一种计算机系统技术方案

本发明专利技术涉及一种计算机系统，包括：信息采集单元、信号放大电路及中央处理器，所述信息采集单元的输出端连接于所述信号放大电路的输入端，所述信号放大电路的输出端连接于所述中央处理器的输入端，所述信号放大电路包括：晶体管，所述晶体管采用自偏置形式使其工作在导通状态实现对所述信号采集电路采集的信号进行放大；所述晶体管包括：第一导电类型的衬底；形成在所述衬底第一表面上的第二导电类型的第一外延层；形成在所述第一外延层上表面的第二外延层，形成在所述第二外延层两侧且一端贯穿所述第二外延层以及所述第一外延层延伸进入所述衬底的隔离区；发射极、基极以及集电极。

【技术实现步骤摘要】
一种计算机系统
本专利技术涉及计算机
，具体的说是一种计算机系统。
技术介绍
在科技发展日新月异的现今时代，计算机系统，例如是桌上型计算机、笔记型计算机、平版计算机等，已广为人们所接受，并已逐渐的成为人们工作、娱乐的重要平台。计算机系统都是通过多个采集设备对负载或外部输入设备的运行状态或输入信息进行实时采集，再通过放大电路将采集的微弱信号进行放大后给中央处理器进行处理，以实现对各个硬件设备的监控。现有技术中，晶体管作为放大器的常用的核心部件，由于其放大系数的不稳定常常影响着整个计算机系统的工作效率。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种计算机系统，工作效率高且状态稳定。一种计算机系统，包括：信息采集单元、信号放大电路及中央处理器，所述信息采集单元的输出端连接于所述信号放大电路的输入端，所述信号放大电路的输出端连接于所述中央处理器的输入端，所述信号放大电路用于将所述信息采集单元的输出电信号进行放大后传输至所述中央处理器进行分析处理；其中，所述信号放大电路包括：晶体管，所述晶体管采用自偏置形式使其工作在导通状态实现对所述信号采集电路采集的信号进行放大；所述晶体管包括：第一导电类型的衬底；形成在所述衬底第一表面上的第二导电类型的第一外延层；形成在所述第一外延层上表面的第二外延层，所述第二外延层包括氧化区以及发射区，所述发射区位于所述氧化区与所述发射区之间且与所述氧化区共同覆盖所述第一外延层的上表面；形成在所述第二外延层两侧且一端贯穿所述第二外延层以及所述第一外延层延伸进入所述衬底的隔离区；发射极、基极以及集电极。可以理解，本专利技术提出的计算机系统所采用的信号放大电路中的晶体管通过采用外延方式形成所述基区，可以实现对基区宽度及掺杂浓度的精确控制，通过在所述第二外延层内形成所述发射区，以及在所述第二外延层两侧形成隔离区，使器件在形成所述发射区的过程中，所述基区表面无需经过注入、光刻及刻蚀等工艺流程，因此极大的保护了基区的表面状态，使该晶体管具有稳定的放大系数，以使所述信号放大电路的输出信号稳定可靠，进而提高本专利技术提出的计算机系统的工作效率。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。图1是本专利技术实施例提出的计算机系统的结构示意图；图2是本专利技术实施例中晶体管的形成方法的流程示意图；图3是本专利技术实施例中的晶体管剖面的结构示意图；图4至图10是本专利技术实施例中晶体管的形成方法的结构示意图；图中：A、信息采集单元；B、信号放大电路；C、中央处理器；100、晶体管；1、衬底；2、第一外延层(基区)；3、第一外延层；11、集电区；12、集电极接触区；31、非晶区；32、晶体区；33、发射区；34、氧化区；a、掩膜；4、隔离区；51、发射极；52、基极；53、集电极；如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和有益技术效果更加清晰明白，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。请参阅图1，一种计算机系统，包括：信息采集单元A、信号放大电路B及中央处理器C，所述信息采集单元A的输出端连接于所述信号放大电路B的输入端，所述信号放大电路B的输出端连接于所述中央处理器C的输入端，所述信号放大电路B用于将所述信息采集单元A的输出电信号进行放大后传输至所述中央处理器C进行分析处理；其中，所述信号放大电路B包括：晶体管100，所述晶体管100采用自偏置形式使其工作在导通状态实现对所述信号采集设备采集的信号进行放大。请参阅图2及图3，所述晶体管100的制作方法包括：步骤S01：提供第一导电类型的衬底1；步骤S02：在所述衬底1的第一表面向上依次形成第二导电类型的第一外延层2及第一导电类型的第二外延层3；步骤S03：在所述第二外延层3两侧形成隔离区4，所述隔离区4依次贯穿所述第二外延层3及所述第一外延层2延伸进入所述衬底1；步骤S04：对所述第二外延层3的局部进行非晶化处理以在所述外延层内形成非晶区31及晶体区32，所述非晶区31贯穿所述第二外延层3与所述第一外延层2连接；步骤S05：在所述晶体区32内形成发射区33以及在所述非晶区31及所述晶体区32内形成氧化区34；步骤S06：形成于发射极51、基极52及集电极53。可以理解，本专利技术提出的计算机系统所采用的信号放大电路B中的晶体管100通过采用外延方式形成所述基区(第一外延层2)，可以实现对基区(第一外延层2)宽度及掺杂浓度的精确控制，通过在所述第二外延层3内形成所述发射区33，以及在所述第二外延层4两侧形成隔离区4，使器件在形成所述发射区33的过程中，所述基区(第一外延层2)表面无需经过注入、光刻及刻蚀等工艺流程，因此极大的保护了基区的表面状态，稳定了器件的放大系数，以使所述信号放大电路的输出信号稳定可靠，进而提高本专利技术提出的计算机系统工作效率。下面参照附图，对上述形成所述晶体管100的方法加以详细阐述。请参照附图4，执行步骤S01：提供第一导电类型的衬底1；具体的，所述衬底1作为所述晶体管的载体，主要起到支撑的作用。在本实施方式中，所述衬底1的材质为硅衬底1，硅为最常见、低廉且性能稳定的半导体材料。所述第一导电类型为N型，所述衬底1的掺杂离子为磷离子，在其他实施方式中，所述衬底1的掺杂离子还可为砷或锑等其他五价离子。进一步的，所述衬底1包括远离所述第一外延层2的集电极接触区12，以及位于所述集电极接触区12与所述第一外延层2之间的集电区11。所述集电极接触区12的掺杂浓度高于所述集电区11；所述集电极接触区12为重掺杂，所述集电区11为轻掺杂，为了使后续的所述集电极53与轻掺杂的集电区11的保持良好的电连接，因此设置重掺杂的集电极接触区12是为了提高接触性能；所述集电极接触区12的掺杂浓度通常在8E15-1E16之间，甚至还可以更高，所述集电区11的掺杂浓度根据对器件的击穿电压的要求来设定，对器件的击穿电压要求越高，掺杂浓度相对越低。请参照附图5，执行步骤S02：在所述衬底1的第一表面向上依次形成第二导电类型的第一外延层2及第一导电类型的第二外延层3；具体的，所述第一外延层1作为基区，为轻掺杂，其掺杂浓度通常在2E13-5E13/cm3之间，其厚度通常在为0.3-0.5um之间。所述第二外延层3用于形成后续的发射区33，为重掺杂，其掺杂浓度通常在1E15-5E15/cm3之间，其厚度通常在1.5-2um之间。更具体的，所述第一外延层2及所述第二外延层3均通过工艺较为简单的同质外延本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种计算机系统，其特征在于，包括：信息采集单元、信号放大电路及中央处理器，所述信息采集单元的输出端连接于所述信号放大电路的输入端，所述信号放大电路的输出端连接于所述中央处理器的输入端，所述信号放大电路用于将所述信息采集单元的输出电信号进行放大后传输至所述中央处理器进行分析处理；其中，所述信号放大电路包括：晶体管，所述晶体管采用自偏置形式使其工作在导通状态实现对所述信号采集设备采集的信号进行放大；所述晶体管包括：第一导电类型的衬底；形成在所述衬底第一表面上的第二导电类型的第一外延层；形成在所述第一外延层上表面的第二外延层，所述第二外延层包括氧化区以及发射区，所述发射区位于所述氧化区与所述发射区之间且与所述氧化区共同覆盖所述第一外延层的上表面；形成在所述第二外延层两侧且一端贯穿所述第二外延层以及所述第一外延层延伸进入所述衬底的隔离区；发射极、基极以及集电极。

