少子寿命检测装置及检测方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体技术领域，公开的一种少子寿命检测方法包括：获取体少子寿命数值；获取体分布特征参数；根据所述体少子寿命数值和所述体分布特征参数得到少子寿命密度和有效少子寿命。本申请在获取体少子寿命数值的同时，又获取了半导体层体分布特征参数，将体少子寿命数值和体分布特征参数结合得出少子寿命密度和有效少子寿命，该检测方法准确度高，有利于真实反映少子寿命以及对半导体层材料的性能。

【技术实现步骤摘要】
少子寿命检测装置及检测方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种少子寿命检测装置及检测方法。
技术介绍
随着以微电子工业为代表的高科技产业的蓬勃发展，半导体材料的研究、开发和应用成为工业领域优先发展的重要方向。在半导体材料的研究工作中，少子(少数载流子)寿命的大小直接与半导体器件的性能有关，是半导体材料的重要参数之一。现有测量少子寿命的方法大多是基于光电导衰减原理，包括光注入产生电子-空穴和微波探测信号的变化两个过程。具体测量原理为：激光注入半导体材料产生电子-空穴对，测试样品电导率增加；当撤去外界光注入时，电导率随时间指数衰减，这种衰减趋势反映了少子的衰减趋势，通过观测电导率随时间变化的趋势可以测得少子的寿命。然而，很多外界因素也会影响到少子的寿命，例如，被外界光照射的半导体层的体分布特征参数等。因此，根据电导率随时间的变化趋势测得的少子寿命的传统测试方法准确性较低，无法真实反应半导体材料的性能。
技术实现思路
为此，本专利技术所要解决的技术问题是提高少子寿命测量的准确性。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案如下：本专利技术提供了一种少子寿命的检测方法，包括：获取体少子寿命数值；获取体分布特征参数；根据所述体少子寿命数值和所述体分布特征参数计算得出少子寿命密度和有效少子寿命。可选地，所述获取体少子寿命数值的步骤，具体包括以下步骤：采用外界光源照射待测体表面；通过观测待测体电导率随时间变化的趋势计算得出体少子寿命数值。可选地，所述获取体分布特征参数的步骤，具体包括以下步骤：采用偏振光源照射待测体表面；测量得到反射光偏振态，计算得到待测体的体分布特征参数。可选地，所述体分布特征参数包括待测体的厚度和待测区域的折射率。可选地，还包括以下步骤：根据所述待测体的厚度和待测区域的折射率通过公式(1)计算得出有效厚度：h有效＝(n1/n0)*h公式(1)；其中，h有效为有效厚度，n1为测得的待测区域的折射率，n0为待测区域的理论折射率，h为待测体的厚度。可选地，还包括以下步骤：获取待测体的待测区域面积。可选地，所述根据所述体少子寿命数值和所述体分布特征参数计算得出少子寿命密度和有效少子寿命的步骤，具体包括以下步骤：通过公式(2)计算得出少子寿命密度：少子寿命密度＝Peak/(A*h)公式(2)；通过公式(3)计算得出有效少子寿命：有效少子寿命＝少子寿命密度*(h有效*A)公式(3)；其中，Peak为体少子寿命数值，A为待测区域面积。可选地，所述体分布特征参数还包括待测体目标区域的折射率；还包括以下步骤：根据所述待测体的厚度和待测体目标区域的折射率通过公式(4)计算得出有效厚度：h有效’＝(n2/n0)*h公式(4)；其中，h有效’为有效厚度，n2为目标区域的折射率，n0为目标区域的理论折射率，h为待测体的厚度。可选地，所述根据所述体少子寿命数值和所述体分布特征参数计算得出少子寿命密度和有效少子寿命的步骤，具体包括以下步骤：获取待测体的目标区域面积；通过所述公式(2)计算得出少子寿命密度；通过公式(5)计算得出有效少子寿命:有效少子寿命＝少子寿命密度*(h有效’*B)公式(5)；其中，B为目标区域面积。本专利技术还提供了一种少子寿命检测装置，包括：第一获取单元，用于获取体少子寿命数值；第二获取单元，用于获取体分布特征参数；计算单元，用于根据所述体少子寿命数值和所述体分布特征参数计算得出少子寿命密度和有效少子寿命。本专利技术的技术方案相对于现有技术具有如下优点：本专利技术提供的少子寿命检测方法，首先获取体少子寿命数值，并同时获取体分布特征参数，然后根据获取的体少子寿命数值和体分布特征参数得到少子寿命密度和有效少子寿命。传统的少子寿命检测方法一般都是通过观测半导体层电导率随时间变化的趋势来获得少子寿命，并未将影响到半导体层少子寿命的其他因素考虑在内，因此无法真实准确检测出半导体材料的性能。本申请在获取体少子寿命数值的同时，又获取了半导体层体分布特征参数，将体少子寿命数值和体分布特征参数结合在一起得到少子寿命密度和有效少子寿命，该检测方法准确度高，有利于真实反映少子寿命以及对半导体层材料的性能。本专利技术提供的少子寿命检测方法，获取体少子寿命数值的步骤，具体包括采用外界光源照射待测体表面，再通过观测待测体电导率随时间变化的趋势得到体少子寿命数值。该获取体少子寿命数值的方法，原理较为简单，操作方便，并且准确性高。本专利技术提供的少子寿命检测方法，获取体分布特征参数的步骤具体包括采用偏振光源照射待测体表面；测量得到反射光偏振态，计算得到待测体的体分布特征参数。该测量方法属于无损测量，无需直接对待测物进行接触，不会对待测物造成损伤，并且测量方法较为简便，易于操作。本专利技术提供的少子寿命检测方法，体分布特征参数包括待测体的厚度和待测区域的折射率。由此，在进行少子寿命密度和有效少子寿命的计算过程中，将待测体的厚度以及待测区域的折射率也考虑在内，使得测量结果更真实准确。本专利技术提供的少子寿命检测方法，体分布特征参数还包括待测体目标区域的折射率以及待测体目标区域的面积，由此，可以针对性地得到目标区域的有效少子寿命，该检测方法更具实际意义。本专利技术提供的少子寿命检测装置，包括：第一获取单元，用于获取体少子寿命数值；第二获取单元，用于获取体分布特征参数；计算单元，用于根据所述体少子寿命数值和所述体分布特征参数计算得出少子寿命密度和有效少子寿命。通过第一获取单元获取体少子寿命数值的同时，又通过第二获取单元获取了半导体层体分布特征参数，然后通过计算单元将体少子寿命数值和体分布特征参数结合在一起得到少子寿命密度和有效少子寿命，通过该检测装置得出的检测结果准确度高，有利于真实反映少子寿命以及对半导体层材料的性能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术提供的少子寿命检测方法的流程图；图2-5为本专利技术提供的少子寿命检测装置的结构示意图；附图标记：1-第一获取单元；11-照射单元；12-第一测量单元；2-第二获取单元；21-第二照射单元；22-第二测量单元；3-计算单元；31-第一计算单元；32-第二计算单元；33-第三计算单元；4-第三获取单元。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种少子寿命的检测方法，其特征在于，包括：获取体少子寿命数值；获取体分布特征参数；根据所述体少子寿命数值和所述体分布特征参数计算得出少子寿命密度和有效少子寿命。

【技术特征摘要】
1.一种少子寿命的检测方法，其特征在于，包括：获取体少子寿命数值；获取体分布特征参数；根据所述体少子寿命数值和所述体分布特征参数计算得出少子寿命密度和有效少子寿命。2.根据权利要求1所述的少子寿命的检测方法，其特征在于，所述获取体少子寿命数值的步骤，具体包括以下步骤：采用外界光源照射待测体表面；通过观测待测体电导率随时间变化的趋势计算得出体少子寿命数值。3.根据权利要求1或2所述的少子寿命的检测方法，其特征在于，所述获取体分布特征参数的步骤，具体包括以下步骤：采用偏振光源照射待测体表面；测量得到反射光偏振态，计算得到待测体的体分布特征参数。4.根据权利要求1-3任一项所述的少子寿命的检测方法，其特征在于，所述体分布特征参数包括待测体的厚度和待测区域的折射率。5.根据权利要求1-4任一项所述的少子寿命的检测方法，其特征在于，还包括以下步骤：根据所述待测体的厚度和待测区域的折射率通过公式(1)计算得出有效厚度：h有效＝(n1/n0)*h公式(1)；其中，h有效为有效厚度，n1为测得的待测区域的折射率，n0为待测区域的理论折射率，h为待测体的厚度。6.根据权利要求1-5任一项所述的少子寿命的检测方法，其特征在于，还包括以下步骤：获取待测体的待测区域面积。7.根据权利要求1-6任一项所述的少子寿命的检测方法，其特征在于，所述根据所述体少子寿命数值和所述体分布特征参数计算得出少子寿命...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾维杰，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北,13