封装结构制造技术

本发明专利技术提供一种封装结构包括导线架、绝缘基材、多个导通孔、图案化金属层以及芯片。导线架包括多个接点。绝缘基材包覆导线架。导通孔设置于绝缘基材上并连通接点。图案化金属层覆盖绝缘基材的外表面并包括沟槽以及线路部。线路部连接并覆盖导通孔及接点。沟槽环绕线路部，以使线路部与其余的图案化金属层电性绝缘，其中沟槽所暴露的绝缘基材的表面低于外表面。芯片设置于绝缘基材上并与线路部电性连接。

【技术实现步骤摘要】
封装结构
本专利技术实施例涉及一种封装结构，尤其涉及一种芯片的封装结构。
技术介绍
现今的信息社会下，人类对电子产品的依赖性与日俱增。为因应现今电子产品高速度、高效能、且轻薄短小的要求，具有可挠曲特性的软性电路板已逐渐应用于各种电子装置中，例如：移动电话(MobilePhone)、笔记型电脑(NotebookPC)、数码相机(digitalcamera)、平板电脑(tabletPC)、打印机(printer)与影碟机(diskplayer)等。一般而言，线路板的制作主要是将绝缘基板的单面或相对两表面上进行前处理、溅镀(sputter)、压合铜或电镀铜，再进行黄光处理，以于此绝缘基板的单面或相对两表面上形成线路层。然而，此处理的步骤繁复，且溅镀的处理的成本较高。此外，利用图案化干膜层作电镀屏障所形成的图案化线路层较难以达到现今对细线路(finepitch)的需求。再者，绝缘基板的材料多半采用聚酰亚胺或是ABF(Ajinomotobuild-upfilm)树脂，其价格较昂贵。因此，目前封装基板的制作不仅步骤繁复，且成本亦偏高。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种封装结构，其可直接于绝缘基材上形成线路，因而可简化处理及降低生产成本，更可符合细线路的需求。本专利技术实施例的封装结构包括导线架、绝缘基材、多个第一导通孔、图案化金属层以及芯片。导线架包括多个第一接点。绝缘基材包覆导线架。第一导通孔设置于绝缘基材上并连通第一接点。图案化金属层覆盖绝缘基材的外表面并包括第一沟槽以及线路部。线路部连接并覆盖第一导通孔及第一接点，第一沟槽环绕线路部，以使线路部与其余的图案化金属层电性绝缘，其中第一沟槽所暴露的绝缘基材的表面低于外表面。芯片设置于绝缘基材上并与线路部电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘基材的材料包括环氧化合物(epoxy)、邻苯二甲酸二烯丙酯(DAP)、苯并环丁烯(BCB)、聚脂、丙烯酸酯、氟素聚合物、聚亚苯基氧化物、聚酰亚胺、酚醛树脂、聚砜、硅素聚合物、BT树脂(Bismaleimide-Triazinemodifiedepoxyresin)、氰酸聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯树脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、液晶高分子(liquidcrystalpolyester,LCP)、聚酰胺(PA)、尼龙6、共聚聚甲醛(POM)、聚苯硫醚(PPS)、聚碳酸脂(polycarbonate,PC)、聚甲基丙烯酸甲脂(polymethacrylate,PMMA)、ABS树脂(AcrylonitrileButadieneStyrene,ABS)或环状烯烃共聚物(COC)。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘基材的材料不包括适于被激光、等离子体或机械刀具激活为可进行金属化镀膜的金属氧化复合物。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘基材的材料包括适于被激光、等离子体或机械刀具激活为可进行金属化镀膜的金属氧化复合物。在本专利技术的一实施例中，上述的金属氧化复合物包括锌、铜、银、金、镍、钯、铂、钴、铑、铱、铟、铁、锰、铝、铬、钨、钒、钽、钛或其任意组合。在本专利技术的一实施例中，上述的图案化金属层还包括多个外部接垫，设置于绝缘基材相对于芯片的下表面并电性连接第一接点。在本专利技术的一实施例中，上述的导线架包括多个外部接垫，暴露于绝缘基材之外并电性连接第一接点。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘基材还包括第二导通孔，设置于绝缘基材上并电性连接导线架的接地电极，且其余的图案化金属层覆盖并电性连接第二导通孔。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘基材还包括元件设置槽，芯片及第一导通孔设置于元件设置槽内。在本专利技术的一实施例中，上述的芯片通过打线接合技术或覆晶封装技术而电性连接至线路部。在本专利技术的一实施例中，上述的导线架还包括至少一第二接点，绝缘基材还包括至少一开口，以暴露第二接点，线路部连接并覆盖开口及第二接点。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘基材还包括第二沟槽，其位于第一沟槽所框围的范围内并与第一沟槽之间维持间隙，线路部覆盖第二沟槽以及间隙，第二沟槽的底面低于外表面。