一种低温辐射计暗腔的精密成型方法技术

本发明专利技术涉及一种低温辐射计暗腔的精密成型方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：精密加工芯模；步骤二：在芯模表面镀涂；步骤三：切削加工方式去除部分芯模；步骤四：化学腐蚀的方法将芯模去除干净，完成腔体的精密成型。步骤二和步骤三之间进行热处理去除镀层的应力。本发明专利技术采用新的低温辐射计暗腔的精密成型方法，通过在芯模表面镀涂材料，然后去除芯模的成型方法，解决了现有方法的折弯精度不高，焊接存在缺陷以及焊接变形等问题。采用低温辐射计暗腔的精密成型方法，能有效保证暗腔的尺寸精度、形位精度、内表面粗糙度以及解决信号泄露等问题，在提高成型精度的基础上，提高产品的一致性及良品率。

A precision molding method for dark cavity of cryogenic radiometer

The invention relates to a precise forming method for cryogenic radiometer dark cavity, which is characterized by the following steps: step 1: precise processing of the core die; step 2: coating on the surface of the core die; step 3: removal of part of the core die by cutting processing; step 4: removal of the core die by chemical corrosion to complete the cavity. Precision molding. Step two and step three carry out heat treatment to remove the stress of the coating. The invention adopts a new precise forming method for the dark cavity of low temperature radiometer, solves the problems of low bending accuracy, welding defects and welding deformation of the existing method by coating material on the surface of the core die and removing the forming method of the core die. The precise shaping method of cryogenic radiometer dark cavity can effectively ensure the dimensional accuracy, shape and position accuracy, inner surface roughness and signal leakage of the dark cavity. On the basis of improving the shaping accuracy, the consistency and yield of products are improved.

