电子束焊接的反磁干扰装置制造方法及图纸

技术编号:19344261 阅读:22 留言:0更新日期:2018-11-07 14:40
本发明专利技术属于焊接领域,具体涉及一种一枪多束的电子束焊接的反磁干扰装置,包括检测部、屏蔽部和控制部,其可以根据电子束加工的复杂程度以及环境磁场的强度来调整屏蔽罩的结构,控制电动顶杆伸缩来使内外层硅钢片嵌套组合成单层结构或多层结构,以此实现不同的屏蔽需求,从而保证电子束加工时轨迹稳定,焊接的精度高。

Anti magnetic interference device for electron beam welding

The invention belongs to the field of welding, and specifically relates to an anti-magnetic interference device for multi-beam electron beam welding with one gun, including a detection part, a shielding part and a control part, which can adjust the structure of the shielding cover according to the complexity of the electron beam processing and the intensity of the environmental magnetic field, and control the expansion of the electric top rod to make the inner and outer silicon steel chips embedded. In order to meet different shielding requirements, a single-layer structure or multi-layer structure is assembled to ensure stable trajectory and high welding accuracy in electron beam processing.

【技术实现步骤摘要】
电子束焊接的反磁干扰装置
本专利技术属于焊接领域,特别涉及一种电子束焊接的反磁干扰装置。
技术介绍
一枪多束的电子束焊接技术是通过磁场的控制使电子束在不同的位置快速移动,由于移动的频率很高而产生多束的效果,从而对材料或结构进行处理和加工。真空电子束焊对磁场的要求极为严格,运动电荷受到环境磁场或工件磁场的干扰会发生轨迹偏转。西安航空动力股份有限公司的专利CN105228433A提供了一种磁场屏蔽方法,但是该方法只适用于单束电子束加工。
技术实现思路
本专利技术提供了用于一枪多束的电子束焊接的磁干扰屏蔽装置,其可以减小或消除环境磁场对电子束的影响,使电子束轨迹稳定,焊接精度高。其包括检测部、屏蔽罩体和控制部,控制部根据检测部获取到的环境磁场的强度和焊接加工的复杂程度控制调整屏蔽罩体的结构;检测部包括:磁场检测仪,安装于电子束焊机的外壳,用于检测环境磁场的强度;数据获取单元,其与电子束焊机的控制系统通讯连接,用于获取当前焊接加工的数控程序的行数;屏蔽罩体包括:第一内层硅钢片、第二内层硅钢片,内层硅钢片为实心结构;第一外层硅钢片、第二外层硅钢片,外层硅钢片为空心带有滑槽的结构;电动顶杆,其一端与电机相连,另一端与外层硅钢片相连;电机,安装在电子束焊机的内壁,用于驱动电动顶杆伸长或缩短;内、外层硅钢片套设在一起,共同组成圆筒状的磁屏蔽罩;当电动顶杆伸长推动第一外层硅钢片、第二外层硅钢片向内部聚合,第一、二内层硅钢片沿外层硅钢片的滑槽插合到第一、二外层硅钢片的内部,从而形成双层的圆筒状的屏蔽结构;当电动顶杆缩短拉动第一、二外层硅钢片,使得两个外层硅钢片彼此远离,从而使相邻的外层硅钢片与内层硅钢片两两嵌套成直径更大的单层的圆筒状屏蔽结构;控制部被配置为:(1)当磁场检测仪检测到环境磁场的强度大于或等于第一强度值时,控制电机驱动电动顶杆伸长,推动第一、二外层硅钢片,形成双层的圆筒状屏蔽结构以提高磁屏蔽性能;(2)当磁场检测仪检测到环境磁场强度小于第一强度值时,根据数据获取单元获取的当前焊接加工的数控程序的行数做进一步判断;(3)当所述行数大于或等于第一行数值时,表明电子束加工的路径复杂,因此需要较大的加工空间,此时控制电机驱动电动顶杆缩短,拉动第一、二外层硅钢片,形成单层的圆筒状屏蔽结构以得到更大的加工空间;当所述行数小于第一行数值时,表明电子束加工的路径简单,为保证磁屏蔽效果,控制电机驱动电动顶杆伸长,推动第一、二外层硅钢片,形成双层的圆筒状屏蔽结构。本专利技术的有益效果是:本专利技术可以根据不同的情况控制屏蔽部调整屏蔽装置的结构,使电子束轨迹稳定,焊接精度高。附图说明图1示出了屏蔽罩单层结构图;图2示出了屏蔽罩双层结构图;图3示出了电子束焊机结构图;图4示出了控制流程图。具体实施方式下面参照附图,详细描述本系统的结构以及所实现的功能。一枪多束的电子束焊接的反磁干扰装置,包括检测部、屏蔽部和控制部,控制部根据检测部获取到的环境磁场的强度和焊接加工的复杂程度控制调整屏蔽部的结构;其中,检测部包括:磁场检测仪11,安装于电子束焊机4的外壳,用于检测环境磁场的强度;数据获取单元,其与电子束焊机4的控制系统通讯连接,用于获取当前焊接加工的数控程序的行数;屏蔽部包括:罩体21,其包括:第一内层硅钢片211、第二内层硅钢片212,其内层硅钢片为实心结构;第一外层硅钢片213、第二外层硅钢片214,其外层硅钢片为空心带有滑槽的结构;内外层硅钢片两两套设在一起,共同组成圆筒状的磁屏蔽罩;其外层硅钢片分别与电动顶杆221、222相连接,通过电动顶杆22的伸出推动第一外层硅钢片213、第二外层硅钢片214向内部聚合,从而使第一、二内层硅钢片231、232沿外层硅钢片的滑槽插合到第一、二外层硅钢片233、234的内部,形成双层圆筒状屏蔽罩结构;通过电动顶杆22的缩回拉动第一、二外层硅钢片233、234,使得两个外层硅钢片分离从而拉动第一、二内层硅钢片231、232伸展,相邻的外层硅钢片与内层硅钢片两两嵌套成空间较大的单层圆筒状屏蔽罩;电动顶杆22,一端与电机23相连,另一端与罩体21相连,用于将其伸缩变为屏蔽罩的缩小或扩展;电机23,安装在电子束焊机4的内壁,用于驱动电动顶杆22;控制部被配置为:(1)当磁场检测仪11检测到环境磁场的强度大于或等于第一强度值时,此时控制电机23驱动电动顶杆22伸出,推动第一、二外层硅钢片213、214,使得第一、二内层硅钢片211、212插合到第一、二外层硅钢片213、214的内部,外层硅钢片两端闭合形成外部圆筒状屏蔽罩,内层硅钢片在外层圆筒状屏蔽罩内闭合形成内部屏蔽罩,从而形成双层的圆筒状屏蔽罩,提高了屏蔽性能;(2)当磁场检测仪11检测到环境磁场强度小于第一强度值时,此时根据数据获取单元12获取的当前焊接加工的数控程序的行数做出进一步判断;(3)当电子束焊机4的当前焊接加工的数控程序的行数大于或等于第一行数值时,表明电子束加工的路径复杂,需要较大空间进行加工,此时控制电机23驱动电动顶杆22缩回,拉动第一、二外层硅钢片213、214,使得第一、二内层硅钢片211、212伸展,内外层硅钢片嵌套成较大空间的单层圆筒状屏蔽罩;当前焊接加工的数控程序的行数小于第一行数值时,表明电子束加工的路径简单,对加工空间大小没有要求,为保证较好的屏蔽效果,此时控制电机21驱动电动顶杆22伸出,推动第一、二外层硅钢片213、214,使得第一、二内层硅钢片211、212插合到第一、二外层硅钢片213、214的内部,从而形成双层的圆筒状屏蔽罩。本领域技术人员应该认识到,不背离正如一般性地描述的本专利技术的实质和范围,可以对各个特定的实施例中示出的专利技术进行各种各样的变化和/或修改。因此,从所有方面来讲,这里的实施例应该被认为是说明性的而并非限定性的。同样,本专利技术包括任何特征的组合,尤其是专利权利要求中的任何特征的组合,即使该特征或者特征的组合并未在专利权利要求或者这里的各个实施例中被明确地说明。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于一枪多束的电子束焊接的磁干扰屏蔽装置,其特征在于,其可以检测环境磁场,并根据环境磁场的大小调整屏蔽结构,减小或消除环境磁场对电子束的影响,使电子束轨迹稳定。

【技术特征摘要】
1.一种用于一枪多束的电子束焊接的磁干扰屏蔽装置,其特征在于,其可以检测环境磁场,并根据环境磁场的大小调整屏蔽结构,减小或消除环境磁场对电子束的影响,使电子束轨迹稳定。2.一种用于一枪多束的电子束焊接的反磁干扰装置,其包括检测部、屏蔽罩体和控制部,控制部根据检测部获取到的环境磁场的强度和焊接加工的复杂程度控制调整屏蔽罩体的结构;其特征在于,检测部包括:磁场检测仪,安装于电子束焊机的外壳,用于检测环境磁场的强度;数据获取单元,其与电子束焊机的控制系统通讯连接,用于获取当前焊接加工的数控程序的行数;屏蔽罩体包括:第一内层硅钢片、第二内层硅钢片,内层硅钢片为实心结构;第一外层硅钢片、第二外层硅钢片,外层硅钢片为空心带有滑槽的结构;电动顶杆,其一端与电机相连,另一端与外层硅钢片相连;电机,安装在电子束焊机的内壁,用于驱动电动顶杆伸长或缩短;内、外层硅钢片套设在一起,共同组成圆筒状的磁屏蔽罩;当电动顶杆伸长推动第一外层硅钢片、第二外层硅钢片向内部聚合,第一、...

【专利技术属性】
技术研发人员:金俊如
申请(专利权)人:合肥艾派特知识产权运营有限公司
类型:发明
国别省市:安徽,34

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