【技术实现步骤摘要】
位置侦测与芯片分离装置
本专利技术涉及一种位置侦测与芯片分离装置，特别是涉及一种应用于加工一半导体结构的位置侦测与芯片分离装置。
技术介绍
目前，发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)因具备光质佳以及发光效率高等特性而得到广泛的应用。一般来说，为了使采用发光二极管做为发光组件的显示设备具有较佳的色彩表现能力，现有技术是利用红、绿、蓝三种颜色的发光二极管芯片的相互搭配而组成一全彩发光二极管显示设备，此全彩发光二极管显示设备可通过红、绿、蓝三种颜色的发光二极管芯片分别发出的红、绿、蓝三种的颜色光，然后再通过混光后形成一全彩色光，以进行相关信息的显示。然而，现有技术中的发光二极管芯片不易从蓝宝石基底上分离。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种位置侦测与芯片分离装置。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的其中一技术方案是，提供一种位置侦测与芯片分离装置，所述位置侦测与芯片分离装置应用于一半导体结构，所述半导体结构包括一基底层以及多个设置在所述基底层上的发光芯片，所述位置侦测与芯片分离装置包括：一位置侦测模块以及...
【技术保护点】
1.一种位置侦测与芯片分离装置，所述位置侦测与芯片分离装置应用于一半导体结构，所述半导体结构包括一基底层以及多个设置在所述基底层上的发光芯片，其特征在于，所述位置侦测与芯片分离装置包括：一位置侦测模块，所述位置侦测模块包括一发射组件以及一接收组件；以及一芯片分离模块，所述芯片分离模块对应于所述位置侦测模块；其中，所述位置侦测模块通过所述发射组件与所述接收组件的相互配合，以提供位于所述基底层与所述发光芯片之间的一接触接口的一位置信息；其中，所述芯片分离模块根据所述位置信息而投射一投射光源至所述基底层与所述发光芯片之间的所述接触接口，以使得所述发光芯片通过所述投射光源的照射而易于脱离所述基底层。
【技术特征摘要】
2017.03.29 TW 1061105171.一种位置侦测与芯片分离装置，所述位置侦测与芯片分离装置应用于一半导体结构，所述半导体结构包括一基底层以及多个设置在所述基底层上的发光芯片，其特征在于，所述位置侦测与芯片分离装置包括：一位置侦测模块，所述位置侦测模块包括一发射组件以及一接收组件；以及一芯片分离模块，所述芯片分离模块对应于所述位置侦测模块；其中，所述位置侦测模块通过所述发射组件与所述接收组件的相互配合，以提供位于所述基底层与所述发光芯片之间的一接触接口的一位置信息；其中，所述芯片分离模块根据所述位置信息而投射一投射光源至所述基底层与所述发光芯片之间的所述接触接口，以使得所述发光芯片通过所述投射光源的照射而易于脱离所述基底层。2.根据权利要求1所述的位置侦测与芯片分离装置，其特征在于，所述发射组件为一用于产生一侦测信号的信号发射组件，且所述接收组件为一用于接收所述侦测信号的信号接收组件，其中，所述信号发射组件所产生的所述侦测信号通过所述半导体结构的反射而投向所述信号接收组件，以提供位于所述基底层与所述发光芯片两者之间的所述接触接口的所述位置信息。3.根据权利要求1所述的位置侦测与芯片分离装置，其特征在于，所述半导体结构的多个所述发光芯片贴附在一承载基板的一黏着层上，其中，所述基底层为一蓝宝石基底层以及一硅基底层两者其中之一，且所述发光芯片为氮化镓发光二极管芯片。4.根据权利要求1所述的位置侦测与芯片分离装置，其特征在于，所述位置侦测与芯片分离装置还进一步包括：一控制模块，所述控制模块电性连接于所述位置侦测模块与所述芯片分离模块，其中，所述位置侦测模块为一光学式位置传感器以及一声波式位置传感器两者其中之一，且所述位置侦测模块与所述芯片分离模块设置在所述半导体结构的相同侧边或者相异侧边。5.一种位置侦测与芯片分离装置，所述位置侦测与芯片分离装置应用于一半导体结构，所述半导体结构包括一基底层以及多个设置在所述基底层上的发光芯片，其特征在于，所述位置侦测与芯片分离装置包括：一发射组件，所述发射组件用于产生一投射光源；以及一接收组件，所述接收组件邻近所述发射组件；其中，所述发射组件所产生的所述投射光源通过所述半导体结构的反射而投向所述接收组件，以提供位于所述基底层与所述发光芯片两者之间的一接触接口的一位置信息；其中，所述发射组件所产生的所述投射光源根据所述位置信息而投射至位于所述基底层...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖建硕，
申请(专利权)人：台湾爱司帝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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