【技术实现步骤摘要】
一种低温辐射计暗腔的精密成型方法
本专利技术涉及暗腔成型领域，特别涉及一种低温辐射计暗腔的精密成型方法。
技术介绍
低温辐射计暗腔，用于光电信号的处理，当信号传入暗腔后，通过暗腔内部斜面、处理装置、腔体内表面的涂层等，将信号反射和吸收。反射及吸收效率是暗腔性能的重要评价指标，一般要求腔体底部斜面的角度精确，底部及侧面不得有缝隙，有些产品的设计师会在腔体的侧壁上设计凹槽以达到更好的吸收效果。国内外此类产品基本都是采用薄板折弯后焊接的成型方法。现有的方法及操作过程：选要求厚度规格的材料下料，按腔体(以及底面)的展开尺寸切割坯料，按图纸形状折弯，焊接折弯接缝以及斜底面的接缝。现有的方法存在的问题主要分为以下几个方面：a、由于折弯成型的精度不高，导致折弯后的接缝宽窄不一致，影响尺寸及形状精度；b、折弯后的斜底边与斜底面难以对齐，焊接难度大；c、焊接过程中，焊渣容易留存在腔体内部，难以去除；d、薄壁焊接容易产生缝隙，微小缝隙难以发现也难以弥补，对产品性能影响却非常大；e、焊接时腔体的局部温度变化，导致腔体发生扭曲等变形；f、良品率低。针对上述问题，需要开发一种低温辐射计暗腔的精密成型方法，实现此类腔体的精密成型。
技术实现思路
本专利技术旨在解决上述问题，提供了一种低温辐射计暗腔的精密成型方法，解决了现有方法的折弯精度不高，焊接存在缺陷以及焊接变形等问题；解决了现有方法制造出的暗腔的尺寸精度、形位精度、内表面粗糙度不足以及缝隙造成信号泄露等问题；解决了现有方法制造出的暗腔良品率低的问题。一种低温辐射计暗腔的精密成型方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：精密加工芯模；步骤二：在芯模表面镀涂；步骤三：切削加工方式去除部分芯模；步骤四：化学腐蚀的方法将芯模去除干净，完成腔体的精密成型。优选的，所述步骤二和步骤三之间对镀层和芯模整体进行热处理，去除镀层的应力。优选的，所述芯模的外壁尺寸与由镀层构成的腔体的内壁尺寸一致。优选的，所述芯模的外壁的形位精度与由镀层构成的腔体的内壁的形位精度一致。优选的，所述镀层的厚度与腔体的壁厚相同。优选的，所述镀层的材料与腔体的材料相同。本专利技术具有如下优点：采用新的低温辐射计暗腔的精密成型方法，通过在芯模表面镀涂材料，然后去除芯模的成型方法，解决了现有方法的折弯精度不高，焊接存在缺陷以及焊接变形等问题。采用低温辐射计暗腔的精密成型方法，能有效保证暗腔的尺寸精度、形位精度、内表面粗糙度以及解决信号泄露等问题，在提高成型精度的基础上，提高产品的一致性及良品率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一种实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图引伸获得其它的实施附图。图1：本专利技术芯模的主视结构示意图；图2：本专利技术芯模的俯视结构示意图；图3：本专利技术镀涂后芯模和镀层的半剖结构示意图；图4：本专利技术镀涂后芯模和镀层在M处的局部放大示意图；图5：本专利技术镀涂后芯模和镀层的俯视结构示意图；图6：本专利技术腔体的半剖结构示意图；图7：本专利技术腔体在V处的局部放大示意图；图8：本专利技术腔体的俯视结构示意图；具体实施方式下面结合附图和实例对本专利技术作进一步说明：下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。如图1到图8所示，本实施例提供了一种低温辐射计暗腔的精密成型方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：精密加工芯模1；步骤二：在芯模1表面镀涂；步骤三：切削加工方式去除部分芯模1；步骤四：化学腐蚀的方法将芯模1去除干净，完成腔体2的精密成型。优选的，所述步骤二和步骤三之间对镀层3和芯模1整体进行热处理，去除镀层3的应力，将表面带有镀层3的芯模1放入热处理设备中，加热190-300℃，然后随炉冷却，以保证有效去除镀层3应力。优选的，所述芯模1的外壁尺寸与由镀层3构成的腔体2的内壁尺寸一致。优选的，所述芯模1的外壁的形位精度与由镀层3构成的腔体2的内壁的形位精度一致。优选的，所述镀层3的厚度与腔体2的壁厚相同。优选的，所述镀层3的材料与腔体2的材料相同，包括铜合金、镍等。优选的，芯模1的材料要选用化学活性较好、表面镀涂性能好的金属材料，包括各型号的钢、铜、铝合金等。具体工作原理：芯模1可选用铝合金，铝合金材料是两性金属，既可以与酸反应，也可以与碱反应。使用铝合金成型容易，精度高，适合做芯模材料。在成型的铝芯模上，电镀0.1mm左右的镀层3，机加工去除部分芯模1端，然后采用化学腐蚀的方法去除芯模1，留下镀层3。化学腐蚀采用50g/L～100g/L的NaOH溶液，保持温度在30℃～50℃之间。根据腐蚀溶液反应情况，及时更换新的腐蚀溶液，直至铝芯模彻底腐蚀干净。其中，去除芯模1后的镀层3就是所需的腔体2。本辐射计暗腔壁薄，小于0.1mm，无法采用常规机加工的方式完成，如采用焊接，对操作者和焊接设备、焊接工艺等需要很高的要求，一般操作者无法完成。采用芯模1电镀的方式可以得到优秀的仿形工艺精度。不仅可以得到符合要求精度的成型腔体2，还可以保证内外表面的结晶细致，得到光滑的表面。上面以举例方式对本专利技术进行了说明，但本专利技术不限于上述具体实施例，凡基于本专利技术所做的任何改动或变型均属于本专利技术要求保护的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低温辐射计暗腔的精密成型方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：精密加工芯模(1)；步骤二：在芯模(1)表面镀涂；步骤三：切削加工方式去除部分芯模(1)；步骤四：化学腐蚀的方法将芯模(1)去除干净，完成腔体(2)的精密成型。

【技术特征摘要】
1.一种低温辐射计暗腔的精密成型方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：精密加工芯模(1)；步骤二：在芯模(1)表面镀涂；步骤三：切削加工方式去除部分芯模(1)；步骤四：化学腐蚀的方法将芯模(1)去除干净，完成腔体(2)的精密成型。2.根据权利要求1所述的一种低温辐射计暗腔的精密成型方法，其特征在于：所述步骤二和步骤三之间对镀层(3)和芯模(1)整体进行热处理，去除镀层(3)的应力。3.根据权利要求1所述的一种低温辐射计暗腔的精密成型方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：金春玲，张林昆，闫晶晶，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十一研究所，
类型：发明
国别省市：山东,37