【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于P-N双模态功率器件的集成高侧驱动器
本申请总体涉及功率器件，并且更具体地涉及用于P-N双模态功率器件的集成高侧驱动器。
技术介绍
横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件因其便于集成而被广泛应用于功率管理、智能功率集成电路。双模态导电N-P-LDMOS是四端子器件，其具有集成在一起的N-LDMOS和P-LDMOS二者。相应地，这些器件具有P-型沟道和N-型沟道的两个栅极，该两个栅极需要两个控制信号。在这些功率器件中，N-LDMOS需要低电压信号，而P-LDMOS需要高电压信号。这种要求两个单独信号的四端子器件不能像传统的三端子功率器件一样方便地被使用。此外，双栅极驱动器电路的复杂性可严重地影响双模态N-P-LDMOS的益处，甚至到了否定这些益处的程度。
技术实现思路
在所描述的集成电路(IC)芯片的示例中，IC芯片包括：双模态功率N-P-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件，该N-P-LDMOS器件的N-栅极经耦合以接收输入信号；以及电平移位器，其经耦合以接收输入信号并且将控制信号提供到N-P-LDMOS器件的P-栅极驱动器。在所描述的形成在单个芯片上...
【技术保护点】
1.一种集成电路芯片即IC芯片，其包括：双模态功率N‑P横向扩散金属氧化物半导体器件即双模态功率N‑P‑LDMOS器件，所述N‑P‑LDMOS器件的N‑栅极经耦合以接收输入信号；和电平移位器，其经耦合以接收所述输入信号，并且将控制信号提供到所述N‑P‑LDMOS器件的P‑栅极驱动器。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.11 US 15/067,9281.一种集成电路芯片即IC芯片，其包括：双模态功率N-P横向扩散金属氧化物半导体器件即双模态功率N-P-LDMOS器件，所述N-P-LDMOS器件的N-栅极经耦合以接收输入信号；和电平移位器，其经耦合以接收所述输入信号，并且将控制信号提供到所述N-P-LDMOS器件的P-栅极驱动器。2.根据权利要求1所述的IC芯片，其中所述输入信号是低电压信号，并且所述控制信号是高电压信号。3.根据权利要求2所述的IC芯片，其中所述P-栅极驱动器被集成在所述N-P-LDMOS器件的漏极接合焊盘区中。4.根据权利要求3所述的IC芯片，其中所述电平移位器包括N-LDMOS晶体管，所述N-LDMOS晶体管具有经耦合以接收第一控制信号的栅极。5.根据权利要求4所述的IC芯片，其中所述P-栅极驱动器包括电阻器以及二极管，所述电阻器耦合在所述N-LDMOS晶体管的漏极和所述N-P-LDMOS器件的漏极之间，所述二极管耦合在所述电阻器的第一端子和第二端子之间。6.根据权利要求5所述的IC芯片，其中所述N-P-LDMOS器件的P-栅极耦合到所述电阻器和所述N-LDMOS晶体管之间的点。7.根据权利要求6所述的IC芯片，其中电流源耦合在所述N-LDMOS晶体管的源极和VSS之间。8.根据权利要求7所述的IC芯片，其中所述电流源在芯片外。9.根据权利要求7所述的IC芯片，其中VSS为负电压。10.根据权利要求6所述的IC芯片，其中所述N-LDMOS晶体管被嵌入在所述双模态功率N-P-LDMOS器件中，并且通过给定电压与所述双模态功率N-P-LDMOS器件隔离。11.根据权利要求10所述的IC芯片，其中所述给定电压为20伏特。12.一种形成在单个芯片上的N-P横向双扩散金属氧化物半导体器件即N-P-LDMOS器件和控制电路，所述N-P-LDMOS器件和控制电路包括：所述N-P-LDMOS器件的源极和N-栅极，其形成外部环路，所述外部环路包括第一指状物以及第一间隙，所述第一指状物从所述外部环路向内延伸，所述第一间隙在所述外部环路的第一端和第二端之间，所述第一间隙被定位在所述第一指状物的反面；所述N-P-LDMOS器件的漏极和P-栅极，其形成内部环路，所述内部环路被包围在所述外部环路内，所述内部环路包括第二指状物，所述第二指状物从所述内部环路向外延伸以形成在所述内部环路的所述第二指状物和所述外部环路的所述第一指状物之间的导电沟道，所述内部环路进一步包括第二间隙，其在所述内部环路的第一端和第二端之间，所述第二间隙被定位在所述第二指状物的反面；以及N-LDMOS晶体管，其包括定位在所述第一间隙中的源极和N-栅极以及定位在所述第二间隙中的漏极，...
【专利技术属性】
技术研发人员：Y·张，S·P·彭德哈卡，P·L·霍沃，S·吉姆班科，F·马里诺，S·斯瑞达，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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