4H-SiC的绝缘栅双极型晶体管制造技术

本实用新型专利技术提出了4H‑SiC的绝缘栅双极型晶体管，其包括：漂移区；P阱区，设置在漂移区的一侧；N

【技术实现步骤摘要】
4H-SiC的绝缘栅双极型晶体管
本技术涉及半导体
，具体的，本技术涉及4H-SiC的绝缘栅双极型晶体管。
技术介绍
目前，随着科技的发展，人们对电子器件的耐高温、抗辐射等在恶劣环境中工作的要求越来越高。虽然，硅和砷化镓为代表的第一、二代半导体材料得到了大力发展，并在半导体领域起中流砥柱的作用，但制作的器件只能工作在低于250℃的环境中，尤其是遇到高温、大功率、高频、极强辐射环境同时存在时，传统的硅和砷化镓电子器件已经不能满足这些领域的工作要求。这促使人们不得不开发具有更加优秀性能的宽禁带半导体电子器件，比如碳化硅、氮化镓器件。碳化硅是一种宽禁带半导体材料，其具有饱和电子漂移速度高、击穿场强高、热导率高等特性，特别适合用于制作高电压、大电流、高频的功率器件。常见的碳化硅有3c-SiC、4H-SiC、6H-SiC等晶型，其中，又以4H-SiC的性能最好(带隙最宽、电子迁移率最高)。然而，4H-SiC的生长难度又是最大，生长过程中特别容易发生相变，产生6H-SiC、15R-SiC等杂相。现阶段，绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，简称I本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种4H‑SiC的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：漂移区；P阱区，所述P阱区设置在所述漂移区的一侧；N+发射极，所述N+发射极设置在所述P阱区远离所述漂移区的一侧；两个沟槽，每个所述沟槽开设在所述N+发射极、所述P阱区和所述漂移区内，且贯穿所述N+发射极和所述P阱区，并且，所述沟槽的侧壁都不垂直于所述绝缘栅双极型晶体管的上表面；沟槽氧化层，所述沟槽氧化层设置在所述两个沟槽中，且覆盖每个所述沟槽的表面；两个多晶硅栅极，每个所述多晶硅栅极填充在所述沟槽氧化层远离所述漂移区的一侧；N缓冲层，所述N缓冲层设置在所述漂移区远离所述P阱区的一侧；P+集电极，所述P+集电极设置在所述N缓冲层远离所...

【技术特征摘要】
1.一种4H-SiC的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：漂移区；P阱区，所述P阱区设置在所述漂移区的一侧；N+发射极，所述N+发射极设置在所述P阱区远离所述漂移区的一侧；两个沟槽，每个所述沟槽开设在所述N+发射极、所述P阱区和所述漂移区内，且贯穿所述N+发射极和所述P阱区，并且，所述沟槽的侧壁都不垂直于所述绝缘栅双极型晶体管的上表面；沟槽氧化层，所述沟槽氧化层设置在所述两个沟槽中，且覆盖每个所述沟槽的表面；两个多晶硅栅极，每个所述多晶硅栅极填充在所述沟槽氧化层远离所述漂移区的一侧；N缓冲层，所述N缓冲层设置在所述漂移区远离所述P阱区的一侧；P+集电极，所述P+集电极设置在所述N缓冲层远离所述漂移区的一侧；其中，所述漂移区、所述P阱区、所述N+发射极、所述N缓冲层和所述P+集电极都由4H-SiC形成。2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的上表面的法线方向与4H-SiC晶体的<0001>取向的偏角度为4°，且所述沟槽的侧壁的法线...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，甘弟，
申请(专利权)人：广东美的制冷设备有限公司，美的集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44