温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供具有晶体管部和二极管部的RC‑IGBT。所述RC‑IGBT具有晶体管部；二极管部；还具备：半导体基板；第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板的上表面侧；第二导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第一导电型的源区，其设置于基区的上方；...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。