【技术实现步骤摘要】
一种小型化封装的超辐射发光二极管器件
本技术涉及半导体光电器件
,尤其涉及一种小型化封装的超辐射发光二极管器件。
技术介绍
传统的超辐射发光二极管(简称SLED)器件一般采用如图1所示的14针蝶形封装结构,这种封装结构不仅外形尺寸大,而且功耗高。
技术实现思路
针对现有技术中的问题,本技术提供一种小型化封装的超辐射发光二极管器件。为实现以上技术目的,本技术的技术方案是:一种小型化封装的超辐射发光二极管器件,包括管壳、TEC制冷器、热沉、陶瓷载体、热敏电阻、SLED芯片、准直透镜、输出准直器和输出光纤,所述管壳为一腔体,腔体一个侧壁上设有输出端口,底面上贯穿固定有8个引脚,所述TEC制冷器安装在腔体的内底面上且TEC制冷器的冷面朝上,所述热沉固定于TEC制冷器的冷面上,所述陶瓷载体、热敏电阻固定于热沉上,所述SLED芯片固定于陶瓷载体上且发光侧朝向输出端口,所述准直透镜固定于热沉上且位于SLED芯片的发光侧,所述输出准直器设于腔体外部,且输入端与输出端口连接,输出端与输出光纤连接,所述热敏电阻的两端通过导线分别与位于腔体内的第五引脚和第六引脚的端部相连,所述SLED芯 ...
【技术保护点】
1.一种小型化封装的超辐射发光二极管器件,其特征在于:包括管壳、TEC制冷器、热沉、陶瓷载体、热敏电阻、SLED芯片、准直透镜、输出准直器和输出光纤,所述管壳为一腔体,腔体一个侧壁上设有输出端口,底面上贯穿固定有8个引脚,所述TEC制冷器安装在腔体的内底面上且TEC制冷器的冷面朝上,所述热沉固定于TEC制冷器的冷面上,所述陶瓷载体、热敏电阻固定于热沉上,所述SLED芯片固定于陶瓷载体上且发光侧朝向输出端口,所述准直透镜固定于热沉上且位于SLED芯片的发光侧,所述输出准直器设于腔体外部,且输入端与输出端口连接,输出端与输出光纤连接,所述热敏电阻的两端通过导线分别与位于腔体内的 ...
【技术特征摘要】
1.一种小型化封装的超辐射发光二极管器件,其特征在于:包括管壳、TEC制冷器、热沉、陶瓷载体、热敏电阻、SLED芯片、准直透镜、输出准直器和输出光纤,所述管壳为一腔体,腔体一个侧壁上设有输出端口,底面上贯穿固定有8个引脚,所述TEC制冷器安装在腔体的内底面上且TEC制冷器的冷面朝上,所述热沉固定于TEC制冷器的冷面上,所述陶瓷载体、热敏电阻固定于热沉上,所述SLED芯片固定于陶瓷载体上且发光侧朝向输出端口,所述准直透镜固定于热沉上且位于SLED芯片的发光侧,所述输出准直器设于腔体外部,且输入端与输出端口连接,输出端与输出光纤连接,所述热敏电阻的两端通过导线分别与位于腔体内的第五引脚和第六引脚的端部相连,所述SLED芯片的正负极通过导线分别与位于腔体内的第三引脚和第四引脚的端部相连。2.根据权利要求1所述的小型化封装的超辐射发光二极管器件,其特征在于:所述TEC制冷器通过焊锡安装在腔体的内底面上。3.根据权利要求1所述的小型化封装的超辐射发光二极管器件,其特征在于:所述热沉通过焊锡固定于TEC制冷器的冷面上。4.根据权利要求1所述的小型化封装的超辐射发光二极管器件,其特征在于:所述陶瓷载体通过焊锡焊接于热沉上。5.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙晓波,李同宁,游毓麒,许平平,
申请(专利权)人:无锡源清瑞光激光科技有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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