绝缘栅双极型晶体管制造技术

本实用新型专利技术提出了绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括：漂移区；P阱区，设置在漂移区的一侧；N

【技术实现步骤摘要】
绝缘栅双极型晶体管
本技术涉及半导体
，具体的，本技术涉及绝缘栅双极型晶体管。
技术介绍
目前，绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，简称IGBT)是由双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET器件的高输入阻抗和电力晶体管(即巨型晶体管，简称GTR)的低导通压降两方面的优点，由于IGBT具有驱动功率小而饱和压降低的优点，所以IGBT作为一种新型的电力电子器件被广泛应用到各个领域。现阶段，图1为现有绝缘栅双极晶体管的剖面结构图，当IGBT开通时，电子从发射极300注入到漂移区100、空穴从集电极600注入到漂移区100，电子和空穴在漂移区100发生电导调制效应，使得IGBT的导通压降较低；而在IGBT关断时，漂移区100中的空穴主要通过与漂移区中的电子复合来消灭，从而实现IGBT的关断。
技术实现思路
本技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。本技术是基于专利技术人的下列发现而完成的：本技术的专利技术人在研究过程中发现，IGBT的性能可分为动态特性和静态特征。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：漂移区；P阱区，所述P阱区设置在所述漂移区的一侧；N+发射极，所述N+发射极设置在所述P阱区远离所述漂移区的一侧；两个沟槽，每个所述沟槽开设在所述N+发射极、所述P阱区和所述漂移区内，且贯穿所述N+发射极和所述P阱区；沟槽氧化层，所述沟槽氧化层设置在所述两个沟槽中，且覆盖每个所述沟槽的表面；两个多晶硅栅极，每个所述多晶硅栅极填充在所述沟槽氧化层远离所述漂移区的一侧，并且，每个所述多晶硅栅极包括依次层叠设置的N型子栅极和P型子栅极。

【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：漂移区；P阱区，所述P阱区设置在所述漂移区的一侧；N+发射极，所述N+发射极设置在所述P阱区远离所述漂移区的一侧；两个沟槽，每个所述沟槽开设在所述N+发射极、所述P阱区和所述漂移区内，且贯穿所述N+发射极和所述P阱区；沟槽氧化层，所述沟槽氧化层设置在所述两个沟槽中，且覆盖每个所述沟槽的表面；两个多晶硅栅极，每个所述多晶硅栅极填充在所述沟槽氧化层远离所述漂移区的一侧，并且，每个所述多晶硅栅极包括依次层叠设置的N型子栅极和P型子栅极。2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，进一步包括：绝缘层，所述绝缘层设置在所述多晶硅栅极远离所述漂移区的表面，且所述绝缘层在所述漂移区上的正投影覆盖所述多晶硅栅极在所述漂移区上的正投影；P+集电极层，所述P+集电极层设置在所述漂移区远离所述P阱区的一侧。3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述N型子栅极靠近所述P型子栅极的表面到所述沟槽的底壁的距离小于所述P阱区靠近所述漂移区的表面到所述沟槽的底壁的距离。4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，甘弟，
申请(专利权)人：广东美的制冷设备有限公司，美的集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44