀，如图1所示，上述非显示区焊接区域(Pad)包括衬底基板11、缓冲层12、第一绝缘层13、第一金属层14、第二绝缘层15、层间绝缘层16、第二金属层17、平坦层18、透明导电层19以及像素定义层20。但是，由于上述非显示区Pad上的ITO极易脱落剥离，造成IC/FPC或者COF与Panel的接触异常，现有常见的做法在Pad区取消ITO的设计，也即不存在图1中的透明导电层19，导致金属层容易被腐蚀，降低了Pad的连接稳定性和显示器的使用寿命。因此，有必要提供一种有源矩阵有机发光二极管显示器，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种有源矩阵有机发光二极管显示器，能够提高示器的连接稳定性。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种有源矩阵有机发光二极管显示器，其包括：依次位于衬底基板上的第一金属层、层间绝缘层；其中所述层间绝缘层上设置有第一过孔，所述第一金属层通过所述第一过孔与部分第二金属层连接；第二金属层，覆盖所述第一过孔；平坦层，位于所述第二金属层上，所述平坦层上形成有第二过孔；所述透明导电层，覆盖所述第二过孔及位于部分所述平坦层上，所述透明导电层通过所述第二过孔与所述第二金属层连接；所述第二金属层与所述透明导电层的接触面为凹凸面。在本专利技术的有源矩阵有机发光二极管显示器中，所述有源矩阵有机发光二极管显示器还包括：第一绝缘层，位于所述衬底基板和所述第一金属层之间；所述第一金属层上设置有至少一个第三过孔，所述第一绝缘层通过所述第三过孔与部分所述第二金属层连接。在本专利技术的有源矩阵有机发光二极管显示器中，所述第二金属层覆盖所述第三过孔以及所述第一过孔。在本专利技术的有源矩阵有机发光二极管显示器中，所述第二金属层上设置有至少一个第四过孔，部分所述透明导电层通过所述第四过孔与部分所述第一金属层连接；所述透明导电层，覆盖所述第二过孔和所述第四过孔及位于所述平坦层上。在本专利技术的有源矩阵有机发光二极管显示器中，所述有源矩阵有机发光二极管显示器还包括：像素定义层，位于所述透明导电层上以及未被所述透明导电层覆盖的平坦层上。在本专利技术的有源矩阵有机发光二极管显示器中，所述层间绝缘层上设置有两个或两个以上的间隔设置的第一过孔。在本专利技术的有源矩阵有机发光二极管显示器中，所述透明导电层部分覆盖在间隙处的第二金属层上，其中所述间隙处的第二金属层为位于相邻两个第一过孔的邻接处的层间绝缘层上的第二金属层。在本专利技术的有源矩阵有机发光二极管显示器中，所述像素定义层覆盖在所述透明导电层上、未被所述透明导电层覆盖的第二金属层以及未被所述透明导电层覆盖的平坦层上。在本专利技术的有源矩阵有机发光二极管显示器中，所述透明导电层全部覆盖在所述间隙处的第二金属层上，其中所述间隙处的第二金属层为位于相邻两个第一过孔的邻接处的层间绝缘层上的第二金属层。在本专利技术的有源矩阵有机发光二极管显示器中，所述有源矩阵有机发光二极管显示器还包括：缓冲层，位于衬底基板和所述第一金属层之间；第一绝缘层，位于所述缓冲层和所述第一金属层之间；第二绝缘层，位于所述第一金属层和所述层间绝缘层之间。本专利技术的有源矩阵有机发光二极管显示器，通过增加现有第二金属层与透明导电层的接触面的粗糙度，从而防止透明导电层脱落，同时避免金属层被腐蚀，提高了显示器的连接稳定性以及显示器的使用寿命。【附图说明】图1为现有AMOLED的非显示区焊接区域的结构示意图；图2为本专利技术实施例一的AMOLED的有源矩阵有机发光二极管显示器的结构示意图；图3为本专利技术实施例二的AMOLED的有源矩阵有机发光二极管显示器的结构示意图；图4为本专利技术实施例三的AMOLED的有源矩阵有机发光二极管显示器的结构示意图；图5为本专利技术实施例四的AMOLED的有源矩阵有机发光二极管显示器的结构示意图。【具体实施方式】以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。请参照图2，图2为本专利技术实施例一的AMOLED的有源矩阵有机发光二极管显示器的结构示意图。