一种降低闪存滞留错误的方法及固态硬盘技术

本发明专利技术公开了一种降低闪存滞留错误的方法及固态硬盘，通过后台自检操作后台检查数据是否发生错误，如果发生错误则通过纠错算法进行纠错，其特征在于后台自检控制在空闲状态下触发和强制状态下触发，每次后台自检检查M大小的数据空间；所述强制状态根据硬盘整体的擦除次数选择不同的时间间隔强制启动，擦写次数越大，时间间隔越小。原地写入的效率要比写到新物理页的效率高，纠正的数据依然在原地，与逻辑地址的映射关系并未改变，那么物理块中并不会产生无效的物理页，所以不会触发固态硬盘内部的垃圾处理机制，配合现有技术中动态自适应自检的机制，既能有效降低滞留错误的发生，又能不影响主机性能，还能间接的提升闪存生命周期。

【技术实现步骤摘要】
一种降低闪存滞留错误的方法及固态硬盘
本专利技术涉及存储
，尤其涉及一种降低闪存滞留错误的方法及固态硬盘。
技术介绍
Flashcell使用浮动栅晶体管(FloatingGateTransistor)的电压值来表示存储的数据，MLC(MultiLevelCell)闪存的Flashcell可以存储两个比特值：最低有效位LSB(LeastSignificantBit)和最高有效位MSB(MostSignificantBit)，图1是MLC一个闪存的存储单元FLASHcell示意图,每个Flashcell都包括一个LSB和一个MSB，每个位有两个状态，因此一个Flashcell有四种状态。图2是MLC一个闪存的存储单元的电压分布示意图，一个Flashcell有四种状态表现为不同的电压，具体为：状态1为擦除状态，电压值为0，存储的bit值为11，状态2或状态3为非完全写入态，电压值介于擦除态和完全态之间，存储的bit值为10或01，状态4为完全态，电压最大，存储的bit值为00，其中参考电压1，参考电压2，参考电压3，参考电压3是颗粒厂商给出的参考值，如果浮动栅晶体管电压值在小于参考电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低闪存滞留错误的方法，通过后台自检操作后台检查固态硬盘全盘存储的数据是否发生错误，如果发生错误则通过纠错算法进行纠错，其特征在于后台自检控制在空闲状态下触发和强制状态下触发，每次后台自检检查M大小的数据空间，空闲状态下的M选择为M1，强制状态下选择M2，M2为0.2M1～0.6M1；所述强制状态根据硬盘整体的擦除次数选择不同的时间间隔强制启动，擦写次数越大，时间间隔越小。

【技术特征摘要】
1.一种降低闪存滞留错误的方法，通过后台自检操作后台检查固态硬盘全盘存储的数据是否发生错误，如果发生错误则通过纠错算法进行纠错，其特征在于后台自检控制在空闲状态下触发和强制状态下触发，每次后台自检检查M大小的数据空间，空闲状态下的M选择为M1，强制状态下选择M2，M2为0.2M1～0.6M1；所述强制状态根据硬盘整体的擦除次数选择不同的时间间隔强制启动，擦写次数越大，时间间隔越小。2.根据权利要求1所述的降低闪存滞留错误的方法，其特征在于后台自检操作后台仅检查固态硬盘全盘存储的有效数据，忽略无效数据和未存储的数据页。3.根据权利要求1或2所述的降低闪存滞留错误的方法，其特征在于选择M1为10MB，M2为5MB；硬盘整体的擦写次数为固态硬盘总的擦除次数或各个块的平均擦除次数。4.根据权利要求3所述的降低闪存滞留错误的方法，其特征在于后台自检操作检测到数据发生错误后，通过纠错算法进行纠错后，不对原物理页进擦除操作，直接将纠错后的数据写回原...

【专利技术属性】
技术研发人员：许毅，姚兰，郑春阳，
申请(专利权)人：深圳忆联信息系统有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44