RC-IGBT及其制造方法技术

本发明专利技术提供具有晶体管部和二极管部的RC‑IGBT。所述RC‑IGBT具有晶体管部；二极管部；还具备：半导体基板；第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板的上表面侧；第二导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第一导电型的源区，其设置于基区的上方；以及2个以上的沟槽部，其以从源区的上端侧贯穿源区和基区的方式设置，二极管部具备：源区；接触沟槽，其在2个以上的沟槽部中的相邻的2个沟槽部之间设置于半导体基板的上表面侧；以及第二导电型的接触层，其设置于接触沟槽的下方，且浓度比基区的浓度高。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】RC-IGBT及其制造方法
本专利技术涉及RC-IGBT及其制造方法。
技术介绍
以往，为了抽出沟槽间的空穴，已知有设置高浓度的P型层的方法(例如参照专利文献1)。另外，已知在具有晶体管部和二极管部的RC-IGBT中，在二极管部设置减少空穴从阳极的注入的高浓度的N型层(例如参照专利文献2)。专利文献1：日本特开2013-065724号公报专利文献2：日本特开2015-135954号公报
技术实现思路
技术问题然而，在现有的半导体装置中，无法充分降低二极管部的反向恢复特性。技术方案在本专利技术的第一方式中，可以提供一种RC-IGBT，其具备：晶体管部；二极管部；半导体基板；第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板的上表面侧；第二导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第一导电型的源区，其设置于基区的上方；以及2个以上的沟槽部，其以从源区的上端侧贯穿源区和基区的方式设置。二极管部可以具备：源区；接触沟槽，其在2个以上的沟槽部中的相邻的2个沟槽部之间设置于半导体基板的上表面侧；以及第二导电型的接触层，其设置于接触沟槽的下方，且浓度比基区的浓度高。接触层的下端可以比源区的下端浅。源区可以在二极管部中与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种RC‑IGBT，其特征在于，具有晶体管部和二极管部，所述RC‑IGBT具备：半导体基板；第一导电型的漂移区，其设置于所述半导体基板的上表面侧；第二导电型的基区，其设置于所述漂移区的上方；第一导电型的源区，其设置于所述基区的上方；以及2个以上的沟槽部，其以从所述源区的上端侧贯穿所述源区和所述基区的方式设置，所述二极管部具备：所述源区；接触沟槽，其在所述2个以上的沟槽部中的相邻的2个沟槽部之间设置于所述半导体基板的上表面侧；以及第二导电型的接触层，其设置于所述接触沟槽的下方，且浓度比所述基区的浓度高。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.14 JP 2016-180024;2017.07.14 JP 2017-138181.一种RC-IGBT，其特征在于，具有晶体管部和二极管部，所述RC-IGBT具备：半导体基板；第一导电型的漂移区，其设置于所述半导体基板的上表面侧；第二导电型的基区，其设置于所述漂移区的上方；第一导电型的源区，其设置于所述基区的上方；以及2个以上的沟槽部，其以从所述源区的上端侧贯穿所述源区和所述基区的方式设置，所述二极管部具备：所述源区；接触沟槽，其在所述2个以上的沟槽部中的相邻的2个沟槽部之间设置于所述半导体基板的上表面侧；以及第二导电型的接触层，其设置于所述接触沟槽的下方，且浓度比所述基区的浓度高。2.根据权利要求1所述的RC-IGBT，其特征在于，所述接触层的下端比所述源区的下端浅。3.根据权利要求1或2所述的RC-IGBT，其特征在于，所述源区在所述二极管部中与所述接触沟槽接触。4.根据权利要求1～3中任一项所述的RC-IGBT，其特征在于，所述晶体管部具备：接触沟槽，其在所述2个以上的沟槽部中的相邻的2个沟槽部之间设置于所述半导体基板的上表面侧；以及第二导电型的接触层，其设置于所述晶体管部的所述接触沟槽的下方，且浓度比所述基区的浓度高，所述二极管部的所述接触沟槽的宽度比所述晶体管部的所述接触沟槽的宽度窄。5.根据权利要求4所述的RC-IGBT，其特征在于，所述二极管部的所述接触沟槽的深宽比高于所述晶体管部的所述接触沟槽的深宽比。6.根据权利要求4或5所述的RC-IGBT，其特征在于，所述二极管部的所述接触沟槽的下端比所述晶体管部的所述接触沟槽的下端深。7.根据权利要求4～6中任一项所述的RC-IGBT，其特征在于，所述二极管部的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：内藤达也，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP