The invention relates to a dielectric loss sensor structure and a capacitance high voltage apparatus detection mechanism. The dielectric loss partial discharge sensor structure includes a base structure, a shell structure connected to the base structure, a dielectric loss sensing module, a high frequency partial discharge sensing module, an ultra-high frequency partial discharge sensing module, and a conductor rod penetrating the shell structure independently of each other, and the conductor rod penetrating the shell structure. The dielectric loss sensing module, the high frequency PD sensor module and the UHF PD sensor module are passed. The technical scheme of the invention can install and test the test equipment without power failure, and can also ensure the reliability of the equipment.
【技术实现步骤摘要】
介损局放传感器结构及容性高压电器设备检测机构
本专利技术涉及供电设备试验检测
,特别涉及一种介损局放传感器结构及容性高压电器设备检测机构。
技术介绍
为了对运行的容性高压电器设备进行不停电检验测试,以同相比较法为原理的电容型容性高压电器设备介损带电测试技术、以及高频法容性高压电器设备带电局部放电检测技术在电网试点推广并取得一定成效。但是,这些测试技术未能实现大面积推广,其原因在于利用上述设备进行带电测试时,需要接入介损测试仪、局放检测仪或超高频局放检测仪等检测设备,但是在安装这些检测设备时需要停电操作,从而给安装带来了不便,而且还会带来一定的经济损失。此外,在已有的设备上进行端子箱安装或传感器接入会影响设备可靠性,会产生潜在安全隐患。
技术实现思路
基于此,为解决上述问题,本专利技术提出一种介损局放传感器结构及容性高压电器设备检测机构,可在不停电的前提下进行测试设备的安装和进行检测,还可保证设备的可靠性。其技术方案如下:一种介损局放传感器结构,包括底座结构,连接于所述底座结构上的壳体结构,相互独立地设于所述壳体结构中的介损传感模块、高频局放传感模块、特高频局放传感模块,以及穿设于所述壳体结构上的导体杆,且所述导体杆穿过所述介损传感模块、所述高频局放传感模块、所述特高频局放传感模块;所述壳体结构包括设于所述底座结构上的金属外壳,以及形成于所述金属外壳中的封闭腔体;所述介损传感模块包括设于所述封闭腔体中的介损传感器主体,以及与所述介损传感器主体连接、并突出于所述金属外壳外的介损传感器接头;所述高频局放传感模块包括设于所述封闭腔体中的高频局放传感器主体,以及与 ...
【技术保护点】
1.一种介损局放传感器结构,其特征在于,包括底座结构,连接于所述底座结构上的壳体结构,相互独立地设于所述壳体结构中的介损传感模块、高频局放传感模块、特高频局放传感模块,以及穿设于所述壳体结构上的导体杆,且所述导体杆穿过所述介损传感模块、所述高频局放传感模块、所述特高频局放传感模块;所述壳体结构包括设于所述底座结构上的金属外壳,以及形成于所述金属外壳中的封闭腔体;所述介损传感模块包括设于所述封闭腔体中的介损传感器主体,以及与所述介损传感器主体连接、并突出于所述金属外壳外的介损传感器接头;所述高频局放传感模块包括设于所述封闭腔体中的高频局放传感器主体,以及与所述高频局放传感器主体连接、并突出于所述金属外壳外的高频局放传感器接头;所述特高频局放传感模块包括设于所述封闭腔体中的特高频局放传感器主体,以及与所述特高频局放传感器主体连接、并突出于所述金属外壳外的特高频局放传感器接头;所述介损传感器主体、所述高频局放传感器主体、所述特高频局放传感器主体均相互独立设置,且所述导体杆分别穿过所述介损传感器主体、所述高频局放传感器主体及所述特高频局放传感器主体、并一端突出于所述壳体结构外。
【技术特征摘要】
1.一种介损局放传感器结构,其特征在于,包括底座结构,连接于所述底座结构上的壳体结构,相互独立地设于所述壳体结构中的介损传感模块、高频局放传感模块、特高频局放传感模块,以及穿设于所述壳体结构上的导体杆,且所述导体杆穿过所述介损传感模块、所述高频局放传感模块、所述特高频局放传感模块;所述壳体结构包括设于所述底座结构上的金属外壳,以及形成于所述金属外壳中的封闭腔体;所述介损传感模块包括设于所述封闭腔体中的介损传感器主体,以及与所述介损传感器主体连接、并突出于所述金属外壳外的介损传感器接头;所述高频局放传感模块包括设于所述封闭腔体中的高频局放传感器主体,以及与所述高频局放传感器主体连接、并突出于所述金属外壳外的高频局放传感器接头;所述特高频局放传感模块包括设于所述封闭腔体中的特高频局放传感器主体,以及与所述特高频局放传感器主体连接、并突出于所述金属外壳外的特高频局放传感器接头;所述介损传感器主体、所述高频局放传感器主体、所述特高频局放传感器主体均相互独立设置,且所述导体杆分别穿过所述介损传感器主体、所述高频局放传感器主体及所述特高频局放传感器主体、并一端突出于所述壳体结构外。2.根据权利要求1所述的介损局放传感器结构,其特征在于,所述介损传感器主体、所述高频局放传感器主体、所述特高频局放传感器主体依次串设于所述封闭腔体中,且所述介损传感器接头、所述高频局放传感器接头、所述特高频局放传感器接头依次设于所述金属外壳外周侧。3.根据权利要求1或2所述的介损局放传感器结构,其特征在于,所述介损传感器接头设为六芯标准接头,所述高频局放传感器接头和所述特高频局放传感器接头均设置为TNC标准接头...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋汉儒,陈俊,范旭娟,顾乐,
申请(专利权)人:广州供电局有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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