一种改进的TO-220D7引线框制造技术

本结构公开一种改进的TO‑220D7引线框，包括由连接筋依次串接的框架单元，每个的框架单元包括基体和引脚区，基体包括散热片区和第一载片区，引脚区有7个引脚，第一引脚顶部设第二载片区，第三引脚顶部设第三载片区；第七引脚顶部设连接片，引脚区通过连接片与基体连接，连接片为S型结构，其余引脚顶部设有焊接区，散热片区两侧分别具有一组弧形凹槽，弧形凹槽侧面具有锥形盲孔；基体在厚度方向上具有倒流斜面，且倒流斜面的夹角为45~60°。本结构能够同时安装三个芯片，定位孔独特设计，提高加工定位效果，防水结构等的设计使其防水效果好、产品性能好，具有较高的市场竞争力。

【技术实现步骤摘要】
一种改进的TO-220D7引线框
本技术属于半导体封装
，具体涉及一种改进的TO-220D7引线框。
技术介绍
引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。市场上现有的引线框架多为单基岛引线框架，只能安装1个芯片，结构单一，不能满足市场的需求，而且，现有的引线框架的结构常常会存在塑封效果不好、绝缘效果差以及防水效果差等问题，且在加工时较难脱模，导致产品品质不良。
技术实现思路
专利技术目的：本技术目的在于针对现有技术的不足，提供一种防水效果好、便于塑封加工的能满足市场需求的改进的TO-220D7引线框。技术方案：本技术所述一种改进的TO-220D7引线框，包括由连接筋依次串接的若干个框架单元，每个所述的框架单元包括基体和引脚区，基体包括散热片区和第一载片区，所述第一载片区设有第一基岛，所述引脚区具有7个引脚，由左至右依次为第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚、第六引脚和第七引脚，所述第一引脚顶部设有第二载片区，所述第二载片区设有第二基岛，第三引脚顶部设有第三载片区，所述第三载片区设有第三基岛；第七引脚顶部设有连接片，所述引脚区通过所述连接片与基体连接，所述连接片为S型结构，将基体和引脚区连接后处于不同的平面上，其余引脚顶部设有焊接区，所述散热片区两侧分别具有一组弧形凹槽，所述弧形凹槽侧面具有锥形盲孔；所述基体在厚度方向上具有倒流斜面，且倒流斜面的夹角为45~60°。进一步地，为便于安装，所述第一载片区的面积大于第三载片区的面积，第三载片区的面积大于第二载片区的面积，且第一载片区、第二载片区以及第三载片区上均设有芯片安装槽。进一步地，为提高防水效果，所述第一载片区和第三载片区的芯片安装槽周围设有第一防水结构，所述第一防水结构包括芯片安装槽四周的防水环槽以及防水环槽至载片区边缘的斜坡台，所述防水环槽与芯片安装槽之间设有导水过渡段，所述导水过渡段由内侧向外侧的厚度逐渐减小。进一步地，为提高防水效果，所述第三载片区的芯片安装槽周围设有第二防水结构，所述第二防水结构包括位于载片区两侧的斜坡台和斜坡台上的一组导流槽。进一步地，为提高缓冲效果，避免在生产过程中因震荡对框架折损，导致不良件，所述散热片区与第一载片区的连接处设有缓冲凹槽，且所述缓冲凹槽的截面为V型，V型截面的夹角为60°。进一步地，所述第一载片区、第二载片区以及第三载片区上设有方形镀银区，且方形镀银区的面积与载片区的面积比为1：25~1：40。进一步地，所述第二、四、六引脚的下半部设置收缩区，所述收缩区的高度为引脚高度的0.1~0.15倍，宽度为引脚总宽的0.4~0.6倍；所述第一、三、五、七引脚的底端设有引脚嘴。进一步地，为提高定位效果，所述连接筋上各框架单元之间设有第二定位孔，所述第二定位孔为椭圆形阶梯孔。进一步地，所述焊接区上具有镀银层，且具有深度为0.03mm的压印。有益效果：（1）本结构中对TO-220D7引线框架进行改造，通过设置三个载片区，克服现有引线框仅能安装单一芯片的问题，满足了市场的多样化需求；通过在三个载片区设置不同的防水结构提高了引线框架的防水性能；通过设计改变定位孔的形状，提高了框架在塑封等加工过程中的定位效果，避免在加工过程中出现歪头的问题，导致不良件；通过设计连接件的结构，使基体与引脚区不在同一平面上，便于塑封加工。附图说明图1为技术的整体结构示意图；图2为本技术的侧视图；其中：1、连接筋，11、第二定位孔，2、基体，21、散热片区，211、弧形凹槽，22、第一载片区，23、3、引脚区，31、第一引脚，311、第二载片区，32、第三引脚，321、第三载片区，33、第七引脚，34、收缩区，35、引脚嘴，4、缓冲凹槽，5、连接片，6、焊接区，7、倒流斜面，8、第一防水结构，81、防水环槽，82、第一防水结构斜坡台，83、导水过渡段，9、第二防水结构，91、第二防水结构斜坡台，92、导流槽。具体实施方式下面通过附图对本技术技术方案进行详细说明，但是本技术的保护范围不局限于所述实施例。实施例1：一种改进的TO-220D7引线框，包括由连接筋1依次串接的若干个框架单元，每个所述的框架单元包括基体2和引脚区3，基体2包括散热片区21和第一载片区22，散热片区21与第一载片区22的连接处设有缓冲凹槽4，且所述缓冲凹槽4的截面为V型，V型截面的夹角为60°，所述第一载片区22设有第一基岛，所述引脚区3具有7个引脚，由左至右依次为第一引脚31、第二引脚、第三引脚32、第四引脚、第五引脚、第六引脚和第七引脚33，所述第一引脚31顶部设有第二载片区311，所述第二载片区311设有第二基岛，第三引脚32顶部设有第三载片区321，所述第三载片区321设有第三基岛；第七引脚33顶部设有连接片5，所述引脚区3通过所述连接片5与基体2连接，所述连接片5为S型结构，将基体2和引脚区3连接后处于不同的平面上，其余引脚顶部设有焊接区6，焊接区6上具有镀银层，且具有深度为0.03mm的压印，所述散热片区21两侧分别具有一组弧形凹槽211，所述弧形凹槽侧面211具有锥形盲孔；所述基体2在厚度方向上具有倒流斜面7，且倒流斜面7的夹角为60°；第一载片区22的面积大于第三载片区321的面积，第三载片区321的面积大于第二载片区311的面积，且第一载片区22、第二载片区311以及第三载片区321上均设有芯片安装槽，第一载片区22和第三载片321区的芯片安装槽周围设有第一防水结构8，所述第一防水结构8包括芯片安装槽四周的防水环槽81以及防水环槽81至载片区边缘的斜坡台82，所述防水环槽81与芯片安装槽之间设有导水过渡段83，所述导水过渡段83由内侧向外侧的厚度逐渐减小；第三载片区321的芯片安装槽周围设有第二防水结构9，所述第二防水结构9包括位于载片区两侧的斜坡台和斜坡台91上的一组导流槽92；第一载片区22、第二载片区311以及第三载片区321上设有方形镀银区，且方形镀银区的面积与载片区的面积比为1：26；第二、四、六引脚的下半部设置收缩区34，所述收缩区34的高度为引脚高度的0.15倍，宽度为引脚总宽的0.5倍；所述第一、三、五、七引脚的底端设有引脚嘴35；连接筋1上各框架单元之间设有第二定位孔11，所述第二定位孔11为椭圆形阶梯孔。本结构能够同时安装三个芯片，定位孔独特设计，提高加工定位效果，防水结构等的设计使其防水效果好、产品性能好，具有较高的市场竞争力。如上所述，尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本技术，但其不得解释为对本技术自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本技术的精神和范围前提下，可对其在形式上和细节上作出各种变化。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改进的TO‑220D7引线框，包括由连接筋依次串接的若干个框架单元，每个所述的框架单元包括基体和引脚区，基体包括散热片区和第一载片区，所述第一载片区设有第一基岛，所述引脚区具有7个引脚，由左至右依次为第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚、第六引脚和第七引脚，其特征在于：所述第一引脚顶部设有第二载片区，所述第二载片区设有第二基岛，第三引脚顶部设有第三载片区，所述第三载片区设有第三基岛；第七引脚顶部设有连接片，所述引脚区通过所述连接片与基体连接，所述连接片为S型结构，将基体和引脚区连接后处于不同的平面上，其余引脚顶部设有焊接区，所述散热片区两侧分别具有一组弧形凹槽，所述弧形凹槽侧面具有锥形盲孔；所述基体在厚度方向上具有倒流斜面，且倒流斜面的夹角为45~60°；所述第一载片区的面积大于第三载片区的面积，第三载片区的面积大于第二载片区的面积，且第一载片区、第二载片区以及第三载片区上均设有芯片安装槽；所述第一载片区和第三载片区的芯片安装槽周围设有第一防水结构，所述第一防水结构包括芯片安装槽四周的防水环槽以及防水环槽至载片区边缘的斜坡台，所述防水环槽与芯片安装槽之间设有导水过渡段，所述导水过渡段由内侧向外侧的厚度逐渐减小；所述第三载片区的芯片安装槽周围设有第二防水结构，所述第二防水结构包括位于载片区两侧的斜坡台和斜坡台上的一组导流槽。...

【技术特征摘要】
1.一种改进的TO-220D7引线框，包括由连接筋依次串接的若干个框架单元，每个所述的框架单元包括基体和引脚区，基体包括散热片区和第一载片区，所述第一载片区设有第一基岛，所述引脚区具有7个引脚，由左至右依次为第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚、第六引脚和第七引脚，其特征在于：所述第一引脚顶部设有第二载片区，所述第二载片区设有第二基岛，第三引脚顶部设有第三载片区，所述第三载片区设有第三基岛；第七引脚顶部设有连接片，所述引脚区通过所述连接片与基体连接，所述连接片为S型结构，将基体和引脚区连接后处于不同的平面上，其余引脚顶部设有焊接区，所述散热片区两侧分别具有一组弧形凹槽，所述弧形凹槽侧面具有锥形盲孔；所述基体在厚度方向上具有倒流斜面，且倒流斜面的夹角为45~60°；所述第一载片区的面积大于第三载片区的面积，第三载片区的面积大于第二载片区的面积，且第一载片区、第二载片区以及第三载片区上均设有芯片安装槽；所述第一载片区和第三载片区的芯片安装槽周围设有第一防水结构，所述第一防水结构包括芯片安装槽四周的防水环槽以及防水环槽至载片区边缘的斜坡台，所述防水环槽与芯片安装槽之间设有导水...

【专利技术属性】
技术研发人员：张轩，
申请(专利权)人：泰州友润电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32