The utility model discloses a dark field mask, which comprises an observation region, a coarse alignment region and a precise alignment region, wherein a rectangular pattern region is cut out inside the observation region for observing a pattern on a wafer to be lithographed, and for searching for a mark for coarse alignment on a wafer to be lithographed and for fine alignment. A mark for accurate alignment; a coarse alignment region, including a graph for coarse alignment, which is arranged to correspond to a mark for coarse alignment on a wafer to be lithographed; and an accurate alignment region, including a graph for accurate alignment, which is arranged to be on a wafer to be lithographed and used for fine alignment. The marking is exactly corresponding.
【技术实现步骤摘要】
一种暗场掩模板
本技术涉及微电子工艺领域。更具体地,涉及一种暗场掩模板。
技术介绍
在微电子工艺领域中,通常按照感光材料的不同可以将掩模板分为亮场掩模板和暗场掩模板,亮场掩模板上的图形由不透光区域组成,掩模板大部分区域透光,而暗场掩模板上的图形由透光区域组成,所以掩模板大部分区域被铬层覆盖,而铬层是不透光的,这就容易造成光刻人员在看掩模板光刻时视野很小,无法看清硅片上的图形,从而大大降低了光刻对准效率和精准度,最终导致器件的成品率减小。在特征尺寸小的情况下,由于暗场掩模板光刻比较困难。图1为现有的光刻对准标记,即一次性通过十字形的对准标记来对准掩模板与晶圆,这种方法虽然可以实现光刻对准,但是对于窄线条暗场掩模板来说,透光区域很小,所以光刻员透过掩模板看到的晶圆片上的区域很小,在晶圆片上找到已做好的十字标记是非常耗时耗力的,而且即使找到也很难精确对准。该对准方法使得光刻生产效率低下,严重影响产率。因此,需要提供一种高效实现精确对准的暗场掩模板。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种能够解决较小尺寸暗场掩模板光刻时的对准问题的暗场掩模板。为达到上述目的,本技术采用下述技术方 ...
【技术保护点】
1.一种暗场掩模板,其特征在于,所述掩模板包括:观察区,布置为镂空状,用于透过其观察待光刻晶圆上的图形,并用于寻找所述待光刻晶圆上的用于粗对准的标识和用于精确对准的标识;粗对准区,包括用于粗对准的图形,所述用于粗对准的图形布置为与所述待光刻晶圆上的、用于粗对准的标识相对应;以及精确对准区,包括用于精确对准的图形,所述用于精确对准的图形布置为与所述待光刻晶圆上的、用于精确对准的标识相对应。
【技术特征摘要】
1.一种暗场掩模板,其特征在于,所述掩模板包括:观察区,布置为镂空状,用于透过其观察待光刻晶圆上的图形,并用于寻找所述待光刻晶圆上的用于粗对准的标识和用于精确对准的标识;粗对准区,包括用于粗对准的图形,所述用于粗对准的图形布置为与所述待光刻晶圆上的、用于粗对准的标识相对应;以及精确对准区,包括用于精确对准的图形,所述用于精确对准的图形布置为与所述待光刻晶圆上的、用于精确对准的标识相对应。2.如权利要求1所述的暗场掩模板,其特征在于,所述待光刻晶圆上的、用于粗对准的标识为其它已用于光刻的版图层的版号标识,所述待光刻晶圆上用于精确对准的标识为其它几次光刻时分别形成的十字标记。3.如权利要求1或2所述的暗场掩模板,其特征在于,所述粗对准区中的所述用于粗对准的图形为镂空的,当进行粗对准时,所述粗对准区中用于粗对准的图形套在所述待光刻晶圆上的、用于粗对准的标识上。4...
【专利技术属性】
技术研发人员:于江勇,廖翌如,赵磊,刘园园,
申请(专利权)人:北京宇翔电子有限公司,
类型:新型
国别省市:北京,11
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