The invention relates to a lithium niobate electro-optic modulator chip, in particular to a low DC drift lithium niobate electro-optic modulator chip, belonging to the technical field of lithium niobate electro-optic modulator. The invention removes the silica layer in the area of the DC bias electrode and directly prepares the DC bias electrode on the surface of the lithium niobate crystal. At the same time, the silicon dioxide layer under the traveling wave electrode is retained, which does not affect the speed matching between the light wave and the microwave. That is, the high frequency performance of the modulator is guaranteed, and the DC drift of the modulator is reduced.
【技术实现步骤摘要】
一种铌酸锂电光调制器芯片
本专利技术涉及一种铌酸锂电光调制器芯片，特别涉及一种低直流漂移铌酸锂电光调制器芯片，属于铌酸锂电光调制器
，所述的低直流漂移是指本专利技术中所涉及的铌酸锂电光调制器中的直流漂移较现有技术中的铌酸锂电光调制器中的直流漂移有所降低。
技术介绍
以铌酸锂材料为基础的集成光学器件，例如集成光学电光调制器、光开关、电场传感器以及磁场传感器等器件的研究引起了许多研究者的关注。高速铌酸锂电光调制器具有光谱工作范围宽、驱动电压低、插入损耗小、消光比高、啁啾可以为零或可调、可靠性高和易于大规模生产等优点,成为目前应用于微波光子学、高速长距离光通信等领域的主流调制器。铌酸锂电光调制器中，主要有两处电极，行波电极和直流偏置电极。其中调制器行波电极采用共面波导(CPW)传输线结构，中间为信号电极，两边为地电极。微波传输方向与光波传输方向相同，在光电互作用区域的两个波导分支上产生大小相等，方向相反的电场，从而对两路光波产生调制作用。由于铌酸锂晶体的电光效应，两路光波会产生大小相等，符号相反的相位差。当两路光波发生干涉时，微波信号就可以加载到光波上。直流偏置电...
【技术保护点】
1.一种铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于：该芯片包括铌酸锂衬底(1)、波导(2)、行波电极(3)、直流偏置电极(4)和二氧化硅缓冲层(5)；所述的铌酸锂衬底(1)的上表面生长有一层二氧化硅缓冲层(5)；所述的波导(2)位于铌酸锂衬底(1)上表面的内部；所述的行波电极(3)位于二氧化硅缓冲层(5)的上表面；所述的波导(2)位于行波电极(3)之间；所述的行波电极(3)右侧的二氧化硅缓冲层(5)上开有窗口(6)，在窗口(6)的位置处、铌酸锂衬底(1)的上表面加工直流偏置电极(4)。
【技术特征摘要】
1.一种铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于：该芯片包括铌酸锂衬底(1)、波导(2)、行波电极(3)、直流偏置电极(4)和二氧化硅缓冲层(5)；所述的铌酸锂衬底(1)的上表面生长有一层二氧化硅缓冲层(5)；所述的波导(2)位于铌酸锂衬底(1)上表面的内部；所述的行波电极(3)位于二氧化硅缓冲层(5)的上表面；所述的波导(2)位于行波电极(3)之间；所述的行波电极(3)右侧的二氧化硅缓冲层(5)上开有窗口(6)，在窗口(6)的位置处、铌酸锂衬底(1)的上表面加工直流偏置电极(4)。2.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：周建伟，夏君磊，郑国康，刘瑞丹，乔建坤，宁智超，徐玉亮，
申请(专利权)人：北京航天时代光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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