多元素同时型荧光X射线分析装置和多元素同时荧光X射线分析方法制造方法及图纸

本发明专利技术的多元素同时型荧光X射线分析装置包括：装载试样(1)的试样台(2)；试样(1)的运送臂(22)；使试样台(2)移动的工作台(11)；照射一次X射线(7)的X射线源(8)，其中，在试样台(2)上形成用于让运送臂(22)沿竖直方向通过的缺口部(2e)，本底补偿机构(21)针对空白晶圆(1b)上的各测定点(Pn)，将下述强度作为测定点(Pn)的本底强度而预先存储，该强度指，从测定点(Pn)的测定强度中扣除位于缺口部(2e)上的基准测定点(P0)的测定强度后的强度，针对分析对象试样(1a)的各测定点(Pn)，从测定点(Pn)的测定强度中扣除测定点(Pn)的本底强度以进行补偿。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多元素同时型荧光X射线分析装置和多元素同时荧光X射线分析方法相关申请本申请要求申请日为2016年3月8日、申请号为JP特愿2016－044179申请的优先权，通过参照其整体，将其作为构成本申请的一部分的内容而进行引用。
本专利技术涉及对作为半导体晶圆的试样的本底进行补偿的多元素同时型荧光X射线分析装置和多元素同时荧光X射线分析方法。
技术介绍
在过去，对应于分析目的，具有各种的荧光X射线分析装置，比如，像在专利文献1中记载的那样，具有下述的多元素同时型荧光X射线分析装置，该多元素同时型荧光X射线分析装置包括对试样照射一次X射线的X射线源，并且针对应测定的每个波长而设置固定测角器，该固定测角器包括分光元件和检测器，测定由试样而产生的荧光X射线的强度。另外，包括下述的荧光X射线分析装置(专利文献2)，该荧光X射线分析装置按照运送作为试样的半导体晶圆的机械手(运送臂)可上下移动的方式设置形成基本呈矩形状的缺口部的试样台。在通过测角器而使分光元件和检测器联动的扫描型荧光X射线分析装置中，可在应测定的荧光X射线的波长的前后测定本底强度，推算荧光X射线的波长的本底强度，从荧光X射线的测定强度中扣除该本底强度进行补偿。但是，在于专利文献1中记载的多元素同时型荧光X射线分析装置中，如果增加设置固定测角器以测定本底强度，则装置的结构复杂，成本上升。由此，在多元素同时型荧光X射线分析装置中，人们希望不增加设置本底用固定测角器，而对本底进行补偿。另外，近年，伴随半导体晶圆的大型化，半导体晶圆的厚度变薄，并且形成于半导体晶圆上的薄膜的膜厚也变薄(比如数nm)。如果通过荧光X射线分析装置而测定形成有这样的极薄的膜的半导体晶圆，则从极薄的膜而产生的荧光X射线强度弱，为了获得充分的测定强度，必须要求对荧光X射线强度长时间地进行积分处理，对其进行测定。如果长时间地进行积分处理以进行测定，则本底的测定强度也大，如果无法补偿该大的本底，则无法进行高精度的分析。如果关于这样的本底补偿，采用具有形成有缺口部的试样台的多元素同时型荧光X射线分析装置，测定形成有极薄的膜的半导体晶圆，则在试样台中，与位于缺口部上的试样的测定点的本底强度相比较，位于缺口部以外部位之上的试样的测定点的本底强度大，如果像这样，无法正确地补偿伴随测定点的位置强度不同的本底，则注意到无法进行高精度的分析。现有技术文献专利文献1：JP特开2007－155651号公报专利文献2：JP特开2000－74859号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术是针对上述过去的问题而提出的，本专利技术提供一种多元素同时型荧光X射线分析装置和多元素同时型荧光X射线分析方法，其中，即使在于试样台上形成缺口部的情况下，仍不增加设置本底用固定测角器，可正确地补偿本底，高精度地分析半导体晶圆。用于解决课题的技术方案为了实现上述目的，本专利技术的多元素同时型荧光X射线分析装置包括：试样台，在该试样台上装载作为半导体晶圆的试样；运送臂，该运送臂相对该试样台进行试样的装载和撤除；工作台，该工作台使试样台移动；X射线源，该X射线源对试样照射一次X射线；并且针对每个应测定的波长而设置固定测角器(goniometer：ゴニオメ—タ)，该固定测角器包括分光元件和检测器，测定由试样而产生的荧光X射线的强度；还包括控制机构，该控制机构控制上述运送臂、上述工作台、上述X射线源和上述固定测角器，针对试样表面的多个测定点来测定荧光X射线的强度，求出试样的测定强度的分布，在上述试样台上形成用于让上述运送臂沿竖直方向而通过的缺口部。在本专利技术的多元素同时型荧光X射线分析装置中，上述控制机构包括本底补偿机构，该本底补偿机构针对空白晶圆上的各测定点，将下述强度作为该测定点的本底强度而预先存储，该强度指从该测定点的测定强度中扣除位于上述缺口部上的基准测定点的测定强度后的强度，针对分析对象试样的各测定点，从该测定点的测定强度中扣除该测定点的上述本底强度以进行补偿。按照本专利技术的荧光X射线分析装置，由于针对空白晶圆的各测定点，将下述强度作为该测定点的本底强度，该强度指从该测定点的测定强度中扣除位于上述缺口部上的基准测定点的测定强度后的强度，针对分析对象试样的各测定点，从该测定点的测定强度中扣除该测定点的上述本底强度以进行补偿，故即使在于试样台上形成缺口部的情况下，仍不增加设置本底用固定测角器，而可正确地对本底进行补偿，高精度地分析半导体晶圆。