【技术实现步骤摘要】
一种自适应磨损均衡垃圾回收加速装置和方法
本专利技术涉及一种自适应磨损均衡垃圾回收加速装置和方法,使用硬件加速对FTL(Flashtranslationlayer)中表项的搜索比较,通过调节表项位宽实现对不同FTL表的自适应,帮助实现闪存的磨损均衡和垃圾回收。
技术介绍
因为闪存具有擦除次数有限,先擦后写的特点,我们需要均衡flash中每个块的擦写频率来延长闪存的使用寿命,即所谓的磨损均衡。把一个闪存块里的‘有效’页数据复制到一个“空白”块里,然后把这个块完全擦除即所谓的垃圾回收。为实现磨损均衡和垃圾回收,软件需要建立包含块的擦除信息及块中有效页个数信息的表(块信息表),以此决定Flash后续的擦写操作,并更新块查询表(LBA和PBA的映射表)。这些表存储在闪存的特殊地址单元中,系统上电后cpu将其读入内存中实时更新。然而单纯通过软件将块信息表中的信息逐一读取比对耗时较长,使得闪存的擦写操作变慢。
技术实现思路
针对现有技术的缺陷,本专利技术一种自适应磨损均衡垃圾回收加速装置和方法,利用硬件对块信息表的表项进行对比并给出最值,并且根据所使用Flash自适应调整比较器位宽。为了解决所述技术问题,本专利技术采用的技术方案是:自适应磨损均衡垃圾回收加速装置,包括:控制模块,用于给出块信息表的地址及长度、块信息表项的位宽信息、比较项目,发起数据读取及比较的命令,等待最值生成后将比较结果反馈给系统总线;块信息表,数量为1个或多个,每个块信息表内存储有块类型、有效页个数和擦除次数,块类型、有效页个数和擦除次数的位宽可变;数据读取模块,根据来自控制模块的命令从数据总线读取相 ...
【技术保护点】
1.自适应磨损均衡垃圾回收加速装置,其特征在于,包括:控制模块,用于给出块信息表的地址及长度、块信息表项的位宽信息、比较项目,发起数据读取及比较的命令,等待最值生成后将比较结果反馈给系统总线;块信息表,数量为1个或多个,每个块信息表内存储有块类型、有效页个数和擦除次数,块类型、有效页个数和擦除次数的位宽可变;数据读取模块,根据来自控制模块的命令从数据总线读取相应地址的块信息表内的数据;最值生成模块,根据控制模块给出的位宽信息将从数据读取模块得到的数据分配到相应的比较器当中得到最值并输出给控制模块;数据读取模块通过数据总线与块信息表双向通信连接,控制模块通过系统总线与外部CPU双向通信连接,控制模块分别与数据读取模块的命令输入端、最值生成模块的位宽信息输入端相连,数据读取模块的输出端与最值生成模块的数据输入端相连,最值生成模块的输出端与控制模块相连。
【技术特征摘要】
1.自适应磨损均衡垃圾回收加速装置,其特征在于,包括:控制模块,用于给出块信息表的地址及长度、块信息表项的位宽信息、比较项目,发起数据读取及比较的命令,等待最值生成后将比较结果反馈给系统总线;块信息表,数量为1个或多个,每个块信息表内存储有块类型、有效页个数和擦除次数,块类型、有效页个数和擦除次数的位宽可变;数据读取模块,根据来自控制模块的命令从数据总线读取相应地址的块信息表内的数据;最值生成模块,根据控制模块给出的位宽信息将从数据读取模块得到的数据分配到相应的比较器当中得到最值并输出给控制模块;数据读取模块通过数据总线与块信息表双向通信连接,控制模块通过系统总线与外部CPU双向通信连接,控制模块分别与数据读取模块的命令输入端、最值生成模块的位宽信息输入端相连,数据读取模块的输出端与最值生成模块的数据输入端相连,最值生成模块的输出端与控制模块相连。2.根据权利要求1所述的自适应磨损均衡垃圾回收加速装置,其特征在于:所述最值生成模块包括位宽选择模块、擦除次数比较器、有效页个数比较器和累加器,擦除次数比较器、有效页个数比较器前均连接有N个有效数据选择器,N等于数据读取模块读取数据的位数;位宽选择模块的输入端与控制模块相连,位宽选择模块的输出端分别与N个有效数据选择器的控制端相连,有效数据选择器的一个数据输入端与数据读取模块的输出端相连,另一个数据输入端接0,擦除次数比较器、有效页个数比较器的输出端均连接至控制模块;累加器的输入端与N个有效数据选择器的输出端相连,累加器的输出端连接至控制模块。3.根据权利要求2所述的自适应磨损均衡垃圾回收加速装置,其特征在于:所述擦除次数比较器、有效页个数比较器均包括比较两组数据大小的多位数值比较器、二选一数据选择器和D触发器组,多位数值比较器的输入端分别输入N个有效数据选择器的输出数据和原最值,多位数值比较器的输出端连接至二选一数据选择器的控制端,二选一数据选择器的输入端分别输入N个有效数据选择器的输出数据和原最值,二选一数据选择器的输出端连接至D触发器组的输入端,D触发器组的输出端连接至控制模块。4.根据权利要求3所述的自适应磨损均衡垃圾...
【专利技术属性】
技术研发人员:王运哲,孙晓宁,朱苏雁,刘大铕,刘奇浩,刘尚,孙中琳,李敏霞,
申请(专利权)人:山东华芯半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:山东,37
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