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在所描述的示例中，一种集成电路芯片(102)包括双模态功率N‑P‑横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件(104)和电平移位器(108)，该双模态功率N‑P‑横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件(104)具有经耦合以接收输入信号(...
该专利属于德克萨斯仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器股份有限公司授权不得商用。

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