在本专利技术的一实施例中，上述的图案化金属层的材料包括金、钯、银、锡、钨、钛、钒或铜。在本专利技术的一实施例中，上述的导线架包括金属柱阵列，且第一接点包括多个金属柱。在本专利技术的一实施例中，上述的导线架还包括芯片座，金属柱围绕芯片座设置。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘基材还包括开口，以暴露芯片座的顶面。在本专利技术的一实施例中，上述的芯片座的底面与各金属柱的下表面共平面。在本专利技术的一实施例中，上述的封装结构还包括多个第三导通孔，设置于绝缘基材上，绝缘基材覆盖芯片座的周缘区域，第三导通孔连接周缘区域，且线路部连接第三导通孔。在本专利技术的一实施例中，上述的导线架还包括芯片座，芯片座包括凹口，凹口的底面与金属柱阵列的下表面共平面。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘基材还包括开口，以暴露底面，且金属柱围绕芯片座。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘基材覆盖芯片座的周缘区域，且芯片座的下表面突出于绝缘基材的下表面。在本专利技术的一实施例中，上述的封装结构还包括多个第三导通孔，设置于绝缘基材上，绝缘基材覆盖芯片座的周缘区域，周缘区域围绕凹口，第三导通孔连接周缘区域，且线路部连接第三导通孔。在本专利技术的一实施例中，上述的封装结构还包括模塑料，覆盖芯片以及绝缘基材的上表面。本专利技术实施例的一种封装结构包括导线架、绝缘基材、多个第一导通孔、图案化金属层以及芯片。导线架包括多个第一接点以及至少一第二接点。绝缘基材包覆导线架并包括至少一开口，开口暴露第二接点。第一导通孔设置于绝缘基材上并连通第一接点。图案化金属层覆盖绝缘基材的外表面并包括第一沟槽以及线路部，线路部连接并覆盖第一导通孔、第一接点、开口及第二接点，第一沟槽环绕线路部，以使线路部与其余的图案化金属层电性绝缘，其中第一沟槽所暴露的绝缘基材的表面低于外表面。芯片设置于绝缘基材上并与线路部电性连接。本专利技术实施例的一种封装结构包括基板、绝缘基材以及图案化金属层。基板包括多个电性接点、有源表面以及相对有源表面的背面，电性接点设置于有源表面。绝缘基材设置于基板上并至少覆盖有源表面。第一导通孔设置于绝缘基材上并连通电性接点。图案化金属层覆盖绝缘基材的外表面并包括第一沟槽以及第一线路部，第一线路部连接并覆盖第一导通孔及电性接点，第一沟槽环绕线路部，以使第一线路部与其余的图案化金属层电性绝缘，其中第一沟槽所暴露的绝缘基材的表面低于外表面。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘基材还包括第二沟槽，其位于第一沟槽所框围的范围内并与第一沟槽之间维持间隙，线路部覆盖第二沟槽以及间隙，第二沟槽的底面低于外表面。在本专利技术的一实施例中，上述的基板还包括多个基板贯孔，贯穿基板并电性连通基板的有源表面以及背面。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘基材覆盖背面。在本专利技术的一实施例中，上述的封装结构还包括多个第二导通孔，贯穿覆盖背面的绝缘基材并电性连接基板贯孔，其中图案化金属层更包括第三沟槽以及第二线路部，第二线路部连接并覆盖第二导通孔，第二沟槽环绕第二线路部，以使第二线路部与其余的图案化金属层电性绝缘，其中第二沟槽所暴露的绝缘基材的表面低于外表面。在本专利技术的一实施例中，上述的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：导线架，包括多个第一接点；绝缘基材，包覆所述导线架；多个第一导通孔，设置于所述绝缘基材上并连通所述多个第一接点；图案化金属层，覆盖所述绝缘基材的外表面并包括第一沟槽以及线路部，所述线路部连接并覆盖所述多个第一导通孔及所述多个第一接点，所述第一沟槽环绕所述线路部，以使所述线路部与其余的所述图案化金属层电性绝缘，其中所述第一沟槽所暴露的所述绝缘基材的一表面低于所述外表面；以及芯片，设置于所述绝缘基材上并与所述线路部电性连接。

【技术特征摘要】
2017.04.07 TW 1061117231.一种封装结构，其特征在于，包括：导线架，包括多个第一接点；绝缘基材，包覆所述导线架；多个第一导通孔，设置于所述绝缘基材上并连通所述多个第一接点；图案化金属层，覆盖所述绝缘基材的外表面并包括第一沟槽以及线路部，所述线路部连接并覆盖所述多个第一导通孔及所述多个第一接点，所述第一沟槽环绕所述线路部，以使所述线路部与其余的所述图案化金属层电性绝缘，其中所述第一沟槽所暴露的所述绝缘基材的一表面低于所述外表面；以及芯片，设置于所述绝缘基材上并与所述线路部电性连接。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘基材的材料包括环氧化合物、邻苯二甲酸二烯丙酯、苯并环丁烯、聚脂、丙烯酸酯、氟素聚合物、聚亚苯基氧化物、聚酰亚胺、酚醛树脂、聚砜、硅素聚合物、BT树脂、氰酸聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯树脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、液晶高分子、聚酰胺、尼龙6、共聚聚甲醛、聚苯硫醚、聚碳酸脂、聚甲基丙烯酸甲脂、ABS树脂或环状烯烃共聚物。