【技术实现步骤摘要】
无机发光二极管显示面板和显示装置
本专利技术涉及显示
,更具体地,涉及一种无机发光二极管显示面板和显示装置。
技术介绍
传统的无机发光二极管(InorganicLightEmittingDiode,ILED)通常作为背光源用于液晶显示器的背光模组中,随着显示技术和无机发光二极管的发展,无机发光二极管作为像素应用于高分辨率显示面板中,实现了一种无机发光二极管显示面板。但是,现有技术中基于无机发光二极管的透明显示面板的透过率不可调,限制了透明显示面板的应用场景。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供了一种无机发光二极管显示面板和显示装置,以实现无机发光二极管显示面板透过率可调。一方面,本专利技术提供了一种无机发光二极管显示面板。本专利技术提供的无机发光二极管显示面板划分为显示区和围绕显示区的非显示区,包括:第一基板;设置于第一基板一侧的发光器件层,其中,发光器件层包括若干无机发光二极管,无机发光二极管包括第一电极、第二电极和电连接在第一电极和第二电极之间的p-n二极管;透光率调整模块,包括第三电极、第四电极和材料层,其中,第三电极与第四电极之间的电场发生变化时,材 ...
【技术保护点】
1.一种无机发光二极管显示面板,其特征在于,所述显示面板划分为显示区和围绕所述显示区的非显示区;所述显示面板包括:第一基板;设置于所述第一基板一侧的发光器件层,其中,所述发光器件层包括若干无机发光二极管,所述无机发光二极管包括第一电极、第二电极和电连接在所述第一电极和所述第二电极之间的p‑n二极管;透光率调整模块,包括第三电极、第四电极和材料层,其中,所述第三电极与所述第四电极之间的电场发生变化时,所述材料层的透光率发生变化;其中,所述显示区包括非发光区和发光区,所述无机发光二极管位于所述发光区,所述透光率调整模块至少位于所述非发光区。
【技术特征摘要】
1.一种无机发光二极管显示面板,其特征在于,所述显示面板划分为显示区和围绕所述显示区的非显示区;所述显示面板包括:第一基板;设置于所述第一基板一侧的发光器件层,其中,所述发光器件层包括若干无机发光二极管,所述无机发光二极管包括第一电极、第二电极和电连接在所述第一电极和所述第二电极之间的p-n二极管;透光率调整模块,包括第三电极、第四电极和材料层,其中,所述第三电极与所述第四电极之间的电场发生变化时,所述材料层的透光率发生变化;其中,所述显示区包括非发光区和发光区,所述无机发光二极管位于所述发光区,所述透光率调整模块至少位于所述非发光区。2.根据权利要求1所述的无机发光二极管显示面板,其特征在于,所述材料层包括聚合物分散液晶。3.根据权利要求1所述的无机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第一基板包括衬底基板、位于所述衬底基板与所述发光器件层之间的若干导电层和位于相邻所述导电层之间的若干绝缘层,其中,所述若干导电层用于形成所述无机发光二极管显示面板的像素电路;所述第三电极与所述若干导电层、所述第一电极或所述第二电极同层制备,和/或,所述第四电极与所述若干导电层、所述第一电极或所述第二电极同层制备。4.根据权利要求3所述的无机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第二电极为阴极,所述第二电极所在的膜层采用透明导电材料制成,所述第三电极与所述第二电极同层制备。5.根据权利要求4所述的无机发光二极管显示面板,其特征在于,所述透明导电材料为铟锡氧化物。6.根据权利要求4所述的无机发光二极管显示面板,其特征在于,所述像素电路包括薄膜晶体管,所述若干导电层包括所述薄膜晶体管的有源层,所述有源层采用透明非晶氧化物半导体材料制成;所述第四电极与所述有源层同层制备。7.根据权利要求6所述的无机发光二极管显示面板,其特征在于,所述透明非晶氧化物半导体材料为铟镓锌氧化物。8.根据权利要求6所述的无机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第三电...
【专利技术属性】
技术研发人员:符鞠建,
申请(专利权)人:上海天马微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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