一种显示面板和显示装置制造方法及图纸

技术编号:19423755 阅读:38 留言:0更新日期:2018-11-14 10:06
本发明专利技术提供了一种显示面板和显示装置,涉及液晶显示技术领域。其中,该显示面板包括液晶层、阵列基板和彩膜基板,阵列基板靠近彩膜基板的一侧设置有遮光层,遮光层的厚度小于阵列基板与彩膜基板之间的盒厚;数据线或栅线在衬底上的正投影与邻近的公共电极层或像素电极层在衬底上的正投影之间存在间隙,遮光层在衬底上的正投影覆盖上述间隙。在本发明专利技术实施例中,遮光层可以替代数据线或栅线上方的部分液晶,以减少因电场发生偏转的液晶量,而遮光层与彩膜基板之间的少量液晶,在取向层作用下不发生偏转,因此,间隙漏出的光线可以被遮光层与彩膜基板之间的液晶遮挡,从而能够避免对盒偏差较大情况下的crosstalk现象。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板和显示装置
本专利技术涉及液晶显示
,特别是涉及一种显示面板和显示装置。
技术介绍
液晶显示面板因其体积小、功耗低、无辐射等优点,在如今的显示领域中占据了重要地位。在目前的液晶显示面板中,数据线与周边的公共电极或像素电极之间存在耦合,因而可以形成电场,该电场可以使数据线周边的液晶偏转,从而在数据线与公共电极或像素电极之间存在间隙时,背光源的光线经过间隙以及偏转的液晶后会发生漏光。类似地,栅线与周边的公共电极或像素电极之间也存在耦合,因而也可以形成电场,该电场可以使栅线周边的液晶偏转,从而在栅线与公共电极或像素电极之间存在间隙时,背光源的光线经过间隙以及偏转的液晶后也会发生漏光。然而,在液晶显示面板的制作过程中,可能会出现彩膜基板与阵列基板对盒不准的情况。在对盒偏差较大的情况下,数据线或栅线周边的光线会进一步从彩膜基板上的黑矩阵边缘漏出,从而导致液晶显示面板出现crosstalk(串扰)现象,影响液晶显示面板的显示效果。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示面板和显示装置,以解决现有的显示面板在对盒不准的情况下,数据线或栅线周边的光线会从彩膜基板上的黑矩阵边缘漏出,从而导致显示面板在显示时出现crosstalk(串扰)的问题。为了解决上述问题,本专利技术公开了一种显示面板,包括液晶层、对盒设置的阵列基板和彩膜基板,所述阵列基板包括衬底及形成在所述衬底上的数据线、栅线、公共电极层和像素电极层,其特征在于,所述阵列基板靠近彩膜基板的一侧设置有遮光层,所述遮光层的厚度小于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的盒厚;所述数据线或所述栅线在所述衬底上的正投影与邻近的公共电极层或像素电极层在所述衬底上的正投影之间存在间隙,所述遮光层在所述衬底上的正投影覆盖所述间隙。可选地,所述遮光层的介电常数小于所述液晶层的介电常数。可选地,所述间隙包括所述数据线与两侧相邻的第一电极层之间分别形成的第一间隙和第二间隙,所述第一电极层为所述公共电极层和所述像素电极层中距离所述数据线最近的一者;所述遮光层在所述衬底上的正投影覆盖所述数据线、所述第一间隙和所述第二间隙。可选地,所述间隙包括所述栅线与两侧相邻的第二电极层之间分别形成的第三间隙和第四间隙,所述第二电极层为所述公共电极层和所述像素电极层中距离所述栅线最近的一者;所述遮光层在所述衬底上的正投影覆盖所述栅线、所述第三间隙和所述第四间隙。可选地,所述显示面板还包括设置在所述阵列基板靠近所述彩膜基板一侧的第一取向层,所述第一取向层覆盖所述遮光层。可选地,所述遮光层的厚度大于2.1微米且小于2.6微米。可选地,所述遮光层的宽度大于12微米且小于14微米。可选地,所述遮光层的介电常数大于3且小于4。可选地,所述遮光层的材料为树脂材料。为了解决上述问题,本专利技术还公开了一种显示装置,包括上述显示面板。与现有技术相比,本专利技术包括以下优点:在本专利技术实施例提供的显示面板中,阵列基板靠近彩膜基板的一侧可以设置有遮光层,其中,遮光层的厚度小于阵列基板与彩膜基板之间的盒厚,显示面板中的数据线或栅线在衬底上的正投影与邻近的公共电极层或像素电极层在衬底上的正投影之间存在间隙,遮光层在衬底上的正投影覆盖间隙。在本专利技术实施例中,遮光层可以替代数据线或栅线上方附近的部分液晶分子,进而能够减少因电场发生偏转的液晶分子数量,而遮光层与彩膜基板之间存在的少量液晶分子,在取向层的取向作用下不会发生偏转,因此,显示面板之下的背光源发出的光线,可以被遮光层与彩膜基板之间的液晶分子遮挡,不会从显示面板漏出,从而能够避免对盒偏差较大情况下发生的crosstalk现象。附图说明图1示出了本专利技术实施例一的一种显示面板横截数据线的截面示意图;图2示出了本专利技术实施例一的另一种显示面板横截数据线的截面示意图;图3示出了本专利技术实施例一的一种显示面板横截栅线的截面示意图;图4示出了本专利技术实施例一的另一种显示面板横截栅线的截面示意图;图5示出了本专利技术实施例一的一种基于图1的遮光层周边的局部截面示意图。附图标记说明:10-彩膜基板的衬底,11-黑矩阵,12-光阻层,13-第二取向层,20-液晶层,30-阵列基板的衬底,31-公共电极层,32-数据线,33-像素电极层,34-第一取向层,40-遮光层。