振荡电路、电路装置、振荡器、电子设备以及移动体制造方法及图纸

本发明专利技术提供振荡电路、电路装置、振荡器、电子设备以及移动体，能够减少振荡用双极晶体管的集电极电压或振荡用N型晶体管的漏极电压的上升。振荡电路使振子振荡，其具有：振荡用的双极晶体管；P型晶体管，其栅极输入双极晶体管的集电极电压，源极与双极晶体管的基极连接；第1电流源，其向双极晶体管提供电流；以及第2电流源，其向P型晶体管提供电流。

【技术实现步骤摘要】
振荡电路、电路装置、振荡器、电子设备以及移动体
本专利技术涉及振荡电路、电路装置、振荡器、电子设备以及移动体等。
技术介绍
作为使石英振子等振子(振荡器)振荡的振荡电路，公知有使用晶体管的反馈型振荡电路。例如，作为反馈型振荡电路，公知有在双极晶体管的集电极-基极间或者基极-发射极间设置反馈路径的皮尔斯型振荡电路。这样的振荡电路例如记载在专利文献1、专利文献2中。【专利文献1】：日本特开2009-124214号公报【专利文献2】：日本特开2012-195646号公报在上述的振荡电路中，当振荡用的双极晶体管的集电极电压上升时，可能对电路工作造成影响。例如，集电极的偏置电压具有在低温下上升的温度特性。因此，向集电极提供偏置电流的晶体管在低温下处于线性工作，因此，可能容易产生由电源电压的变动导致的振荡频率的变动。另外，在使用MOS晶体管作为振荡用晶体管的情况下，同样地，当该晶体管的漏极电压上升时，可能对电路工作造成影响。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述的课题中的至少一部分而完成的，并且能够以如下的形态或方式实现。本专利技术的一个方式涉及一种使振子振荡的振荡电路，其具有：振荡用的双极晶体管；P型晶体管，其栅极输入所述双极晶体管的集电极电压，源极与所述双极晶体管的基极连接；第1电流源，其向所述双极晶体管提供电流；以及第2电流源，其向所述P型晶体管提供电流。根据本专利技术的一个方式，双极晶体管的集电极/基极间是经由P型晶体管的源极和栅极进行反馈的。由此，根据P型晶体管的栅极/源极间电压，双极晶体管的集电极电压下降，因此，能够减少振荡用双极晶体管的集电极电压的上升。另外，在本专利技术的一个方式中，也可以是，在设所述双极晶体管的基极的工作点电压为VB、所述双极晶体管的集电极的工作点电压为VC、所述P型晶体管的栅极/源极间电压为VGS时，VC＝VB-VGS。根据本专利技术的一个方式，双极晶体管的集电极的工作点电压比基极的工作点电压低P型晶体管的栅极/源极间电压。因此，与以往的振荡电路相比，能够增大集电极电压的最大值(正弦波的峰值)与电源电压之差。由此，能够保证向双极晶体管提供偏置电流的电流源的晶体管的源极/漏极间电压，因此，能够降低电流源的晶体管处于线性工作的可能性。另外，在本专利技术的一个方式中，也可以是，所述双极晶体管的基极的工作点电压具有负的温度特性，所述P型晶体管的栅极/源极间电压具有负的温度特性。如上所述，双极晶体管的集电极的工作点电压比基极的工作点电压低P型晶体管的栅极/源极间电压。因此，利用P型晶体管的栅极/源极间电压的负的温度特性，能够减少双极晶体管的基极的工作点电压的负的温度特性。由此，在使用振荡电路的温度范围的低温侧，能够降低电流源的晶体管处于线性工作的可能性。另外，在本专利技术的一个方式中，也可以是，所述振荡电路包括电阻元件，该电阻元件设置在所述双极晶体管的集电极和所述P型晶体管的栅极之间。双极晶体管的集电极/基极间的阻抗与振荡电路的振荡特性(例如负性电阻或振荡环的稳定性等)有关。因此，通过在双极晶体管的集电极与P型晶体管的栅极之间设置电阻元件，有时能够提高振荡特性(的一部分)。例如，能够使负性电阻增加。另外，在本专利技术的一个方式中，也可以是，所述P型晶体管的源极电流以可变的方式进行调整。这样，通过对P型晶体管的源极电流进行调整，能够对双极晶体管的基极电压(P型晶体管的源极电压)的工作点进行调整。由此，能够根据电流源的晶体管能够维持饱和区域内的工作的界限，适当地设定双极晶体管的基极的工作点电压。另外，在本专利技术的一个方式中，也可以是，所述源极电流根据电源电压而以可变的方式进行调整。这样，能够将P型晶体管的源极电流电源调整成，电压越低，则双极晶体管的基极(P型晶体管的源极)的工作点电压越低。由此，在进行了低电源电压化的情况下，能够减小电流源的晶体管处于线性工作的可能性。另外，本专利技术的另一个方式涉及一种使振子振荡的振荡电路，其具有：振荡用的N型晶体管；P型晶体管，其栅极输入所述N型晶体管的漏极电压，漏极与所述N型晶体管的栅极连接；第1电流源，其向所述N型晶体管提供电流；以及第2电流源，其向所述P型晶体管提供电流。根据本专利技术的另一个方式，N型晶体管的漏极/栅极间是经由P型晶体管的源极和栅极进行反馈的。由此，根据P型晶体管的栅极/源极间电压，N型晶体管的漏极电压下降，因此能够减少振荡用的N型晶体管的漏极电压的上升。