引线结构、驱动芯片及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种引线结构、驱动芯片及显示装置。该引线结构包括：间隔排布且相互绝缘的多个导电单元，多个导电单元中的每个导电单元包括：第一导电层；绝缘层，位于第一导电层上；第二导电层，直接接触形成在绝缘层的上表面；以及第三导电层，覆盖于绝缘层的至少两个侧面，以使第二导电层与第一导电层电性连接，其中，多个导电单元中沿第一方向排列的相邻导电单元的相邻侧面中的至少一个侧面覆盖有第三导电层，多个导电单元中沿第二方向排列的相邻导电单元的相邻侧面中的至少一个侧面未覆盖第三导电层。本实用新型专利技术通过将第二导电层覆盖在绝缘层的上表面，并将第三导电层覆盖在绝缘层的至少两个侧面，避免了相邻导电单元之间产生的短路现象。

Lead structure, drive chip and display device

The utility model provides a lead structure, a driving chip and a display device. The lead structure comprises a plurality of conductive units spaced and insulated from each other, each of which comprises: a first conductive layer; an insulating layer located on the first conductive layer; a second conducting layer formed in direct contact with the upper surface of the insulating layer; and a third conducting layer covering at least the insulating layer. Two sides so that the second conductive layer is electrically connected with the first conductive layer, wherein at least one side of the adjacent conductive unit arranged in the first direction in a plurality of conductive units is covered with a third conductive layer, and at least one side of the adjacent conductive unit arranged in the second direction in the plurality of conductive units is covered with a third conductive layer. One side does not cover the third conductive layer. The utility model avoids short circuit between adjacent conductive units by covering the second conductive layer on the upper surface of the insulating layer and the third conductive layer on at least two sides of the insulating layer.

【技术实现步骤摘要】
引线结构、驱动芯片及显示装置
本技术涉及显示
，具体涉及一种驱动引线结构、驱动芯片及显示装置。
技术介绍
显示驱动集成电路(IntegratedCircuit，IC)是显示屏成像系统的主要部分，由于其能够驱动各种性能的单、双和全彩的显示屏，因此，被广泛地用于电信、邮政、金融、交通、体育场馆等各个领域。传统的显示驱动IC采用金凸块(AuBump)作为主要材料，然而，随着需求量的不断增加，成本问题成了关键。现有技术中，通常采用表面涂覆有金的弹性凸块来替代金凸块，以解决成本问题。然而，由于弹性凸块的各个表面均涂覆有金且弹性凸块的排布相对紧密，因此，在邦定过程中，相邻的弹性凸块之间的细间距可能产生短路现象。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供了一种引线结构、驱动芯片及显示装置，解决了邦定过程中相邻导电单元之间的细间距产生的短路问题。本技术的提供一种驱动引线结构，包括：间隔排布且相互绝缘的多个导电单元，多个导电单元中的每个导电单元包括：第一导电层；绝缘层，位于第一导电层上；第二导电层，覆盖于绝缘层的上表面；以及第三导电层，覆盖于绝缘层的至少两个侧面，以使第二导电层与第一导电层电性连接，其中，多个导电单元中沿第一方向排列的相邻导电单元的相邻侧面中的至少一个侧面覆盖有第三导电层，多个导电单元中沿第二方向排列的相邻导电单元的相邻侧面中的至少一个侧面未覆盖第三导电层。在本技术实施例中，第二导电层和绝缘层在第一导电层上的投影面积至少部分重叠。在本技术实施例中，第二导电层和绝缘层在第一导电层上的投影面积完全重叠。在本技术实施例中，沿第二方向排列的相邻导电单元的相邻侧面之间的距离为8μm至15μm。在本技术实施例中，第二导电层在第二方向上的厚度为1nm至1μm。在本技术实施例中，第三导电层呈条状间隔排布。在本技术实施例中，所述第一导电层的在第一方向上的投影面积大于或等于所述绝缘层在第一方向上的投影面积。在本技术实施例中，第三导电层的材料与第二导电层的材料相同或不同。本技术的另一个实施例提供一种驱动芯片，包括如上所述的引线结构。本技术的再一个实施例提供一种显示装置，包括如上所述的驱动芯片。本技术实施例提供的引线结构，通过将第二导电层覆盖于绝缘层的上表面，以及将第三导电层覆盖于绝缘层的至少两个侧面，并使多个导电单元中沿第一方向排列的相邻导电单元的相邻侧面中的至少一个侧面覆盖有第三导电层，多个导电单元中沿第二方向排列的相邻导电单元的相邻侧面中的至少一个侧面未覆盖第三导电层，避免了多个导电单元中相邻导电单元之间的细间距产生的短路现象。附图说明图1为本技术的引线结构的结构示意图。图2为本技术的引线结构的实施例一的主视剖视图。图3为本技术的引线结构的实施例二的主视剖视图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。图1为本技术的引线结构的结构示意图。如图1所示，该引线结构包括：间隔排布且相互绝缘的多个导电单元11，多个导电单元11中的每个导电单元11包括：第一导电层110；绝缘层120，位于第一导电层110上；第二导电层130，覆盖于绝缘层120的上表面；以及第三导电层(未示出)，覆盖于绝缘层120的至少两个侧面，以使第二导电层130与第一导电层110电性连接，其中，多个导电单元11中沿第一方向排列的相邻导电单元11的相邻侧面中的至少一个侧面覆盖有第三导电层，多个导电单元11中沿第二方向排列的相邻导电单元11的相邻侧面中的至少一个侧面未覆盖第三导电层。具体地，多个导电单元11可以位于衬底10上。衬底10通常为硅(Si)衬底，也可以是其他衬底，例如玻璃衬底、陶瓷衬底、有机衬底、砷化镓衬底、表面有氧化层的金属衬底等，本技术对此不作限制。多个导电单元11为间隔排且相互绝缘的。需要说明的是，多个导电单元11不限于如上所述的间隔排布，而是还可以以矩阵或阵列的形式排布，本技术对此不作限制。第一导电层110可以是凸块下金属(UnderBumpMetallurgy，UBM)层，该UBM层可以为一层，也可以为两层或多层，本技术对此不作限制。在本实施例中，UBM层优选为两层，即第一UBM层和第二UBM层。第一UBM层的材料可以为钛化钨(TiW)、铬(Cr)、钛(Ti)等中的一种，优选为钛化钨；进一步地，第一UBM层的厚度通常在250nm至350nm范围内，优选为300nm。第二UBM层的材料可以为铜(Cu)、镍(Ni)等中的一种，优选为铜；进一步地，第二UBM层的厚度通常在100nm至300nm范围内，优选为250nm。绝缘层120的材料可以是具有高电阻率、高强度、高韧性、高绝缘性、耐磨耗、耐高温、防腐蚀的聚酰亚胺(Polyimide，PI)或有机胶。绝缘层120的形状可以是正六面体、平行六面体、正棱台、不规则六面体等中的一种，优选为正六面体。绝缘层120的厚度通常在10μm至20μm范围内，优选为15μm；绝缘层120的长度通常在8μm至30μm范围内。可选地，第一导电层的在第一方向上的投影面积大于或等于绝缘层在第一方向上的投影面积。可选地，第一导电层110的宽度大于或等于绝缘层120的宽度，优选为大于绝缘层120的宽度。由于第一导电层110相较于绝缘层120更宽，因此，可以更好地使覆盖于绝缘层的至少两个侧面的第三导电层与第一导电层110电性连接。第二导电层130覆盖于绝缘层120的上表面。第二导电层130的材料可以是金(Au)，厚度通常在1nm至1μm范围内。需要说明的是，第二导电层130的材料不限于如上所述的金，而是可以为其他导电性能良好的金属。第三导电层覆盖于绝缘层120的至少两个侧面(例如，前表面和后表面)，以使第二导电层130通过第三导电层与第一导电层110电性连接。第三导电层的材料可以与第二导电层130的材料相同，也可以与第二导电层130的材料不同，本技术对此不作限制。在本实施例中，第三导电层的材料优选为金。第三导电层的厚度通常在1nm至1μm范围内。进一步地，多个导电单元11中沿第一方向排列的相邻导电单元的相邻侧面中的至少一个侧面覆盖有第三导电层，多个导电单元11中沿第二方向排列的相邻导电单元的相邻侧面中的至少一个侧面未覆盖第三导电层；这里，第一方向是指列方向，即纵向或竖直方向；第二方向是指行方向，即横向或水平方向。另外，第三导电层可以呈条状间隔排布，也可以呈曲线状间隔排布，或者还可以呈锯齿状间隔排布等，本技术对此不作限制。需要说明的是，第二导电层130与第一导电层110电性连接的方式可以包括但不限于如上所述的从第二导电层130的上表面经由覆盖于绝缘层的前表面和后表面的第三导电层与第一导电层110电性连接，例如，还可以为从第二导电层130的上表面经由覆盖于绝缘层的前表面和/或后表面及一侧面与第一导电层110电性连接，本技术对此不作限制。此外，还需要说明的是，第二导电层130和第一导电层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种引线结构，其特征在于，包括：间隔排布且相互绝缘的多个导电单元，其中每个导电单元包括：第一导电层；绝缘层，位于所述第一导电层上；第二导电层，直接接触形成在所述绝缘层的上表面；以及第三导电层，覆盖所述绝缘层的至少两个侧面，以使所述第二导电层与所述第一导电层电性连接，其中，所述多个导电单元中沿第一方向排列的相邻导电单元的相邻侧面中的至少一个侧面覆盖有所述第三导电层，沿第二方向排列的相邻导电单元的相邻侧面中的至少一个侧面未覆盖所述第三导电层。

【技术特征摘要】
1.一种引线结构，其特征在于，包括：间隔排布且相互绝缘的多个导电单元，其中每个导电单元包括：第一导电层；绝缘层，位于所述第一导电层上；第二导电层，直接接触形成在所述绝缘层的上表面；以及第三导电层，覆盖所述绝缘层的至少两个侧面，以使所述第二导电层与所述第一导电层电性连接，其中，所述多个导电单元中沿第一方向排列的相邻导电单元的相邻侧面中的至少一个侧面覆盖有所述第三导电层，沿第二方向排列的相邻导电单元的相邻侧面中的至少一个侧面未覆盖所述第三导电层。2.根据权利要求1所述的引线结构，其特征在于，所述第二导电层和所述绝缘层在所述第一导电层上的投影面积至少部分重叠。3.根据权利要求2所述的引线结构，其特征在于，所述第二导电层和所述绝缘层在第一导电层上的投影面积完全重叠。4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：金慧娇，徐吉寅，张秀玉，芦宁，黄华，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：新型
国别省市：河北,13