半导体激光光源装置制造方法及图纸

一种半导体激光光源装置，多个半导体激光元件以阵列状排列且在单面形成有第一电极、在另一面形成有第二电极的板状的半导体激光器阵列的第一电极与在电绝缘性材料的基板的单面形成有电极层的载体基板的电极层接合，载体基板的与形成有电极层的面相反侧的面与金属的散热器接合，在该半导体激光光源装置中，在将散热器的与载体基板相接合的区域向Y方向投影而得到的内部区域形成以小于或等于1mm的间距排列有多个扁平流路的冷却部，该扁平流路的形状是宽度为200μm至600μm的范围的尺寸、深度为3mm至5mm的范围的尺寸的扁平形状。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体激光光源装置
专利技术涉及搭载了半导体激光器阵列的半导体激光光源装置，该半导体激光器阵列是将多个半导体激光元件排列成阵列状而得到的。
技术介绍
就搭载了将多个半导体激光元件排列成阵列状的半导体激光器阵列的半导体激光光源装置而言，在将电流供给至半导体激光器阵列时，半导体激光器阵列是激光的振荡源，并且是发出大量热量的发热源。就半导体激光器阵列而言，振荡波长依赖于温度而变化，如果变为高温，则激光输出下降，可靠性也下降。因此，期望设置冷却构造，以将半导体激光器阵列内保持为适当的温度。作为具有冷却构造的半导体激光光源装置的结构，例如存在专利文献1所示的结构。在该专利文献1中，半导体激光器阵列通过焊料等导电膏而接合于具有用于流过冷却水的微小流路(微沟道)的散热器之上。散热器是将铜(Cu，导热率为398W/(m·K))的薄板和钼(Mo，导热率为140W/(m·K))薄板进行层叠而构成的，具有8ppm/K的线膨胀系数。通过以上的结构，能够对以高输出使半导体激光器阵列振荡时产生的排热有效地进行释放，并且减小在半导体激光器阵列安装时产生的热应力。专利文献1：日本特开2012-222130号公报专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体激光光源装置，多个半导体激光元件以阵列状排列且在单面形成有第一电极、在另一面形成有第二电极的板状的半导体激光器阵列的所述第一电极与在电绝缘性材料的基板的单面形成有导电性的电极层的载体基板的所述电极层接合，所述载体基板的与形成有所述电极层的面相反侧的面与金属的散热器接合，该半导体激光光源装置的特征在于，在将垂直于所述散热器的与所述载体基板接合的面的方向设为Y方向，将与该Y方向垂直的、所述半导体激光器阵列的多个半导体激光元件的排列方向设为X方向，将与所述Y方向以及所述X方向垂直的方向设为Z方向的情况下，在将所述载体基板从所述Y方向投影至所述散热器的内部而得到的区域形成有在所述Z方向上...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.15 JP 2016-0255451.一种半导体激光光源装置，多个半导体激光元件以阵列状排列且在单面形成有第一电极、在另一面形成有第二电极的板状的半导体激光器阵列的所述第一电极与在电绝缘性材料的基板的单面形成有导电性的电极层的载体基板的所述电极层接合，所述载体基板的与形成有所述电极层的面相反侧的面与金属的散热器接合，该半导体激光光源装置的特征在于，在将垂直于所述散热器的与所述载体基板接合的面的方向设为Y方向，将与该Y方向垂直的、所述半导体激光器阵列的多个半导体激光元件的排列方向设为X方向，将与所述Y方向以及所述X方向垂直的方向设为Z方向的情况下，在将所述载体基板从所述Y方向投影至所述散热器的内部而得到的区域形成有在所述Z方向上以小于或等于1mm的间距排列有多个扁平流路的冷却部，为了使冷却水从所述冷却部的所述X方向的一侧流至另一侧，设置有从所述散热器的外部连通至所述冷却部的2个冷却水通路，其中，该扁平流路的形状是所述Z方向的宽度为200μm至600μm的范围的尺寸以及所述Y方向的深度为3mm至5mm的范围的尺寸的扁平形状。2.根据权利要求1所述的半导体激光光源装置，其特征在于，在所述散热器的与接合有所述载体基板的面相反侧的面设置有冷却模块，该冷却模块使所述冷却水从2个所述冷却水通路内的一个冷却水通路流入，使所述冷却水从另一个冷却水通路流出。3.根据权利要求1或2所述的半导体激光光源装置，其特征在于，在所述散热器的接合有所述载体基板的面，在与接合有所述载体基板的区域不同的区域，隔着第一绝缘板固定有第一电极板，在该第一电极板的与所述散热器相反侧的面隔着第二绝缘板固定有第二电极板，将所述载体基板的所述电极层和所述第一电极板通过金属配线进行连接，将所述半导体激光器阵列的所述第二电极和所述第二电极板通过金属配线进行连接。4.根据权利要求1或2所述的半导体激光光源装置，其特征在于，在所述散热器的接合有所述载体基板的面，在与接合有所述载体基板的区域不同的区域，隔着第一绝缘板固定有第一电极板，在该第一电极板的与所述散热器相反侧的面隔着第二绝缘板固定有第二电极板，导电性的间接基板与所述半导体激光器阵列的所述第二电极接合，所述载体基板的所述电极层和所述第一电极板通过金属配线进行连接，所述间接基板和所述第二电极板通过金属配线进行连接。5.根据权利要求3或4所述的半导体激光光源装置，其特征在于，所述第一电极板以及所述第二电极板通过绝缘性的螺钉、或者由绝缘性的衬套进行了绝缘的螺钉而固定于所述散热器。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体激光光源装置，其特征在于，所述载体基板的材料是碳化硅或氮化铝。7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体激光光源装置，其特征在于，就所述散热器而言，至少构成从构成所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：森田大辅，玉谷基亮，池田一贵，玄田裕美，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP