一种显示器件的制备方法及显示器件技术

本发明专利技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示器件的制备方法及显示器件。本申请设计的一种显示器件及其制备方法，因为电极电源线是由数据线和像素电极组成的，这样会产生比较大的压降，为了降低压降，在电极电源线下垫一圈金属线，金属线和电极电源线并联，降低了原先电极电源线的电阻，这样就可以减小电极电源线的压降，提升整个显示器件的显示质量。

【技术实现步骤摘要】
一种显示器件的制备方法及显示器件
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示器件的制备方法及显示器件。
技术介绍
AMOLED(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode，有源矩阵有机发光二极管)显示屏具有自发光、功耗低、反应速度较快、对比度更高和视角较广等特点，因此，AMOLED显示面板在显示
具有广泛的应用前景。但是目前为了减小OLED显示器件的左右边框尺寸，显示区外侧的ELVSS通常被设为较小宽度，但是线宽变窄后导致ELVSS电阻增大，将导致电流与电阻的乘积或电压降的增加，从而使显示屏降低了显示画面的品质。
技术实现思路
根据现有市面上传统的显示器件的技术中存在的缺陷，现提供一种显示器件制备方法，具体包括：一种显示器件的制备方法，其中，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有显示区域和围绕所述显示区域的边缘区域；于所述半导体衬底上制备第一栅极绝缘层；在位于所述边缘区域中的所述第一栅极绝缘层之上形成金属线；沉积第二栅极绝缘层覆盖所述金属线及所述第一栅极绝缘层暴露的表面；制备介质层覆盖所述第二栅极绝缘层的表面；刻蚀所述介质层至所述金属线的上表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有显示区域和围绕所述显示区域的边缘区域；于所述半导体衬底上制备第一栅极绝缘层；在位于所述边缘区域中的所述第一栅极绝缘层之上形成金属线；沉积第二栅极绝缘层覆盖所述金属线及所述第一栅极绝缘层暴露的表面；制备介质层覆盖所述第二栅极绝缘层的表面；刻蚀所述介质层至所述金属线的上表面，以形成将所述金属线的部分上表面予以暴露的第一凹槽；于所述边缘区域制备所述显示器件的电极电源线；其中所述金属线与所述电极电源线通过所述第一凹槽电连接，以降低所述电极电源线通电时的压降。

【技术特征摘要】
1.一种显示器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有显示区域和围绕所述显示区域的边缘区域；于所述半导体衬底上制备第一栅极绝缘层；在位于所述边缘区域中的所述第一栅极绝缘层之上形成金属线；沉积第二栅极绝缘层覆盖所述金属线及所述第一栅极绝缘层暴露的表面；制备介质层覆盖所述第二栅极绝缘层的表面；刻蚀所述介质层至所述金属线的上表面，以形成将所述金属线的部分上表面予以暴露的第一凹槽；于所述边缘区域制备所述显示器件的电极电源线；其中所述金属线与所述电极电源线通过所述第一凹槽电连接，以降低所述电极电源线通电时的压降。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，部分所述电极电源线于所述第一凹槽内与所述金属线接触。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：制备数据线覆盖所述第一凹槽的底部及侧壁，且所述数据线还延伸覆盖所述介质层部分上表面；沉积平坦化薄膜层覆盖所述介质层暴露的表面及所述数据线暴露的表面，且该平坦化薄膜还充满所述第一凹槽；刻蚀所述平坦化薄膜层至所述数据线的表面，以形成第二凹槽，且所述第二凹槽将位于所述第一凹槽中的所述数据线的表面予以暴露；制备像素电极覆盖所述第二凹槽的底部及侧壁，且所述像素电极还延伸覆盖所述平坦化薄膜层部分上表面；沉积像素定义层覆盖所述平坦化薄膜层暴露的表面及所述像素电极暴露的表面，且所述像素定义层还充满所述第二凹槽。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：刻蚀所述像素定义层至所述像素电极的表面，以形成第三凹槽，且所述第三凹槽将位于所述平坦化薄膜层上的所述像素电极的部分表面予以暴露。5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：周思思，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31