摄像装置和电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种摄像装置和电子设备。其中，摄像装置可包括：基板；第一光电转换区，其设置在所述基板中；第二光电转换区，其设置在所述基板中；凹槽，其设置在所述第一光电转换区和所述第二光电转换区之间；第一氧化硅膜，其延伸进入所述凹槽并且接触所述基板；氧化铪膜，其延伸进入所述凹槽，并且在所述凹槽中位于所述第一氧化硅膜的内侧；氧化钽膜，其延伸进入所述凹槽，并且在所述凹槽中位于所述氧化铪膜的内侧；以及第二氧化硅膜，其延伸进入所述凹槽，并且在所述凹槽中位于所述氧化钽膜的内侧。

Camera device and electronic equipment

The invention provides an imaging device and an electronic device. The photographic apparatus may include: a substrate; a first photoelectric conversion region disposed in the substrate; a second photoelectric conversion region disposed in the substrate; a groove disposed between the first photoelectric conversion region and the second photoelectric conversion region; a first silicon oxide film extending into the groove and contacting the groove. The substrate; the hafnium oxide film, which extends into the groove and is located in the inner side of the first silicon oxide film in the groove; the tantalum oxide film, which extends into the groove and is located in the inner side of the hafnium oxide film in the groove; and the second silicon oxide film, which extends into the groove, and The groove is located on the inner side of the tantalum oxide film.

【技术实现步骤摘要】
摄像装置和电子设备本申请是申请日为2014年9月19日、专利技术名称为“图像拾取元件、制造图像拾取元件的方法以及电子设备”的申请号为201410481987.3的专利申请的分案申请。
本公开涉及摄像装置以及包括这种摄像装置的电子设备。
技术介绍
在固态图像拾取装置(图像拾取装置)，例如电荷耦合装置(CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器中，为每个像素设置包括光电转换部的固态图像拾取元件(图像拾取元件)。图像拾取元件的光电转换部例如由诸如硅(Si)的半导体材料构成。在光电转换部的表面上，由于晶体结构的破坏存在晶体缺陷和悬空键。由于光电转换部中产生的电子-空穴对复合，晶体缺陷和悬空键导致消光(extinction)，或者导致暗电流的产生。例如，国际公开No.WO2012/117931讨论了一种背照式固态图像拾取装置。在该固态图像拾取装置中，为了抑制暗电流的产生，在硅基板的光接收表面(后表面)上形成具有负固定电荷的绝缘膜(固定电荷膜(fixedchargefilm))。在硅基板中，光敏二极管埋设为光电转换部。在形成固定电荷膜的硅表面上，形成反型层。由该反型层钉扎硅界本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种摄像装置，包括：基板；第一光电转换区，其设置在所述基板中；第二光电转换区，其设置在所述基板中；凹槽，其设置所述第一光电转换区和所述第二光电转换区之间；第一氧化硅膜，其延伸进入所述凹槽并且接触所述基板；氧化铪膜，其延伸进入所述凹槽，并且在所述凹槽中位于所述第一氧化硅膜的内侧；氧化钽膜，其延伸进入所述凹槽，并且在所述凹槽中位于所述氧化铪膜的内侧；以及第二氧化硅膜，其延伸进入所述凹槽，并且在所述凹槽中位于所述氧化钽膜的内侧。

【技术特征摘要】
2013.09.27 JP 2013-2021231.一种摄像装置，包括：基板；第一光电转换区，其设置在所述基板中；第二光电转换区，其设置在所述基板中；凹槽，其设置所述第一光电转换区和所述第二光电转换区之间；第一氧化硅膜，其延伸进入所述凹槽并且接触所述基板；氧化铪膜，其延伸进入所述凹槽，并且在所述凹槽中位于所述第一氧化硅膜的内侧；氧化钽膜，其延伸进入所述凹槽，并且在所述凹槽中位于所述氧化铪膜的内侧；以及第二氧化硅膜，其延伸进入所述凹槽，并且在所述凹槽中位于所述氧化钽膜的内侧。2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述第一氧化硅膜还延伸至所述第一光电转换区上方并且接触所述基板。3.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述氧化铪膜还延伸至所述第一光电转换区上方并且接触所述第一氧化硅膜。4.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述氧化钽膜还延伸至所述第一光电转换区上方且接触所述氧化铪膜。5.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述第二氧化硅膜还延伸至所述第一光电转换区上方且接触所述氧化钽膜。6.根据权利要求5所述的摄像装置，其中，在所述第一光电转换区上方的所述第二氧化硅膜的厚度大于所述凹槽中的所述第二氧化硅膜的厚度。7.根据权利要求1所述的摄像装置，还包括位于所述第二氧化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：万田周治，桧山晋，志贺康幸，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP