一种碳化硅/Cu复合材料的制备方法技术

本发明专利技术属于电子封装材料的制备领域，公开一种碳化硅/Cu复合材料的制备方法。将酚醛树脂粉溶解于无水乙醇中；将SiC粉加入所得溶液中，40~60℃搅拌均匀；将搅拌均匀的浆料烘干，造粒过筛，将所得颗粒粉压制成型，得到SiC坯体；将SiC坯体置于二氧化钛溶胶中浸渍处理；取出浸渍后的SiC坯体，干燥后煅烧，得到含TiC涂层的SiC坯体；用铜粉包埋SiC坯体，在真空或者惰性气氛保护下1100~1300℃无压熔渗铜0.5~2 h，随后自然降温冷却，即得到碳化硅/铜复合材料。本发明专利技术具有工艺简单、操作方便、产品性能良好等优点，使SiC/Cu复合材料拥有良好的导热性能、低的热膨胀系数并具有一定的机械强度。

Preparation method of silicon carbide /Cu composite material

The invention belongs to the preparation field of electronic packaging materials, and discloses a preparation method of silicon carbide/copper composite materials. The phenolic resin powder was dissolved in anhydrous ethanol; SiC powder was added into the solution and stirred evenly at 40-60 C; the slurry was dried, granulated and sifted, and the obtained granular powder was pressed to form SiC green body; SiC green body was impregnated in titanium dioxide sol; SiC green body was extracted and dried and calcined. Silicon carbide/copper composites were prepared by immersing SiC body with TiC coating and infiltrating copper at 1100-1300 C for 0.5-2 h in vacuum or inert atmosphere, then cooling naturally. The invention has the advantages of simple process, convenient operation and good product performance, so that the SiC/Cu composite material has good thermal conductivity, low thermal expansion coefficient and certain mechanical strength.

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅/Cu复合材料的制备方法
本专利技术属于电子封装材料的制备领域，具体涉及一种碳化硅/Cu复合材料的制备方法。
技术介绍
金属基复合材料综合了增强相和金属基体各自的优点，铜基复合材料已成功应用于热沉材料及电触头材料。因此，将金刚石颗粒、碳化硅颗粒、碳纤维等热膨胀系数与密度均较低的增强相与铜基体复合可得到更为理想的电子封装材料，在电子封装领域也展现出了良好的应用前景。电子工业的发展离不开电子封装的发展，20世纪最后二十年，随着微电子、光电子工业的巨变，为封装技术的发展创造了许多机遇和挑战，封装结构更加小型化，功率更高，功率密度大大增加，各种先进的封装技术不断涌现。当前电子封装材料应当具备以下几个特点：一是封装材料应具备优异的导热性能；二是封装材料的热膨胀系数应与芯片Si（4.1×10-6K-1）或GaAs（5.8×10-6K-1）等芯片相匹配；三是封装材料应具有一定的强度和硬度，以支撑和保护芯片；四是封装材料应具有良好的气密性，以防止大气中的水汽、有害离子等进入，使封装结构出现漏电、性能参数改变等失效情况；五是封装材料应尽量具有低密度，低密度有利于微电子器件的小型化、轻量化发展本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅/Cu复合材料的制备方法，其特征在于，步骤如下：（1）、将酚醛树脂粉溶解于无水乙醇中，保证溶液中酚醛树脂粉的含量为5~12 wt%；（2）、按SiC粉与无水乙醇的质量比为（1~1.2）∶1计，将SiC粉加入步骤（1）所得溶液中，40~60 ℃搅拌均匀；（3）、将搅拌均匀的浆料烘干，造粒过筛，将所得颗粒粉压制成型，得到SiC坯体；（4）、将SiC坯体置于二氧化钛溶胶中浸渍处理；（5）、取出步骤（4）浸渍后的SiC坯体，干燥后煅烧，得到含TiC涂层的SiC坯体；（6）、用铜粉包埋步骤（5）得到的SiC坯体，在真空或者惰性气氛保护下1100~1300 ℃无压熔渗铜0.5~2 h，随后自...

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅/Cu复合材料的制备方法，其特征在于，步骤如下：（1）、将酚醛树脂粉溶解于无水乙醇中，保证溶液中酚醛树脂粉的含量为5~12wt%；（2）、按SiC粉与无水乙醇的质量比为（1~1.2）∶1计，将SiC粉加入步骤（1）所得溶液中，40~60℃搅拌均匀；（3）、将搅拌均匀的浆料烘干，造粒过筛，将所得颗粒粉压制成型，得到SiC坯体；（4）、将SiC坯体置于二氧化钛溶胶中浸渍处理；（5）、取出步骤（4）浸渍后的SiC坯体，干燥后煅烧，得到含TiC涂层的SiC坯体；（6）、用铜粉包埋步骤（5）得到的SiC坯体，在真空或者惰性气氛保护下1100~1300℃无压熔渗铜0.5~2h，随后自然降温冷却，即得到碳化硅/铜复合材料。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴恒，张东生，姚栋嘉，牛利伟，刘喜宗，
申请(专利权)人：河南泛锐复合材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：河南,41