【技术特征摘要】
1.一种计算机系统，其特征在于，包括：信息采集单元、信号放大电路及中央处理器，所述信息采集单元的输出端连接于所述信号放大电路的输入端，所述信号放大电路的输出端连接于所述中央处理器的输入端，所述信号放大电路用于将所述信息采集单元的输出电信号进行放大后传输至所述中央处理器进行分析处理；其中，所述信号放大电路包括：晶体管，所述晶体管采用自偏置形式使其工作在导通状态实现对所述信号采集设备采集的信号进行放大；所述晶体管包括：第一导电类型的衬底；形成在所述衬底第一表面上的第二导电类型的第一外延层；形成在所述第一外延层上表面的第二外延层，所述第二外延层包括氧化区以及发射区，所述发射区位于所述氧化区与所述发射区之间且与所述氧化区共同覆盖所述第一外延层的上表面；形成在所述第二外延层两侧且一端贯穿所述第二外延层以及所述第一外延层延伸进入所述衬底的隔离区；发射极、基极以及集电极。2.根据权利要求1所述的计算机系统，其特征在于，所述发射极形成在所述氧化区上方且延伸进入所述氧化区与所述发射区电连接；所述基极形成在所述氧化区上方且贯穿所述氧化区与所述第一外延层电连接；以及集电极形成于所述衬底与所述第一表面相对的第二表面且与所述衬底电连接。3.根据权利要求2所述的计算机系统，其特征在于，所述衬底包括远离所述第一外延层的集电极接触区，以及位于所述集电极接触区与所述第一外延层之间的集电区。4.根据权利要求1所述的计算机系统，其特征在于，所述晶体管的制造方法包括：形成第一导电类型的衬底；在所述衬底的第一表面向上依次形成第二导电类型的第一外延层及第一导电类型的第二外延层；在所述第二外延层两侧形成隔离区，所述隔离区依次贯穿所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张利峰，
申请(专利权)人：金陵科技学院，
类型：发明
国别省市：江苏,32