The invention provides a direct-plug rectifier bridge device with output protection, which belongs to the technical field of semiconductor components, including four rectifier chips, one overvoltage protection chip, two input terminals, two output terminals and plastic sealing body, and its characteristics include five jumpers and a single first frame unit and a second frame. Four frame units are in common plane. Four rectifier chips and one over-voltage protection chip are arranged on the upper and lower sides of the frame unit group to form a stacked structure, which solves the problem that the over-voltage protection chips and rectifier chips occupy a large space in flat packaging. The problem is conducive to the miniaturization development of rectifier devices, and the production efficiency is higher and the cost is lower.
【技术实现步骤摘要】
一种带输出保护的直插式整流桥器件
本专利技术涉及半导体元器件
,具体涉及一种带输出保护的直插式整流桥器件。
技术介绍
随着社会的发展,电子产品也是越来越精密,电子产品对电源的要求也越来越高。现有的交流电网在受到雷击和电力设备启停等因素时,会在电网中产生瞬间干扰,这干扰会对电子设备及电路进行损坏。在电子产品中会用到了许多使用直流电的电子元器件,所以在接入电网前需要添加交流变直流并且带有整流稳压结构的电子元器件,对其这些电子元器件进行保护。现有的瞬态抑制二极管具有极快的响应时间(纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力,能保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。一般瞬态抑制二极管安装在电源输入或输出模块,负责保护整个电路中的所有元器件,但单独焊接TVS管,不仅成本高,还要占据不小的空间,不利于电子产品微型化。针对此问题,申请号为201621041504.9的技术专利公布了一种带双向TVS输入滤波的全波整流桥,它包括四个二极管芯片、一个双向TVS管芯片、四个引线的框架;四个二极管芯片技术指标相同,且顶面均为P型,底面均为N型;双向TVS管芯片和第一二极管芯片固定设于第 ...
【技术保护点】
1.一种带输出保护的直插式整流桥器件,包括四个整流芯片(5)、一个过压保护芯片(6)、两个输入端子(7)、两个输出端子(8)及塑封体(10),其特征在于,还包括五个跳片(9)及由第一框架单元(1)、第二框架单元(2)、第三框架单元(3)、第四框架单元(4)组成的框架单元组,四个框架单元共平面,四个整流芯片(5)、一个过压保护芯片(6)分别布置在框架单元组的上下两侧形成叠层结构;所述第一框架单元(1)上表面设置有两个焊盘,第二框架单元(2)、第三框架单元(3)上表面分别设置有一个焊盘,四个整流芯片(5)的负极分别对应设置在四个焊盘上;第一框架单元(1)上的一个整流芯片(5)的 ...
【技术特征摘要】
1.一种带输出保护的直插式整流桥器件,包括四个整流芯片(5)、一个过压保护芯片(6)、两个输入端子(7)、两个输出端子(8)及塑封体(10),其特征在于,还包括五个跳片(9)及由第一框架单元(1)、第二框架单元(2)、第三框架单元(3)、第四框架单元(4)组成的框架单元组,四个框架单元共平面,四个整流芯片(5)、一个过压保护芯片(6)分别布置在框架单元组的上下两侧形成叠层结构;所述第一框架单元(1)上表面设置有两个焊盘,第二框架单元(2)、第三框架单元(3)上表面分别设置有一个焊盘,四个整流芯片(5)的负极分别对应设置在四个焊盘上;第一框架单元(1)上的一个整流芯片(5)的正极通过跳片(9)与第二框架单元(2)相连,第一框架单元(1)上的另一个整流芯片(5)的正极通过跳片(9)与第三框架单元(3)相连,第二框架单元(2)、第三框架单元(3)上的整流芯片(5)的正极分别通过跳片(9)与第四框架单元(4)相连;所述过压保护芯片(6)设置在第一框架单元(1)或第四框架单元(4)的下表面,过压保护芯片(6)的两极分别连接第一框架单元(1)、第四框架单元(4);两个输入端子(7)分别从第二框架单元(2)、第三框架单元(3)引出,两个输出端子(8)分别从第一框架单元(1)、第...
【专利技术属性】
技术研发人员:孔凡伟,段花山,朱坤恒,
申请(专利权)人:山东晶导微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:山东,37
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