Micro-LED巨量转移方法、显示装置及制作方法制造方法及图纸

本申请公开一种Micro‑LED巨量转移方法、Micro‑LED显示装置及其制作方法，所述Micro‑LED巨量转移方法，通过将阵列上的LED芯片分为两部分，且LED芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，其中一部分的第一表面与第一转移基板结合，另一部分的第二表面与第二转移基板结合，将第一部分的LED转移至第一转移基板上，第二部分的LED转移至第二转移基板上。即通过将两个表面分别结合至两个转移基板上，然后通过一次分离，使得Micro‑LED实现巨量转移，无需剥离等复杂工艺，且LED芯片为已经制作完成的LED芯片，无需在巨量转移之后再进行芯片工艺，从而相对于现有技术而言，更加简单，而且成本较低。

【技术实现步骤摘要】
Micro-LED巨量转移方法、显示装置及制作方法
本专利技术涉及半导体器件制作
，尤其涉及一种Micro-LED巨量转移方法、Micro-LED显示装置及其制作方法。
技术介绍
Micro-LED发展成未来显示技术的热点之一，但其技术难点多且技术复杂，特别是其关键技术：巨量转移技术。随着技术的发展，巨量转移技术发展至今已经出了不少技术分支，如静电吸附、镭射激光烧触等。传统巨量转移微型LED的方法是通过基板接合(WaferBonding)将微型元件自转移基板转移至接收基板。转移方法的其中一种实施方法为直接转移，也就是直接将微型元件阵列自转移基板接合至接收基板，之后再将转移基板移除。另一种实施方法为“间接转移”。此方法包含两次接合/剥离的步骤。在间接转移中，转置头可将位于中间承载基板上的部分微型元件阵列拾起，然后再将微型元件阵列接合至接收基板，接着再把转置头移除。但现有技术中的直接转移或间接转移的巨量转移技术，工艺复杂且成本较高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种Micro-LED巨量转移方法、Micro-LED显示装置及其制作方法，以解决现有技术中直接转移或间接转移的巨量转移技术的工艺复杂且成本较高的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种Micro-LED巨量转移方法，包括：提供Micro-LED阵列，所述Micro-LED阵列包括基底和位于所述基底表面的多个呈阵列排布的LED芯片，多个所述LED芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第二表面位于所述基底表面，多个所述LED芯片分为第一部分和第二部分；提供临时载板、第一转移基板和第二转移基板；将所述基底背离所述LED芯片的表面与所述临时载板结合；将所述第一部分的LED芯片的第一表面与所述第一转移基板结合；去除所述临时载板和所述基底；将所述第二部分的LED芯片的第二表面与所述第二转移基板结合；分离所述第一部分和所述第二部分的LED芯片，使得所述第一部分的LED转移至所述第一转移基板上，所述第二部分的LED转移至所述第二转移基板上。优选地，所述将所述第一部分的LED芯片的第一表面与所述第一转移基板结合的方式包括：通过第一型胶将所述第一部分的LED芯片的第一表面与所述第一转移基板结合。优选地，所述通过第一型胶将所述第一部分的LED芯片的第一表面与所述第一转移基板结合，具体包括：在所述第二部分的LED芯片的第一表面覆盖保护层；在所述保护层和所述第一部分的LED芯片的第一表面覆盖第一型胶；在所述第一型胶背离所述LED芯片的表面设置第一转移基板。优选地，所述保护层为第二型胶，所述第二型胶与所述第一型胶的去除溶液不同。优选地，所述在所述第二部分的LED芯片的第一表面覆盖保护层，具体包括：在所有所述LED芯片的第一表面覆盖所述第二型胶；通过第二型工艺，去除所述第一部分的LED芯片的第一表面的所述第二型胶。优选地，所述第一型胶为粘合胶，所述第二型胶为光刻胶。优选地，所述将所述第二部分的LED芯片的第二表面与所述第二转移基板结合的方式包括：通过第一型胶将所述第二部分的LED芯片的第二表面与所述第二转移基板结合。优选地，所述通过第一型胶将所述第二部分的LED芯片的第二表面与所述第二转移基板结合，具体包括：在所述第一部分的LED芯片的第二表面覆盖所述保护层；在所述保护层和所述第二部分的LED芯片的第二表面覆盖所述第一型胶；在所述第一型胶背离所述LED芯片的表面设置第二转移基板。优选地，所述保护层为第二型胶，所述第二型胶与所述第一型胶的去除溶液不同。优选地，所述在所述第一部分的LED芯片的第二表面覆盖保护层，具体包括：在所有所述LED芯片的第二表面覆盖所述第二型胶；通过第二型工艺，去除所述第二部分的LED芯片的第二表面的所述第二型胶。优选地，所述第一型胶为粘合胶，所述第二型胶为光刻胶。优选地，所述分离所述第一部分和所述第二部分的LED芯片，使得所述第一部分的LED转移至所述第一转移基板上，所述第二部分的LED转移至所述第二转移基板上，具体包括：将结合了所述第一转移基板和所述第二转移基板的LED芯片放置在去胶溶液中；所述去胶溶液将所述第二型胶去除，保留所述第一型胶，使得所述第一部分的LED芯片转移至所述第一转移基板上，所述第二部分的LED芯片转移至所述第二转移基板上。优选地，所述LED芯片为同侧电极LED芯片。优选地，所述基底为蓝膜。本专利技术还提供一种Micro-LED显示装置制作方法，采用上面任意一项所述的Micro-LED巨量转移方法实现巨量转移。本专利技术还提供一种Micro-LED显示装置，采用上面所述的Micro-LED显示装置制作方法制作形成。经由上述的技术方案可知，本专利技术提供的Micro-LED巨量转移方法，通过将Micro-LED阵列上的LED芯片分为两部分，且所述LED芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，其中一部分的第一表面与第一转移基板结合，另一部分的第二表面与第二转移基板结合，从而将第一部分的LED转移至第一转移基板上，第二部分的LED转移至第二转移基板上。也即通过将两个表面分别结合至两个转移基板上，然后通过一次分离，即可使得Micro-LED实现巨量转移，无需剥离等复杂工艺，且LED芯片为已经制作完成的LED芯片，无需在巨量转移之后再进行芯片工艺，使得Micro-LED的巨量转移过程，相对于现有技术而言，更加简单，而且成本较低。本专利技术还提供一种Micro-LED显示装置制作方法，其中巨量转移过程采用上述的巨量转移方法，能够相对于现有技术简化工艺，减少成本。本专利技术还提供一种Micro-LED显示装置，采用上述Micro-LED显示装置制作方法形成，同样能够简化工艺，减少成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种Micro-LED巨量转移方法流程图；图2-图13为本专利技术实施例提供的一种Micro-LED巨量转移方法工艺步骤对应的示意图；图14为本专利技术实施例提供的一种Micro-LED显示装置结构示意图。具体实施方式正如
技术介绍
部分所述，现有技术中的直接转移或间接转移的巨量转移技术，工艺复杂且成本较高。专利技术人发现出现上述现象的原因是，现有技术中无论是直接转移或间接转移的巨量转移技术均涉及剥离等复杂工艺，特别是，有的转移方法在键合后还包括电极制作等芯片制作工艺，造成巨量转移工艺复杂。虽然垂直结构的Micro-LED在桥接方面比较简单，但同样需要复杂的剥离设备和转接接头等装置，使得整个制作过程还是较复杂。基于此，本专利技术提供一种Micro-LED巨量转移方法，包括：提供Micro-LED阵列，所述Micro-LED阵列包括基底和位于所述基底表面的多个呈阵列排布的LED芯片，多个所述LED芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第二表面位于所述基底表面，多个所述LED芯片分为第一部分和第二部分；提供临时载板、第一转移基板和第二转移基板；将所述基底背离所述LED芯片的表面与所述临时载板结合；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Micro‑LED巨量转移方法，其特征在于，包括：提供Micro‑LED阵列，所述Micro‑LED阵列包括基底和位于所述基底表面的多个呈阵列排布的LED芯片，多个所述LED芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第二表面位于所述基底表面，多个所述LED芯片分为第一部分和第二部分；提供临时载板、第一转移基板和第二转移基板；将所述基底背离所述LED芯片的表面与所述临时载板结合；将所述第一部分的LED芯片的第一表面与所述第一转移基板结合；去除所述临时载板和所述基底；将所述第二部分的LED芯片的第二表面与所述第二转移基板结合；分离所述第一部分和所述第二部分的LED芯片，使得所述第一部分的LED转移至所述第一转移基板上，所述第二部分的LED转移至所述第二转移基板上。

