一种基于石墨烯的超宽带微波动态可调吸波结构制造技术

本发明专利技术名为“一种基于石墨烯的超宽带微波动态可调吸波结构”，涉及微波动态可调吸波结构领域，提供一种基于石墨烯的宽带雷达波动态可调吸波结构，动态可调吸波结构由下到上依次由底部金属层、下介质层、结构化方阻层、上介质层以及电控层组成。其中电控层由石墨烯层、浸润离子液的绝缘介质层和高方阻薄膜层构成，可通过外加偏压调节控制其中石墨烯层的方阻，从而实现X、Ku、Ka全波段反射系数动态调控。本发明专利技术优点在于可以通过外加偏压实现X、Ku、Ka全波段反射系数的动态调控，在不改变结构的条件下即可以实现不同反射状态的切换，并且在某一状态下其对应的反射系数在X、Ku、Ka全波段都为‑10dB以下。

An ultra wide band microwave dynamic tunable absorber based on graphene

The invention is called \a graphene-based ultra-wideband microwave dynamic tunable absorbing structure\, which relates to the field of microwave dynamic tunable absorbing structure. A wide-band radar wave dynamic tunable absorbing structure based on graphene is provided. The dynamic tunable absorbing structure is successively from bottom metal layer to bottom dielectric layer and structured square resistance. Layer, upper dielectric layer and electronic control layer. The control layer consists of graphene layer, insulating dielectric layer of soaking ionic liquid and high square resistance film. The square resistance of the graphene layer can be controlled by external bias, so that the X, Ku and Ka band reflectivity can be dynamically controlled. The invention has the advantages that the X-band, Ku-band and Ka-band reflection coefficients can be dynamically adjusted and controlled by applying an external bias voltage, and the switching of different reflection states can be realized without changing the structure, and the corresponding reflection coefficients of the X-band, Ku-band and Ka-band under a certain state are all below 10dB.

【技术实现步骤摘要】
一种基于石墨烯的超宽带微波动态可调吸波结构
本专利技术涉及微波动态可调吸波结构领域，特别涉及一种基于石墨烯的超宽带微波动态可调吸波结构。
技术介绍
随着现代电子对抗的快速发展和反隐身技术的不断提高，对隐身材料以及隐身技术的研究提出了越来越高的要求。针对各种吸波材料以及吸波结构已经进行了深入而广泛的研究。动态可调的吸波结构作为新的研究方向应用而生，其具有更好的环境适应性，更强的隐身特性，极大提高了防护能力。目前，常用的外加条件包括：机械调节、温度控制、光照以及外加偏压等一系列手段控制材料的共振特性从而实现结构吸波特性的动态调控。与其他调控手段相比而言，外加偏压调控不需要引入额外的复杂控制系统是一种简单，有效的动态控制方式。石墨烯作为单原子层二维材料可以通过外加偏压控制其载流子浓度从而控制其电导率，已广泛应用在动态可调的开关、调制器以及隐身等结构的设计当中。目前所提出的动态可调吸波器件具有极化相关，吸收带宽窄，动态可调范围小等一系列缺点。
技术实现思路
为了解决以上问题，本专利技术提出了一种基于石墨烯的超宽带微波动态可调吸波结构，通过引入由石墨烯层，浸润离子液的绝缘介质层，以及高方阻薄膜层构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于石墨烯的超宽带微波动态可调吸波结构，其特征在于：由下到上依次包括底部金属层、下介质层、结构化方阻层、上介质层和电控层；其中，电控层是由石墨烯层、浸润离子液的绝缘介质层、以及高方阻薄膜层组成。

【技术特征摘要】
1.一种基于石墨烯的超宽带微波动态可调吸波结构，其特征在于：由下到上依次包括底部金属层、下介质层、结构化方阻层、上介质层和电控层；其中，电控层是由石墨烯层、浸润离子液的绝缘介质层、以及高方阻薄膜层组成。2.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的超宽带微波动态可调吸波结构，其特征在于：所述的底部金属层的厚度为h，其取值范围为h＞10δ0，δ0为金属的趋肤深度。3.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的超宽带微波动态可调吸波结构，其特征在于：所述上介质层和下介质层的总厚度为d，其取值范围为λ0/10＜d＜λ0/3，λ0为中心波长。4.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的超宽带微波动态可调吸波结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈同圣，郭少军，刘峰，
申请(专利权)人：中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院，
类型：发明
国别省市：北京,11