The invention discloses a semiconductor chip repairing method and a semiconductor chip repairing device. Semiconductor chip repair method includes: providing a light emitting diode module, which includes a circuit board and a plurality of light emitting units, at least one of which is a damaged light emitting unit; then, using a laser light source generated by a laser generating module, the damaged light emitting unit is projected to the damaged light emitting unit. In order to reduce the bonding force between the damaged light emitting unit and the circuit board, a chip take-and-place module is used to remove the damaged light emitting unit from the circuit board and form a vacancy; next, a good light emitting unit is placed in the vacancy by the chip take-and-place module; next, a good light emitting unit is electrically charged. Connected to the circuit substrate. In this way, the damaged light-emitting unit can be replaced by a good light-emitting unit to achieve the effect of repairing.
【技术实现步骤摘要】
半导体芯片修补方法以及半导体芯片修补装置
本专利技术涉及一种芯片修补方法以及芯片修补装置,特别是涉及一种半导体芯片修补方法以及半导体芯片修补装置。
技术介绍
目前,发光二极管(Light-EmittingDiode,LED)因具备光质佳以及发光效率高等特性而得到广泛的应用。一般来说,为了使采用发光二极管作为发光组件的显示设备具有较佳的色彩表现能力,现有技术是利用红、绿、蓝三种颜色的发光二极管芯片的相互搭配而组成一全彩发光二极管显示设备,此全彩发光二极管显示设备可通过红、绿、蓝三种颜色的发光二极管芯片分别发出的红、绿、蓝三种的颜色光,然后再通过混光后形成一全彩色光,以进行相关信息的显示。然而,在现有技术中,当固定在电路基板上的发光二极管芯片损坏后,损坏的发光二极管芯片就不能再进行修补。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于,针对现有技术的不足提供一种半导体芯片修补方法以及半导体芯片修补装置。为了解决上述的技术问题,本专利技术所采用的其中一技术方案是,提供一种半导体芯片修补方法,其包括:首先,提供一发光二极管模块,所述发光二极管模块包括一电路基板以及一设置在所述电路基板上且电性连接于所述电路基板的发光群组,其中,所述发光群组包括多个发光单元,每一个发光单元包括一发光二极管芯片以及一设置在所述发光二极管芯片的底端与所述电路基板之间的导电物质,且多个发光单元之中的至少一个发光单元为一损坏的发光单元;接着,利用一激光产生模块所产生的一激光光源投向该损坏的发光单元,以降低该损坏的发光单元与所述电路基板之间的结合力;然后,利用一芯片取放模块将该损坏的发光单元从所述 ...
【技术保护点】
1.一种半导体芯片修补方法,其特征在于,所述半导体芯片修补方法包括:提供一发光二极管模块,所述发光二极管模块包括一电路基板以及一设置在所述电路基板上且电性连接于所述电路基板的发光群组,其中,所述发光群组包括多个发光单元,每一个所述发光单元包括一发光二极管芯片以及一设置在所述发光二极管芯片的底端与所述电路基板之间的导电物质,且多个所述发光单元之中的至少一个发光单元为一损坏的发光单元;利用一激光产生模块所产生的一激光光源投向所述损坏的发光单元,以降低所述损坏的发光单元与所述电路基板之间的结合力;利用一芯片取放模块将所述损坏的发光单元从所述电路基板上取下,以使得所述发光群组形成一空缺;利用所述芯片取放模块将一良好的发光单元置入所述发光群组的所述空缺内,其中,所述良好的发光单元包括一良好的发光二极管芯片以及一设置在所述良好的发光二极管芯片的底端的新的导电物质;以及利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元,以使得所述良好的发光单元固定在所述电路基板上且电性连接于所述电路基板。
【技术特征摘要】
2017.04.21 TW 1061134671.一种半导体芯片修补方法,其特征在于,所述半导体芯片修补方法包括:提供一发光二极管模块,所述发光二极管模块包括一电路基板以及一设置在所述电路基板上且电性连接于所述电路基板的发光群组,其中,所述发光群组包括多个发光单元,每一个所述发光单元包括一发光二极管芯片以及一设置在所述发光二极管芯片的底端与所述电路基板之间的导电物质,且多个所述发光单元之中的至少一个发光单元为一损坏的发光单元;利用一激光产生模块所产生的一激光光源投向所述损坏的发光单元,以降低所述损坏的发光单元与所述电路基板之间的结合力;利用一芯片取放模块将所述损坏的发光单元从所述电路基板上取下,以使得所述发光群组形成一空缺;利用所述芯片取放模块将一良好的发光单元置入所述发光群组的所述空缺内,其中,所述良好的发光单元包括一良好的发光二极管芯片以及一设置在所述良好的发光二极管芯片的底端的新的导电物质;以及利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元,以使得所述良好的发光单元固定在所述电路基板上且电性连接于所述电路基板。2.根据权利要求1所述的半导体芯片修补方法,其特征在于,在利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述损坏的发光单元的步骤中,还进一步包括:利用一位置侦测模块以侦测所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的一接触接口的位置;以及利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向位于所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的所述接触接口,以降低所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的结合力;其中,所述位置侦测模块至少包括一用于接收一侦测波的接收组件;其中,所述发光二极管芯片为一氮化镓发光二极管芯片,所述导电物质为一各向异性导电膜,且所述新的导电物质为一各向异性导电胶。3.根据权利要求1所述的半导体芯片修补方法,其特征在于,在利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元的步骤中,还进一步包括:利用一位置侦测模块以侦测所述良好的发光单元的所述新的导电物质的位置;以及利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述良好的发光单元的所述新的导电物质,以固化所述新的导电物质;其中,所述位置侦测模块至少包括一用于接收一侦测波的接收组件;其中,所述发光二极管芯片为一氮化镓发光二极管芯片,所述导电物质为一各向异性导电膜,且所述新的导电物质为一各向异性导电胶。4.一种半导体芯片修补方法,其特征在于,所述半导体芯片修补方法包括:提供一发光二极管模块,所述发光二极管模块包括一电路基板以及多个设置在所述电路基板上且电性连接于所述电路基板的发光单元,其中,多个所述发光单元之中的至少一个发光单元为一损坏的发光单元;利用一激光产生模块所产生的一激光光源投向所述损坏的发光单元,以降低所述损坏的发光单元与所述电路基板之间的结合力;利用一芯片取放模块将所述损坏的发光单元从所述电路基板上取下而形成一空缺;利用所述芯片取放模块将一良好的发光单元置入所述空缺内;以及将所述良好的发光单元电性连接于所述电路基板。5.根据权利要求4所述的半导体芯片修补方法,其特征在于,在利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向所述损坏的发光单元的步骤中,还进一步包括:利用一位置侦测模块以侦测所述电路基板与所述损坏的发光单元的一导电物质之间的一接触接口的位置;以及利用所述激光产生模块所产生的所述激光光源投向位于所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:廖建硕,
申请(专利权)人:台湾爱司帝科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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