一种带有自诊断的MOS驱动的低边驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种带有自诊断的MOS驱动的低边驱动电路，包括控制信号输入端、电阻R1、电阻R2和比较器的4引脚，电阻R2连接有MOS管一，MOS管一分别连接电阻R3的下端和MOS管二的栅极，MOS管二的漏极连接外围设备的一端，所述外围设备的另一端和电阻R3的上端均连接VCC引脚；MOS管二分别连接电阻R4和比较器的1引脚，比较器的2引脚连接电阻R6，电阻R6的左端分别连接电阻R5和VCC1引脚，比较器的5引脚与VCC1引脚连接，电阻R1的下端、MOS管一的源极、电阻R4的下端、电阻R5的下端和比较器的3引脚均接GND引脚。本实用新型专利技术的有益效果：本实用新型专利技术通过比较器将信号反馈给控制输入管脚，进而使MOS管一关闭或者打开，达到保护功率MOS（既MOS管二）的目的。

A low drive circuit with self diagnostic MOS driver

The utility model discloses a low-side drive circuit with a self-diagnostic MOS driver, comprising four pins of a control signal input, a resistor R1, a resistor R2 and a comparator, a resistor R2 connected to a MOS transistor, a MOS transistor connected to the lower end of the resistor R3 and a gate of the MOS transistor 2 respectively, and a drain of the MOS transistor 2 connected to one end of the peripheral equipment. The other end of the peripheral equipment and the upper end of the resistance R3 are connected with VCC pins; MOS transistor 2 is connected with resistance R4 and 1 pin of the comparator respectively; the two pins of the comparator are connected with resistance R6; the left end of resistance R6 is connected with resistance R5 and VCC1 respectively; the five pins of the comparator are connected with VCC1 pins; the lower end of resistance R1, the source of MOS transistor 1, and the resistance The lower end of the R4, the lower end of the resistor R5 and the 3 pin of the comparator are connected to the GND pin. The utility model has the beneficial effect that the signal is fed back to the control input pin by the comparator, and the MOS tube is closed or opened once, thus achieving the purpose of protecting the power MOS (the MOS tube II).

【技术实现步骤摘要】
一种带有自诊断的MOS驱动的低边驱动电路
本技术涉及低边驱动电路
，具体来说，涉及一种带有自诊断的MOS驱动的低边驱动电路。
技术介绍
低边驱动电路，是电路设计中常用的电路，用于给外部提供负载通过低边驱动提供地。现在常见的低边驱动电路是集成芯片式的低边驱动电路，或者小功率MOS（场效应管）驱动一个大功率的NMOS，这样存在的缺点就是整个电路不具有自诊断功能，导致功率MOS易损坏。
技术实现思路
针对相关技术中的上述技术问题，本技术提出一种带有自诊断的MOS驱动的低边驱动电路，能够克服现有技术的上述不足。为实现上述技术目的，本技术的技术方案是这样实现的：一种带有自诊断的MOS驱动的低边驱动电路，包括控制信号输入端，所述控制信号输入端分别连接电阻R1的上端、电阻R2的左端和比较器的4引脚，所述电阻R2的右端连接MOS管一的栅极，所述MOS管一的漏极分别连接电阻R3的下端和MOS管二的栅极，所述MOS管二的漏极连接外围设备的的一端，所述外围设备的的另一端和电阻R3的上端均连接VCC引脚；所述MOS管二的源极分别连接电阻R4的上端和比较器的1引脚，所述比较器的2引脚连接电阻R6的右端，所述电阻R6的左端分别连接电阻R5的上端和VCC1引脚，所述比较器的5引脚与VCC1引脚连接，所述电阻R1的下端、MOS管一的源极、电阻R4的下端、电阻R5的下端和比较器的3引脚均接GND引脚。进一步的，所述MOS管一的型号为BSS123。进一步的，所述MOS管二的型号为SI7846DP。本技术的有益效果：本技术通过比较器将信号反馈给控制输入管脚，进而使MOS管一关闭或者打开，达到保护功率MOS（既MOS管二）的目的，从而保护电路的稳定性，达到节约成本的效果。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是根据本技术实施例所述的一种带有自诊断的MOS驱动的低边驱动电路的电路原理图；图中：1、外围设备；2、比较器。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1所示，根据本技术实施例所述的一种带有自诊断的MOS驱动的低边驱动电路，包括控制信号输入端，所述控制信号输入端分别连接电阻R1的上端、电阻R2的左端和比较器2的4引脚，所述电阻R2的右端连接MOS管一的栅极，所述MOS管一的漏极分别连接电阻R3的下端和MOS管二的栅极，所述MOS管二的漏极连接外围设备的1的一端，所述外围设备的1的另一端和电阻R3的上端均连接VCC引脚；所述MOS管二的源极分别连接电阻R4的上端和比较器2的1引脚，所述比较器2的2引脚连接电阻R6的右端，所述电阻R6的左端分别连接电阻R5的上端和VCC1引脚，所述比较器2的5引脚与VCC1引脚连接，所述电阻R1的下端、MOS管一的源极、电阻R4的下端、电阻R5的下端和比较器2的3引脚均接GND引脚。在一具体实施例中，所述MOS管一的型号为BSS123。在一具体实施例中，所述MOS管二的型号为SI7846DP。为了方便理解本技术的上述技术方案，以下通过具体使用方式上对本技术的上述技术方案进行详细说明。在具体使用时，本技术利用BSS123的低有效状态，SI7846DP门级至高，MOS导通，如果电流过大，比较器会输出反馈给Control置高，BSS123导通，SI7846DP门级至低，MOS截至。具体的，Control为控制信号，当Control为低有效输入时，这时BSS123（既MOS管一）的门级为低，BSS123截至，此时SI7846DP（既MOS管二）门级被拉高，这时SI7846DP导通。如果负载电流过大，比较器会输入反馈给Control置高，此时BSS123导通，SI7846DP的门级被拉低，SI7846DP截至，低边驱动被保护关闭。综上所述，本技术通过比较器将信号反馈给控制输入管脚，进而使MOS管一关闭或者打开，达到保护功率MOS（既MOS管二）的目的，从而保护电路的稳定性，达到节约成本的效果。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带有自诊断的MOS驱动的低边驱动电路，其特征在于，包括控制信号输入端，所述控制信号输入端分别连接电阻R1的上端、电阻R2的左端和比较器（2）的4引脚，所述电阻R2的右端连接MOS管一的栅极，所述MOS管一的漏极分别连接电阻R3的下端和MOS管二的栅极，所述MOS管二的漏极连接外围设备的（1）的一端，所述外围设备的（1）的另一端和电阻R3的上端均连接VCC引脚；所述MOS管二的源极分别连接电阻R4的上端和比较器（2）的1引脚，所述比较器（2）的2引脚连接电阻R6的右端，所述电阻R6的左端分别连接电阻R5的上端和VCC1引脚，所述比较器（2）的5引脚与VCC1引脚连接，所述电阻R1的下端、MOS管一的源极、电阻R4的下端、电阻R5的下端和比较器（2）的3引脚均接GND引脚。

【技术特征摘要】
1.一种带有自诊断的MOS驱动的低边驱动电路，其特征在于，包括控制信号输入端，所述控制信号输入端分别连接电阻R1的上端、电阻R2的左端和比较器（2）的4引脚，所述电阻R2的右端连接MOS管一的栅极，所述MOS管一的漏极分别连接电阻R3的下端和MOS管二的栅极，所述MOS管二的漏极连接外围设备的（1）的一端，所述外围设备的（1）的另一端和电阻R3的上端均连接VCC引脚；所述MOS管二的源极分别连接电阻R4的上端和比较器（2）的1引脚，所述比较器（2）的2引...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘长明，张君鸿，陶晓冰，李永亮，刘喜会，赵常印，王帅宇，
申请(专利权)人：北京智行鸿远汽车有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11