【技术实现步骤摘要】
基于高温注入技术的SOI硅片的制备方法
本专利技术涉及半导体材料制备
,特别是一种采用不同温度注入技术制备SOI的方法。
技术介绍
由于大规模电路制造工艺需要采用的离子注入次数逐年增加(如64Mbit为20次,256Mbit为30次),注入离子种类和能量、剂量范围逐渐扩宽。最低能量需1keV以下,高能端大于3MeV,注入离子的种类有:H、B、P、As、In、Sb、Si、Ge、N、F、O、C等,最高注入剂量1E17/cm2,最低剂量接近1E11/cm2。由于现有生产工艺所获得的SOI硅片表面粗糙度达不到要求,需要后续进行CMP加工工艺中,需要先对SOI进行处理,延长生产线流程,降低生产效率,增加生产成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决上述问题,设计了一种基于高温注入技术的SOI硅片的制备方法。具体设计方案为:一种基于高温注入技术的SOI硅片的制备方法,包括氧化步骤、注入步骤、键合步骤、裂片步骤,所述氧化步骤、注入步骤、键合步骤、裂片步骤依次进行,在所述氧化步骤中,对硅片的表面进行氧化,获得氧化层硅片,注入步骤中,在氧化层硅片中注入高温氢离子,获得注入氧 ...
【技术保护点】
1.一种基于高温注入技术的SOI硅片的制备方法,包括氧化步骤、注入步骤、键合步骤、裂片步骤,所述氧化步骤、注入步骤、键合步骤、裂片步骤依次进行,其特征在于,在所述氧化步骤中,对硅片的表面进行氧化,获得氧化层硅片,注入步骤中,在氧化层硅片中注入高温氢离子,获得注入氧化硅片,在键合步骤中,用另外一片键合硅片与所述注入氧化硅片进行键合,获得键合片,在裂片步骤中,对键合片进行微波裂片,获得SOI硅片。
【技术特征摘要】
1.一种基于高温注入技术的SOI硅片的制备方法,包括氧化步骤、注入步骤、键合步骤、裂片步骤,所述氧化步骤、注入步骤、键合步骤、裂片步骤依次进行,其特征在于,在所述氧化步骤中,对硅片的表面进行氧化,获得氧化层硅片,注入步骤中,在氧化层硅片中注入高温氢离子,获得注入氧化硅片,在键合步骤中,用另外一片键合硅片与所述注入氧化硅片进行键合,获得键合片,在裂片步骤中,对键合片进行微波裂片,获得SOI硅片。2.根据权利要求1中所述的基于高温注入技术的SOI硅片的制备方法,其特征在于,所述氧化步骤中,对所述硅片的氧化为上表面氧化或者上下表面氧化中的一种,氧化层的厚度为0-3*103nm。3.根据权利要求1中所述的基于高温注入技术的SOI硅片的制备方法,其特征在于,所述注入步骤中,注入温度为1...
【专利技术属性】
技术研发人员:柳清超,李捷,高文琳,刘洋,
申请(专利权)人:沈阳硅基科技有限公司,
类型:发明
国别省市:辽宁,21
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