【技术实现步骤摘要】
驱动电路及其控制方法
本专利技术涉及一种驱动电路，尤其涉及一种驱动电路及其控制方法。
技术介绍
在功率开关组件领域中，氮化镓(GaN)具有低功率组件能源损耗的特性。氮化镓晶体管组件具备高崩溃电压和低传导电阻特性，相较于硅晶体管组件需要靠较大芯片面积降低导通电阻，具有相同导通电阻的氮化镓组件尺寸较小，使得寄生电容较低，可轻易实现高速切换与小型化设计。然而，在栅极驱动技术中，栅极驱动器在控制上桥开关与下桥开关的切换过程时，上桥开关与下桥开关会有一段短暂时间都关闭。此短暂时间称为迟滞时间(deadtime)，约为2毫微秒(ns)。若在此迟滞时间期间工作电压仍对靴带电容持续充电，可能导致靴带电容两端的电压超过上桥开关所能承受的耐电压范围，导致烧毁上桥开关。
技术实现思路
本专利技术提供一种驱动电路及其控制方法，可避免输出级的上桥开关被烧毁。本专利技术的驱动电路，耦接输出级与靴带电容，输出级包括第一电力开关与第二电力开关，第一电力开关与第二电力开关之间具有相位节点。驱动电路包括比较器、控制开关以及第一逻辑单元。比较器耦接相位节点与靴带电容的一端，且接收参考电压与存在相位节点的相...
【技术保护点】
1.一种驱动电路，耦接输出级与靴带电容，其特征在于，所述输出级包括第一电力开关与第二电力开关，所述第一电力开关与所述第二电力开关之间具有相位节点，所述驱动电路包括：比较器，耦接所述相位节点与所述靴带电容的一端，且接收参考电压与存在所述相位节点的相位电压，以提供比较信号；控制开关，耦接工作电压与所述靴带电容的另一端；以及第一逻辑单元，耦接所述比较器与所述控制开关，且接收延迟的开关控制信号与所述比较信号，其中所述开关控制信号用以控制所述第二电力开关的操作。
【技术特征摘要】
2017.04.10 TW 1061118571.一种驱动电路，耦接输出级与靴带电容，其特征在于，所述输出级包括第一电力开关与第二电力开关，所述第一电力开关与所述第二电力开关之间具有相位节点，所述驱动电路包括：比较器，耦接所述相位节点与所述靴带电容的一端，且接收参考电压与存在所述相位节点的相位电压，以提供比较信号；控制开关，耦接工作电压与所述靴带电容的另一端；以及第一逻辑单元，耦接所述比较器与所述控制开关，且接收延迟的开关控制信号与所述比较信号，其中所述开关控制信号用以控制所述第二电力开关的操作。2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括：第二逻辑单元；阻值单元，所述阻值单元的一端耦接所述工作电压；以及辅助控制开关，分别耦接所述阻值单元的另一端、所述第二逻辑单元与所述靴带电容的另一端。3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述第二逻辑单元接收所述开关控制信号与所述比较信号，所述比较信号由所述比较器根据所述参考电压与所述相位电压提供。4.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，还包括延...
【专利技术属性】
技术研发人员：柯柏州，
申请(专利权)人：力智电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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