一种多层薄膜的制备装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种多层薄膜的制备装置，涉及材料技术领域，所述装置包括：第一腔室，所述第一腔室具有一容置空间；第二腔室，所述第二腔室设置在所述容置空间内，且所述第二腔室容置第一材质；第三腔室，所述第三腔室与所述第二腔室相对设置，且所述第三腔室容置第二材质；传送机构，所述传送机构设置在所述容置空间内。通过上述装置解决了现有技术中的集束型薄膜生长系统增加了反应腔、门阀、真空泵、真空机械手等部件，导致成本和占用空间均增加的技术问题，达到了单一真空中实现多种薄膜生长，体积小，装置简单，效率高，操作简单且成本低的技术效果。

A device for preparing multilayer films

The invention discloses a device for preparing multi-layer thin films, which relates to the field of material technology. The device includes: a first chamber with a compatible space; a second chamber with the second chamber in the compatible space and the second chamber with the first material; and a third chamber with the third chamber. The chamber is relatively arranged with the second chamber, and the third chamber contains a second material; the transmission mechanism is arranged in the storage space. The device solves the technical problem of increasing cost and occupying space by adding reaction chamber, gate valve, vacuum pump, vacuum manipulator and other components to the cluster film growth system in the existing technology, and achieves the multi-film growth in a single vacuum with small volume, simple device, high efficiency and simple operation. And low cost technical effect.