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。在对本专利技术实施例进行详细说明之前,首先对现有显示面板的crosstalk程度以及其他相关性能的模拟测试结果和性能分析进行介绍。需要在先说明的是,以下模拟测试结果仅针对数据线周边存在漏光的模拟情景,针对栅线周边存在漏光的模拟测试结果与针对数据线的模拟测试结果规律基本一致,后续不再赘述。另外,下述模拟测试针对8.5代线液晶显示面板。首先对现有显示面板在不同对盒偏差下的crosstalk程度进行模拟测试,以与显示面板呈60度的观测角度为基准,可以得到如下表1所示的模拟测试结果。参照表1,现有显示面板的对盒偏差从4.2微米以上开始,因漏光导致的crosstalk程度急剧增加。表1其次,现有显示面板中黑矩阵的尺寸,除实现基本的遮挡器件功能之外,通常还会再增加一定的尺寸,从而在实际制作时能够允许一定的对盒误差。可以对现有显示面板在不同对盒偏差下的对比度进行模拟测试,以与显示面板呈60度的观测角度为基准,可以得到如下表2所示的模拟测试结果。参照表2,现有显示面板的对盒偏差从4.2微米以上开始,对比度急剧降低。表2最后是关于开口率的性能分析,对于现有的显示面板,若为了允许更大的对盒偏差,也即在更大的对盒偏差下也不会发生漏光,则需要进一步增大黑矩阵的尺寸,而黑矩阵的尺寸增大则会直接降低像素的开口率,从而降低显示亮度,影响显示效果。例如对于现有的显示面板,黑矩阵在阵列基板上的正投影覆盖数据线、数据线周边的公共电极层、以及二者之间的间隙之外,再增加一定的尺寸时,黑矩阵的宽度将达到31微米。综上所述,针对现有的显示面板,以及crosstalk程度等性能的模拟测试结果和性能分析,提出了本专利技术实施例中的显示面板,以解决现有显示面板在对盒不准的情况下,数据线或栅线周边的光线会从黑矩阵边缘漏出,从而导致显示面板在显示时出现crosstalk(串扰)等不良现象的问题。实施例一本专利技术实施例一中的显示面板可以包括液晶层、对盒设置的阵列基板和彩膜基板,阵列基板具体包括衬底及形成在衬底上的数据线、栅线、公共电极层和像素电极层。在实际应用中,显示面板还包括设置在阵列基板靠近彩膜基板一侧的第一取向层,该第一取向层覆盖遮光层,显示面板还包括设置在彩膜基板靠近阵列基板一侧的第二取向层。其中,阵列基板靠近彩膜基板的一侧可以设置有遮光层,该遮光层的厚度小于阵列基板与彩膜基板之间的盒厚,从而遮光层可以占据一部分液晶分子的位置,从而能够替代部分液晶分子。数据线或栅线在衬底上的正投影与邻近的公共电极层或像素电极层在衬底上的正投影之间存在间隙,该遮光层在衬底上的正投影可以覆盖上述间隙。在阵列基板中,由于构图工艺,数据线与在衬底上的正投影与邻近的公共电极层或像素电极层在衬底上的正投影之间可能存在间隙,也即上述间隙具体可以包括数据线与两侧相邻的第一电极层之间分别形成的第一间隙和第二间隙,其中,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板,包括液晶层、对盒设置的阵列基板和彩膜基板,所述阵列基板包括衬底及形成在所述衬底上的数据线、栅线、公共电极层和像素电极层,其特征在于,所述阵列基板靠近彩膜基板的一侧设置有遮光层,所述遮光层的厚度小于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的盒厚;所述数据线或所述栅线在所述衬底上的正投影与邻近的公共电极层或像素电极层在所述衬底上的正投影之间存在间隙,所述遮光层在所述衬底上的正投影覆盖所述间隙。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板,包括液晶层、对盒设置的阵列基板和彩膜基板,所述阵列基板包括衬底及形成在所述衬底上的数据线、栅线、公共电极层和像素电极层,其特征在于,所述阵列基板靠近彩膜基板的一侧设置有遮光层,所述遮光层的厚度小于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的盒厚;所述数据线或所述栅线在所述衬底上的正投影与邻近的公共电极层或像素电极层在所述衬底上的正投影之间存在间隙,所述遮光层在所述衬底上的正投影覆盖所述间隙。2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述遮光层的介电常数小于所述液晶层的介电常数。3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述间隙包括所述数据线与两侧相邻的第一电极层之间分别形成的第一间隙和第二间隙,所述第一电极层为所述公共电极层和所述像素电极层中距离所述数据线最近的一者;所述遮光层在所述衬底上的正投影覆盖所述数据线、所述第一间隙和所述第二间隙。4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述间隙...

【专利技术属性】
技术研发人员:严允晟廖峰舒适董立文王洪润金熙哲林允植牛海军
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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