另外，本专利技术的又一方式涉及一种使振子振荡的振荡电路，其具有：振荡用的双极晶体管；以及电路元件，其设置在所述双极晶体管的集电极/基极之间，所述双极晶体管的基极/发射极间电压是正的温度特性和负的温度特性中的一个温度特性的电压，所述电路元件在所述集电极/基极之间产生另一个温度特性的电压。根据本专利技术的又一方式，利用电路元件在双极晶体管的集电极/基极间产生的电压的温度特性，能够减小双极晶体管的基极的工作点电压的温度特性(双极晶体管的基极/发射极间电压的温度特性)。由此，在使用振荡电路的温度范围内，能够降低电流源的晶体管处于线性工作的可能性。另外，本专利技术的又一方式涉及具有上述任意一项所述的振荡电路的电路装置。另外，在本专利技术的又一方式中，也可以是，具有处理电路，该处理电路对所述振荡电路进行控制。另外，本专利技术的又一方式涉及振荡器，其具有：上述任意一项所述的振荡电路；以及所述振子。另外，本专利技术的又一方式涉及具有上述任意一项所述的振荡电路的电子设备。另外，本专利技术的又一方式涉及具有上述任意一项所述的振荡电路的移动体。附图说明图1是振荡电路的比较例。图2是比较例中的双极晶体管的集电极电压和基极电压的波形例。图3是比较例中的双极晶体管的集电极和基极的工作点电压的温度特性例。图4是本实施方式的振荡电路的结构例。图5是本实施方式的双极晶体管的集电极电压和基极电压的波形例。图6是本实施方式的双极晶体管的集电极和基极的工作点电压的温度特性例。图7是振荡部的第1变形例。图8是电流源电路的变形例。图9是振荡部的第2变形例。图10是电路装置的结构例。图11是振荡器的结构例。图12是电子设备的结构例。图13是移动体的结构例。标号说明100：振荡电路；110：振荡部；120：电流源电路；150：振荡电路；206：汽车(移动体)；207：车身；208：控制装置；209：车轮；300：电子设备；400：振荡器；410：封装；412：底座部；414：盖部；500：电路装置；501：温度传感器；502：处理电路；503：非易失性存储器；510：通信部；520：处理部；530：操作部；540：显示部；550：存储部；RA：电阻；TB1～TB4：P型晶体管(电流源的晶体管)；TRA：双极晶体管；TRPA：P型晶体管；VB：基极的工作点电压；VBA：基极电压；VC：集电极的工作点电压；VCA：集电极电压；VDA：漏极电压；VDD：电源电压；VGA：栅极电压；VGS：栅极-源极间电压；XTAL：振子。具体实施方式以下，对本专利技术的优选实施方式详细地进行说明。另外，以下说明的本实施方式并不会不恰当地限定权利要求书中记载的本专利技术的内容，在本实施方式中说明的所有的结构并不一定作为本专利技术的必要的解决手段。1.比较例图1是振荡电路的比较例。图1的振荡电路150具有双极晶体管TRX、电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种振荡电路，其使振子振荡，其特征在于，其具有：振荡用的双极晶体管；P型晶体管，其栅极输入所述双极晶体管的集电极电压，源极与所述双极晶体管的基极连接；第1电流源，其向所述双极晶体管提供电流；以及第2电流源，其向所述P型晶体管提供电流。

【技术特征摘要】
2017.03.16 JP 2017-0510531.一种振荡电路，其使振子振荡，其特征在于，其具有：振荡用的双极晶体管；P型晶体管，其栅极输入所述双极晶体管的集电极电压，源极与所述双极晶体管的基极连接；第1电流源，其向所述双极晶体管提供电流；以及第2电流源，其向所述P型晶体管提供电流。2.根据权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，在设所述双极晶体管的基极的工作点电压为VB、所述双极晶体管的集电极的工作点电压为VC、所述P型晶体管的栅极/源极间电压为VGS时，VC＝VB-VGS。3.根据权利要求1或2所述的振荡电路，其特征在于，所述双极晶体管的基极的工作点电压具有负的温度特性，所述P型晶体管的栅极/源极间电压具有负的温度特性。4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的振荡电路，其特征在于，所述振荡电路包括电阻元件，该电阻元件设置在所述双极晶体管的集电极和所述P型晶体管的栅极之间。5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的振荡电路，其特征在于，所述P型晶体管的源极电流以可变的方式进行调整。6.根据权利要求5所述的振荡电路，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本壮洋，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP