A matching circuit for improving carrier frequency of high efficiency class E inverse F power amplifier is presented. The output terminal of the transistor consists of a parallel class E power amplifier circuit, a class F inverse high order harmonic control circuit and a transistor bias circuit. The characteristics of the circuit are as follows: the class E inverse F circuit is located between the output end of the transistor and the load impedance, and the class E work is described. The rate amplifier is composed of LC circuit and series L0 and C0; the Ln and Cn of the inverse F high order harmonic control circuit in series; the bias circuit is composed of the power supply Vbb to the transistor base and the power supply Vcc to the transistor collector; the power amplifier structure is a common emitter power amplifier, and the power amplifier is composed of a common emitter power amplifier. The input terminal is the base and the output terminal is the collector. It can improve the carrier frequency of the class E inverse F power amplifier and apply the class E inverse F power amplifier in a wider range and at higher frequencies.
【技术实现步骤摘要】
一种提高高效E逆F类功率放大器载波频率的匹配电路
本专利技术涉及无线通信功放
，尤其涉及一种提高高效E逆F类功率放大器载波频率的匹配电路。
技术介绍
现代无线移动网络的基站系统在传送信号到移动终端时需消耗大量能量，系统的效率越来越受到重视，特别是作为基站系统末端的功率放大器，传统意义上的线性功率放大器有非常低的能量传输效率。而差的传输效率将直接影响整个系统的操作成本，产生热耗散。开关类功率放大器相比于传统的线性模式功率放大器能够提供更高的效率。因此，包括E，F在内的开关类功率放大器成为了近年来功率放大器的研究热点。高效E类功率放大器是在1975年由N.O.Sokal提出的一种开关类功率放大器[1]。在晶体管导通的瞬间，E类功率放大器晶体管漏极电压以及电压的变化率都近似为0，即实现了所谓的软开关。这很好地避免了晶体管输出电容Cds放电所造成的巨大能量损耗。E类放大器以其高效率的特性很快便成为了学术界的研究焦点，特别是在近些年，有大量的E类放大器被报道出来。高效F类功率放大器的概念早在1958年就由V.J.Tyler首次提出了。Tyler被认为是提出带有多谐振F...
【技术保护点】
1.一种提高高效E逆F类功率放大器载波频率的匹配电路，其特征在于：晶体管的输出端由并联型E类功率放大器电路、逆F类高次谐波控制电路及晶体管偏置电路构成。
【技术特征摘要】
1.一种提高高效E逆F类功率放大器载波频率的匹配电路，其特征在于：晶体管的输出端由并联型E类功率放大器电路、逆F类高次谐波控制电路及晶体管偏置电路构成。2.根据权利要求1所述一种提高高效E逆F类功率放大器载波频率的匹配电路，其特征在于：所述E逆F类电路位于晶体管输出端和负载...
【专利技术属性】
技术研发人员：马建国，成千福，刘畅，朱守奎，傅海鹏，
申请(专利权)人：天津大学青岛海洋工程研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。