如图2所示，给出非显示区域的有源矩阵有机发光二极管显示器的结构意图。本实施例的有源矩阵有机发光二极管显示器包括：衬底基板11、缓冲层12、第一绝缘层13、第一金属层21、第二绝缘层15、层间绝缘层16、第二金属层22、平坦层18、透明导电层23以及像素定义层24。该缓冲层12和第一绝缘层13依次位于衬底基板11上。第一金属层21位于所述第一绝缘层13上，所述第一金属层21上设置有三个第三过孔201，所述第一绝缘层13通过所述第三过孔201与部分第二金属层22连接。可以理解的是，第三过孔201的数量可以为一个、两个或者三个以上。第二绝缘层15位于第一金属层21上。层间绝缘层16位于第二绝缘层15上。所述层间绝缘层16上设置有第一过孔(图中未示出)，所述第一金属层21通过所述第一过孔与部分第二金属层22连接。所述第二金属层22覆盖所述第一过孔以及位于所述层间绝缘层16上、所述第二金属层22还覆盖所述第三过孔201。所述第一过孔的宽度(左右两端的层间绝缘之间的宽度)大于全部第三过孔201的宽度之和。平坦层18位于所述第二金属层22上，所述平坦层18上形成有第二过孔(图中未示出)，所述第二金属层22通过所述第二过孔与透明导电层23连接。所述透明导电层23覆盖所述第二过孔及位于部分所述平坦层18上。从图2中，不难看出，第二金属层22与透明导电层23的接触面为凹凸面，也即增加了第二金属层22与透明导电层23的接触面的粗糙度，从而防止透明导电层的脱落，提高了有源矩阵有机发光二极管显示器的电性连接的稳定性；此外避免金属层被腐蚀，提高了显示器的使用寿命。像素定义层24位于平坦层18上。当然可以理解的，像素定义层24可以仅覆盖平坦层18。优选地，该像素定义层24可以位于透明导电层2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有源矩阵有机发光二极管显示器，其特征在于，其包括：依次位于衬底基板上的第一金属层、层间绝缘层；其中所述层间绝缘层上设置有第一过孔，所述第一金属层通过所述第一过孔与部分第二金属层连接；所述第二金属层，覆盖所述第一过孔；平坦层，位于所述第二金属层上，所述平坦层上形成有第二过孔；所述透明导电层，覆盖所述第二过孔及位于部分所述平坦层上，所述透明导电层通过所述第二过孔与所述第二金属层连接；所述第二金属层与所述透明导电层的接触面为凹凸面。

【技术特征摘要】
1.一种有源矩阵有机发光二极管显示器，其特征在于，其包括：依次位于衬底基板上的第一金属层、层间绝缘层；其中所述层间绝缘层上设置有第一过孔，所述第一金属层通过所述第一过孔与部分第二金属层连接；所述第二金属层，覆盖所述第一过孔；平坦层，位于所述第二金属层上，所述平坦层上形成有第二过孔；所述透明导电层，覆盖所述第二过孔及位于部分所述平坦层上，所述透明导电层通过所述第二过孔与所述第二金属层连接；所述第二金属层与所述透明导电层的接触面为凹凸面。2.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管显示器，其特征在于，所述有源矩阵有机发光二极管显示器还包括：第一绝缘层，位于所述衬底基板和所述第一金属层之间；所述第一金属层上设置有至少一个第三过孔，所述第一绝缘层通过所述第三过孔与部分所述第二金属层连接。3.根据权利要求2所述的有源矩阵有机发光二极管显示器，其特征在于，所述第二金属层覆盖所述第三过孔以及所述第一过孔。4.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管显示器，其特征在于，所述第二金属层上设置有至少一个第四过孔，部分所述透明导电层通过所述第四过孔与部分所述第一金属层连接；所述透明导电层，覆盖所述第二过孔和所述第四过孔及位于所述平坦层上。5.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彩琴，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42