AMOLED像素驱动电路及驱动方法技术

技术编号:19389817 阅读:42 留言:0更新日期:2018-11-10 02:22
本发明专利技术提供了一种AMOLED像素驱动电路及驱动方法。所述AMOLED像素驱动电路采用6T1C结构,其中第二薄膜晶体管的薄膜晶体管特性与驱动薄膜晶体管即第一薄膜晶体管相同,从而能够通过第二薄膜晶体管的漏电完成驱动薄膜晶体管的阈值电压的补偿,使流过有机发光二极管的电流稳定,保证有机发光二极管的发光亮度均匀,改善画面的显示效果。

AMOLED pixel driving circuit and driving method

The invention provides a AMOLED pixel driving circuit and a driving method. The AMOLED pixel driving circuit adopts a 6T1C structure, in which the characteristics of the thin film transistor of the second thin film transistor are the same as those of the driving thin film transistor, i.e. the first thin film transistor, so that the threshold voltage of the driving thin film transistor can be compensated by the leakage of the second thin film transistor, and the current flowing through the organic light emitting diode can be made. Stable, ensure the organic light emitting diode brightness uniformity, improve the display effect of the picture.

【技术实现步骤摘要】
AMOLED像素驱动电路及驱动方法
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种AMOLED像素驱动电路及驱动方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDisplay,OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED,PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED,AMOLED)两大类,即直接寻址和薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)矩阵寻址两类。其中,AMOLED具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。AMOLED是电流驱动器件,当有电流流过有机发光二极管时,有机发光二极管发光,且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(IntegratedCircuit,IC)都只传输电压信号,故AMOLED的像素驱动电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种AMOLED像素驱动电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、电容(C1)及有机发光二极管(D);所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第一节点(A),源极电性连接第六薄膜晶体管(T6)的漏极,漏极电性连接第二节点(B);所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极和源极均电性连接第一节点(A),漏极电性连接第三薄膜晶体管(T3)的漏极;所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第二扫描控制信号(S2),源极接入数据信号(Data);所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入第一扫描...

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED像素驱动电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、电容(C1)及有机发光二极管(D);所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第一节点(A),源极电性连接第六薄膜晶体管(T6)的漏极,漏极电性连接第二节点(B);所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极和源极均电性连接第一节点(A),漏极电性连接第三薄膜晶体管(T3)的漏极;所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第二扫描控制信号(S2),源极接入数据信号(Data);所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入第一扫描控制信号(S1),源极接入参考电压信号(Ref),漏极电性连接第一节点(A);所述第五薄膜晶体管(T5)为双栅极薄膜晶体管,所述第五薄膜晶体管(T5)的第一栅极和第二栅极分别接入第一扫描控制信号(S1)和第二扫描控制信号(S2),源极电性连接第二节点(B),漏极接入电源低电压(VSS);所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极接入发光控制信号(EM),源极接入电源高电压(VDD);所述电容(C1)的两端分别电性连接第一节点(A)和第二节点(B);所述有机发光二极管(D)的阳极电性连接第二节点(B),阴极接入电源低电压(VSS);所述第一薄膜晶体管(T1)和第二薄膜晶体管(T2)的薄膜晶体管特性相同。2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路,其特征在于,所述第一扫描控制信号(S1)、第二扫描控制信号(S2)以及发光控制信号(EM)相组合,先后对应于一复位阶段(10)、一数据写入与补偿阶段(20)及一发光阶段(30)。3.如权利要求2所述的AMOLED像素驱动电路,其特征在于,在所述复位阶段(10),所述第一扫描控制信号(S1)提供控制第四薄膜晶体管(T4)和第五薄膜晶体管(T5)打开,第二扫描控制信号(S2)控制所述第三薄膜晶体管(T3)关闭,发光控制信号(EM)控制第六薄膜晶体管(T6)关闭;在数据写入与补偿阶段(20),所述第一扫描控制信号(S1)控制第四薄膜晶体管(T4)关闭,第二扫描控制信号(S2)控制所述第三薄膜晶体管(T3)和第五薄膜晶体管(T5)打开,发光控制信号(EM)控制第六薄膜晶体管(T6)关闭;在发光阶段(30),所述第一扫描控制信号(S1)和第二扫描控制信号(S2)控制第四薄膜晶体管(T4)、第三薄膜晶体管(T3)和第五薄膜晶体管(T5)均关闭,发光控制信号(EM)控制第六薄膜晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员:毛鹏
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:湖北,42

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