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘基材的材料不包括能够被激光、等离子体或机械刀具激活为可进行金属化镀膜的金属氧化复合物。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘基材的材料包括能够被激光、等离子体或机械刀具激活为可进行金属化镀膜的金属氧化复合物。5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述金属氧化复合物包括锌、铜、银、金、镍、钯、铂、钴、铑、铱、铟、铁、锰、铝、铬、钨、钒、钽、钛或其任意组合。6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述图案化金属层还包括多个外部接垫，设置于所述绝缘基材相对于所述芯片的下表面并电性连接所述多个第一接点。7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述导线架包括多个外部接垫，暴露于所述绝缘基材之外并电性连接所述多个第一接点。8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括第二导通孔，设置于所述绝缘基材上并电性连接所述导线架的接地电极，且所述其余的图案化金属层覆盖并电性连接所述第二导通孔。9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘基材还包括元件设置槽，所述芯片及所述多个第一导通孔设置于所述元件设置槽内。10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述导线架还包括至少一第二接点，所述绝缘基材还包括至少一开口，以暴露所述第二接点，所述线路部连接并覆盖所述开口及所述第二接点。11.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘基材还包括第二沟槽，其位于所述第一沟槽所框围的范围内并与所述第一沟槽之间维持间隙，所述线路部覆盖所述第二沟槽以及所述间隙，所述第二沟槽的底面低于所述外表面。12.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述图案化金属层的材料包括金、钯、银、锡、钨、钛、钒或铜。13.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述导线架包括金属柱阵列，且所述多个第一接点包括多个金属柱。14.根据权利要求13所述的封装结构，其特征在于，所述导线架还包括芯片座，所述多个金属柱围绕所述芯片座设置。15.根据权利要求14所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘基材还包括凹槽，以暴露所述芯片座的顶面。16.根据权利要求14所述的封装结构，其特征在于，所述芯片座的底面与各所述金属柱的下表面共平面。17.根据权利要求14所述的封装结构，其特征在于，还包括多个第三导通孔，设置于所述绝缘基材上，所述绝缘基材覆盖所述芯片座的周缘区域，所述多个第三导通孔连接所述周缘区域，且所述线路部连接所述多个第三导通孔。18.根据权利要求13所述的封装结构，其特征在于，所述导线架还包括芯片座，所述芯片座包括凹口，所述凹口的底面与所述金属柱阵列的所述下表面共平面。19.根据权利要求18所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘基材还包括凹槽，以暴露所述底面，且所述多个金属柱围绕所述芯片座。20.根据权利要求19所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘基材覆盖所述芯片座的周缘区域，且所述芯片座的下表面突出于所述绝缘基材的下表面。21.根据权利要求20所述的封装结构，其特征在于，还包括多个第三导通孔，设置于所述绝缘基材上，所述绝缘基材覆盖所述芯片座的周缘区域，所述周缘区域围绕所述凹口，所述多个第三导通孔连接所述周缘区域，且所述线路部连接所述多个第三导通孔。22.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括模塑料，覆盖所述芯片以及所述绝缘基材的上表面。23.一种封装结构，其特征在于，包括：导线架，包括多个第一接点以及至少一第二接点；绝缘基材，包覆所述导线架并包括至少一开口，所述开口暴露所述第二接点；多...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘文俊，赖威仁，
申请(专利权)人：思鹭科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71