本专利技术的荧光X射线分析方法采用多元素同时型荧光X射线分析装置，该多元素同时型荧光X射线分析装置包括：试样台，在该试样台上装载作为半导体晶圆的试样；运送臂，该运送臂相对该试样台，进行试样的装载和撤除；工作台，该工作台使试样台移动；X射线源，该X射线源对试样照射一次X射线，并且针对每个应测定的波长而设置固定测角器，该固定测角器包括分光元件和检测器，测定由试样而产生的荧光X射线的强度，还包括控制机构，该控制机构控制上述运送臂、上述工作台、上述X射线源和上述固定测角器，针对试样表面的多个测定点测定荧光X射线的强度，求出试样的测定强度的分布，其中，在上述试样台上形成用于让上述运送臂沿竖直方向而通过的缺口部。另外，针对空白晶圆上的各测定点，将下述强度作为该测定点的本底强度而求出，该强度指，从该测定点的测定强度中扣除位于上述缺口部上的基准测定点的测定强度后的强度，针对分析对象试样的各测定点，从该测定点的测定强度中扣除该测定点的上述本底强度以进行补偿。按照本专利技术的荧光X射线分析方法，由于针对空白晶圆的各测定点，将下述强度作为该测定点的本底强度，该强度指从该测定点的测定强度中扣除位于上述缺口部上的基准测定点的测定强度后的强度，针对分析对象试样的各测定点，从该测定点的测定强度中扣除该测定点的上述本底强度以进行补偿，故即使在于所采用的多元素同时型荧光X射线分析装置的试样台上形成缺口部的情况下，仍不增加设置本底用固定测角器，而可正确地对本底进行补偿，高精度地分析半导体晶圆。权利要求书和/或说明书和/或附图中公开的至少2个方案中的任意的组合均包含在本专利技术中。特别是，权利要求书中的各项权利要求的2个以上的任意的组合也包含在本专利技术中。附图说明根据参照附图的下面的优选的实施形式的说明，会更清楚地理解本专利技术。但是，实施形式和附图用于单纯的图示和说明，不应用于限制本专利技术的范围。本专利技术的范围由权利要求书确定。在附图中，多个附图中的同一部件标号表示同一部分。图1为本专利技术的第1实施方式的多元素同时型荧光X射线分析装置的外观结构图；图2为表示该装置所具有的试样台的俯视图；图3为表示试样的测定点的图；图4为表示试样台的非缺口部的散射射线的发生的概念图。具体实施方式下面参照附图，对本专利技术的第1实施方式的多元素同时型荧光X射线分析装置进行说明。像图1所示的那样，该多元素同时型荧光X射线分析装置包括：试样台2，在该试样台2上装载作为半导体晶圆的试样1；运送臂22(图2)，该运送臂22相对该试样台2，进行试样1的装载和撤除；工作台11，该工作台11通过试样台2而运动；X射线源8，该X射线源8对试样1照射一次X射线7，并且上述多元素同时型荧光X射线分析装置针对每个应测定的波长而设置固定测角器10，该固定测角器10具有分光元件25和检测器26，测定由试样1而产本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多元素同时型荧光X射线分析装置，该多元素同时型荧光X射线分析装置包括：试样台，在该试样台上装载作为半导体晶圆的试样；运送臂，该运送臂相对该试样台进行试样的装载和撤除；工作台，该工作台使试样台移动；X射线源，该X射线源对试样照射一次X射线；并且针对每个应测定的波长而设置固定测角器，该固定测角器包括分光元件和检测器，测定由试样而产生的荧光X射线的强度，还包括控制机构，该控制机构控制上述运送臂、上述工作台、上述X射线源和上述固定测角器，针对试样表面的多个测定点来测定荧光X射线的强度，求出试样的测定强度的分布；其中，在上述试样台上，形成用于让上述运送臂沿竖直方向而通过的缺口部，上述控制机构包括本底补偿机构；该本底补偿机构针对空白晶圆上的各测定点，将下述强度作为该测定点的本底强度而预先存储，该强度指从该测定点的测定强度中扣除位于上述缺口部上的基准测定点的测定强度后的强度；针对分析对象试样的各测定点，从该测定点的测定强度中扣除该测定点的上述本底强度以进行补偿。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.08 JP 2016-0441791.一种多元素同时型荧光X射线分析装置，该多元素同时型荧光X射线分析装置包括：试样台，在该试样台上装载作为半导体晶圆的试样；运送臂，该运送臂相对该试样台进行试样的装载和撤除；工作台，该工作台使试样台移动；X射线源，该X射线源对试样照射一次X射线；并且针对每个应测定的波长而设置固定测角器，该固定测角器包括分光元件和检测器，测定由试样而产生的荧光X射线的强度，还包括控制机构，该控制机构控制上述运送臂、上述工作台、上述X射线源和上述固定测角器，针对试样表面的多个测定点来测定荧光X射线的强度，求出试样的测定强度的分布；其中，在上述试样台上，形成用于让上述运送臂沿竖直方向而通过的缺口部，上述控制机构包括本底补偿机构；该本底补偿机构针对空白晶圆上的各测定点，将下述强度作为该测定点的本底强度而预先存储，该强度指从该测定点的测定强度中扣除位于上述缺口部上的基准测定点的测定强度后的强度；针对分析对象试样的各测定点，从该测定点的测定...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤村圣史，青木悠，
申请(专利权)人：株式会社理学，
类型：发明
国别省市：日本,JP