【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有沟槽的激光棒
本专利技术涉及根据权利要求1所述的激光棒和根据权利要求18所述的用于制造激光棒的方法。本专利技术采用德国申请102016103358.8的优先权,其公开内容在此被参考引用。
技术介绍
在现有技术中从DE19644941C1中已知了高性能二极管激光器,其中激光棒具有多个激光二极管,其中激光二极管通过激光棒中的额定断裂位置相互隔开。在将激光棒焊接到具有较小膨胀系数的散热器上并且冷却之后,沟槽导致额定断裂位置并且导致断裂。通过激光棒的实体上的分离,能够利用在室温下较小的延展性实现焊接的应用,因为由于机械应力能够排除激光棒的各个激光二极管的毁坏。此外,在两个另外的激光二极管之间在表面中引入沟槽。
技术实现思路
本专利技术的目的在于,提供一种具有多个二极管的改善的激光棒,其中尤其改善了激光棒的机械稳定性,并且还改善了激光二极管的光学特性。该目的通过根据权利要求1所述的激光棒和根据权利要求18所述的方法实现。从属权利要求给出了激光棒的改进方案。提出一种具有半导体层的激光棒,半导体层具有活跃区域,其中活跃区域布置在xy平面中,其中激光二极管分别在x方向上在两个端面 ...
【技术保护点】
1.一种具有半导体层(11)的激光棒(1),所述半导体层具有活跃区域(15)和多个层,其中所述活跃区域(15)布置在xy平面中,其中激光二极管(12)分别在x方向上在两个端面之间形成模式空间(4),其中所述激光二极管(12)的所述模式空间(4)在y方向上并排地布置,其中在两个所述模式空间(4)之间在所述半导体层(11)中设置沟槽(3),其中所述沟槽(3)在所述x方向上延伸,并且其中,所述沟槽(3)从所述半导体层(11)的上侧在z方向上延伸一个在至所述活跃区域(15)的方向上预先给定的深度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.25 DE 102016103358.81.一种具有半导体层(11)的激光棒(1),所述半导体层具有活跃区域(15)和多个层,其中所述活跃区域(15)布置在xy平面中,其中激光二极管(12)分别在x方向上在两个端面之间形成模式空间(4),其中所述激光二极管(12)的所述模式空间(4)在y方向上并排地布置,其中在两个所述模式空间(4)之间在所述半导体层(11)中设置沟槽(3),其中所述沟槽(3)在所述x方向上延伸,并且其中,所述沟槽(3)从所述半导体层(11)的上侧在z方向上延伸一个在至所述活跃区域(15)的方向上预先给定的深度。2.根据权利要求1所述的激光棒,其中,所述沟槽(3)从所述半导体层(11)的上侧在所述z方向上延伸到所述活跃区域(15)中。3.根据权利要求1或2所述的激光棒,其中,在y方向上在两个沟槽(3)之间布置有具有第二模式空间(4)的第二激光二极管(12),其中所述第二模式空间(4)在所述x方向上在两个所述端面之间延伸。4.根据权利要求3所述的激光棒,其中,在布置在两个沟槽(3)之间的两个所述激光二极管(12)之间设置第二沟槽(7),其中所述第二沟槽(7)沿着所述x方向延伸,其中所述第二沟槽(7)在所述z方向上具有比第一沟槽(3)更小的深度。5.根据权利要求3或4所述的激光棒,其中,在布置在两个沟槽(3)之间的两个所述激光二极管(12)之间设置第二沟槽(7),其中所述第二沟槽(7)沿着所述x方向延伸,其中所述第二沟槽(7)在所述y方向上具有比第一沟槽(3)更小的宽度。6.根据权利要求4或5所述的激光棒,其中,所述第二沟槽(7)在所述z方向上延伸到所述激光二极管(12)的所述活跃区域(15)中。7.根据权利要求4至6中任一项所述的激光棒,其中,在至少一个第二沟槽(7)中布置吸收材料(8),所述吸收材料(8)设计用于至少部分地吸收由激光二极管(12)产生的电磁辐射。8.根据前述权利要求中任一项所述的激光棒,其中,所述半导体层(11)布置...
【专利技术属性】
技术研发人员:安德烈亚斯·勒夫勒,克莱门斯·菲尔海利希,斯文·格哈德,
申请(专利权)人:奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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