【技术特征摘要】
1.一种Micro-LED巨量转移方法，其特征在于，包括：提供Micro-LED阵列，所述Micro-LED阵列包括基底和位于所述基底表面的多个呈阵列排布的LED芯片，多个所述LED芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第二表面位于所述基底表面，多个所述LED芯片分为第一部分和第二部分；提供临时载板、第一转移基板和第二转移基板；将所述基底背离所述LED芯片的表面与所述临时载板结合；将所述第一部分的LED芯片的第一表面与所述第一转移基板结合；去除所述临时载板和所述基底；将所述第二部分的LED芯片的第二表面与所述第二转移基板结合；分离所述第一部分和所述第二部分的LED芯片，使得所述第一部分的LED转移至所述第一转移基板上，所述第二部分的LED转移至所述第二转移基板上。2.根据权利要求1所述的Micro-LED巨量转移方法，其特征在于，所述将所述第一部分的LED芯片的第一表面与所述第一转移基板结合的方式包括：通过第一型胶将所述第一部分的LED芯片的第一表面与所述第一转移基板结合。3.根据权利要求2所述的Micro-LED巨量转移方法，其特征在于，所述通过第一型胶将所述第一部分的LED芯片的第一表面与所述第一转移基板结合，具体包括：在所述第二部分的LED芯片的第一表面覆盖保护层；在所述保护层和所述第一部分的LED芯片的第一表面覆盖第一型胶；在所述第一型胶背离所述LED芯片的表面设置第一转移基板。4.根据权利要求3所述的Micro-LED巨量转移方法，其特征在于，所述保护层为第二型胶，所述第二型胶与所述第一型胶的去除溶液不同。5.根据权利要求4所述的Micro-LED巨量转移方法，其特征在于，所述在所述第二部分的LED芯片的第一表面覆盖保护层，具体包括：在所有所述LED芯片的第一表面覆盖所述第二型胶；通过光刻工艺，去除所述第一部分的LED芯片的第一表面的所述第二型胶。6.根据权利要求4或5所述的Micro-LED巨量转移方法，其特征在于，所述第一型胶为粘合胶，所述第二型胶为光刻胶。7.根据权利要求4所述的Micro-LED巨量转移方法，其特征在于，所述将所述第二部分的LED芯片的第二表面与所述第二转移基板结合的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志伟，邓群雄，陈凯轩，柯志杰，卓祥景，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35