【技术实现步骤摘要】
一种多层薄膜的制备装置
本专利技术属于材料
，尤其涉及一种多层薄膜的制备装置。
技术介绍
目前生长薄膜的方法主要有磁控溅射、真空蒸发、化学气相外延及原子层外延等。如果一次真空中生长多层不同材料的薄膜，便需要在同一真空腔内设置多种靶，或多种反应源。且随着对多层薄膜的质量要求的提高，多种材料生长过程中的相互污染显得更加显著。为此，单腔多靶的方式改进为多腔多靶，每个腔室就一个靶，腔室之间用真空机械手进行样品传输，称为集束型薄膜生长系统。但本申请专利技术人在实现本申请实施例中技术方案的过程中，发现上述现有技术至少存在如下技术问题：现有技术中的集束型薄膜生长系统增加了反应腔、门阀、真空泵、真空机械手等部件，导致成本和占用空间均增加。
技术实现思路
本申请实施例通过提供一种多层薄膜的制备装置，解决了现有技术中的集束型薄膜生长系统增加了反应腔、门阀、真空泵、真空机械手等部件，导致成本和占用空间均增加的技术问题，达到了单一真空中实现多种薄膜生长，体积小，装置简单，效率高，操作简单且成本低的技术效果。本专利技术实施例提供了一种多层薄膜的制备装置，所述装置包括：第一腔室，所述第一腔室具有一容置空间；第二腔室，所述第二腔室设置在所述容置空间内，且所述第二腔室容置第一材质；第三腔室，所述第三腔室与所述第二腔室相对设置，且所述第三腔室容置第二材质；传送机构，所述传送机构设置在所述容置空间内。优选的，所述传送机构包括：支撑杆，所述支撑杆设置在所述第二腔室与所述第三腔室之间；置物盘，所述置物盘与所述支撑杆垂直设置，所述置物盘相对所述第二腔室具有第一位置和第二位置，其中，所述第一位置为所述置物盘和所述第二腔室具有一预定距离，所述第二位置为所述置物盘接触所述第二腔室顶部后的位置。优选的，所述传送机构还包括：所述置物盘可绕所述支撑杆旋转。优选的，所述装置还包括：第四腔室，所述第四腔室设置在所述容置空间内，且所述第四腔室容置第三材质。优选的，所述装置还包括：所述第一材质不同于所述第二材质。优选的，所述装置还包括：所述第二材质不同于所述第三材质。优选的，所述装置还包括：M个通孔，所述M个通孔设置在所述置物盘上，其中，M为正整数。优选的，所述装置还包括：所述M个通孔内壁为阶梯形。本专利技术实施例中的上述一个或多个技术方案，至少具有如下一种或多种技术效果：1、在本专利技术实施例提供的一种多层薄膜的制备装置，所述装置包括：第一腔室，所述第一腔室具有一容置空间；第二腔室，所述第二腔室设置在所述容置空间内，且所述第二腔室容置第一材质；第三腔室，所述第三腔室与所述第二腔室相对设置，且所述第三腔室容置第二材质；传送机构，所述传送机构设置在所述容置空间内。通过上述装置解决了现有技术中的集束型薄膜生长系统增加了反应腔、门阀、真空泵、真空机械手等部件，导致成本和占用空间均增加的技术问题，达到了单一真空中实现多种薄膜生长，体积小，装置简单，效率高，操作简单且成本低的技术效果。2、本申请实施例通过所述置物盘可绕所述支撑杆旋转，进一步达到了通过旋转将样品进行传输，保证样品的传输和各腔室之间的相互隔离的技术效果。3、本申请实施例通过第四腔室，所述第四腔室设置在所述容置空间内，且所述第四腔室容置第三材质。通过上述装置进一步解决了现有技术中的集束型薄膜生长系统增加了反应腔、门阀、真空泵、真空机械手等部件，导致成本和占用空间均增加的技术问题，进一步达到了单一真空中实现多种薄膜生长，体积小，装置简单，效率高，操作简单且成本低的技术效果。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本专利技术的具体实施方式。附图说明图1为本专利技术实施例的一种多层薄膜的制备装置的结构示意图。附图标记说明：第一腔室1，第二腔室2，第三腔室3，置物盘4，支撑杆5，M个通孔6。具体实施方式本申请实施例通过提供了一种多层薄膜的制备装置，解决了现有技术中的集束型薄膜生长系统增加了反应腔、门阀、真空泵、真空机械手等部件，导致成本和占用空间均增加的技术问题。本专利技术实施例中的技术方案，总体思路如下：本专利技术实施例提供的一种多层薄膜的制备装置，所述装置包括：第一腔室，所述第一腔室具有一容置空间；第二腔室，所述第二腔室设置在所述容置空间内，且所述第二腔室容置第一材质；第三腔室，所述第三腔室与所述第二腔室相对设置，且所述第三腔室容置第二材质；传送机构，所述传送机构设置在所述容置空间内。达到了单一真空中实现多种薄膜生长，体积小，装置简单，效率高，操作简单且成本低的技术效果。为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一本实施例提供一种多层薄膜的制备装置，请参考图1，所述装置包括：第一腔室1，所述第一腔室1具有一容置空间；具体而言，所述第一腔室1为所述装置的主要外形结构，其腔室内部在工作时为真空状态，且所述第一腔室1的内部具有一容置空间，进一步可在所述容置空间内部设置第二腔室、第三腔室等容积较小的真空腔室。第二腔室2，所述第二腔室2设置在所述容置空间内，且所述第二腔室2容置第一材质；具体而言，所述第二腔室2设置在所述容置空间内，即，所述第二腔室2设置在所述第一腔室1内部，且所述第二腔室2内部同样具有一容置空间，所述第二腔室2为真空腔室，因此，所述第二腔室2的容置空间大小小于所述第一腔室1的容置空间，在所述第二腔室2的容置空间内可放置靶托，从而可在靶托上设置所述第一材质的靶材。第三腔室3，所述第三腔室3与所述第二腔室2相对设置，且所述第三腔室3容置第二材质；所述第一材质不同于所述第二材质。具体而言，所述第三腔室3设置在所述容置空间内，即，所述第三腔室3设置在所述第一腔室1内部，且所述第三腔室3内部同样具有一容置空间，因此，所述第三腔室3的容置空间大小小于所述第一腔室1的容置空间，所述第三腔室3与所述第二腔室2相对设置，且两者均位于所述置物盘4的下方，进一步的，在第三腔室3的容置空间内可放置靶托，从而可在靶托上设置所述第二材质的靶材。传送机构，所述传送机构设置在所述容置空间内。进一步的，所述传送机构包括：支撑杆5，所述支撑杆5设置在所述第二腔室2与所述第三腔室3之间；置物盘4，所述置物盘4与所述支撑杆5垂直设置，所述置物盘4相对所述第二腔室2具有第一位置和第二位置，其中，所述第一位置为所述置物盘4和所述第二腔室2具有一预定距离，所述第二位置为所述置物盘4接触所述第二腔室2顶部后的位置；所述置物盘4可绕所述支撑杆5旋转。具体而言，所述传送机构设置在所述容置空间内，即，所述传送机构设置在所述第一腔室1内部，其中，所述传送机构包括：支撑杆5和置物盘4，具体的：所述支撑杆5与所述第一腔室1的底部相垂直，且位于所述第二腔室2与所述第三腔室3之间；所述置物盘4水平设置在所述容置空间内部，即，所述置物盘4与所述支撑杆5垂直设置，且，所述置物盘4设置在所述第二腔室2和所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层薄膜的制备装置，其特征在于，所述装置包括：第一腔室，所述第一腔室具有一容置空间；第二腔室，所述第二腔室设置在所述容置空间内，且所述第二腔室容置第一材质；第三腔室，所述第三腔室与所述第二腔室相对设置，且所述第三腔室容置第二材质；传送机构，所述传送机构设置在所述容置空间内。

【技术特征摘要】
1.一种多层薄膜的制备装置，其特征在于，所述装置包括：第一腔室，所述第一腔室具有一容置空间；第二腔室，所述第二腔室设置在所述容置空间内，且所述第二腔室容置第一材质；第三腔室，所述第三腔室与所述第二腔室相对设置，且所述第三腔室容置第二材质；传送机构，所述传送机构设置在所述容置空间内。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述传送机构包括：支撑杆，所述支撑杆设置在所述第二腔室与所述第三腔室之间；置物盘，所述置物盘与所述支撑杆垂直设置，所述置物盘相对所述第二腔室具有第一位置和第二位置，其中，所述第一位置为所述置物盘和所述第二腔室具有一预定距离，所述第二位置为所述置物盘接触所述第二腔室顶部后的位...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏洋，
申请(专利权)人：嘉兴科民电子设备技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33