【技术实现步骤摘要】
一种超薄抗EMI薄膜及其制备方法
本专利技术涉及一种超薄抗EMI薄膜及其制备方法，属于电子元器件新材料新工艺领域。
技术介绍
电磁干扰（EMI）是一种普遍存在的电磁污染源。电子器件在交流状态下，会向环境辐射电磁波，从而会对周边电子部件或产品造成干扰。随着电子技术快速发展，电子产品的功能越来越强大，要求器件集成度、工作频率越来越高，同时需要将设备小型化，使得EMI的问题愈来愈突出，严重影响到器件的正常工作。迫切需要具有轻、薄、宽频带特性的抗EMI材料。抗EMI包括电磁屏蔽和电磁波吸收两种途径，前者将需要保护的器件隔离起来，电磁波本身还会在空间中多次反射，影响其他未隔离的器件；后者则是将电磁波直接吸收，彻底消除电磁波的干扰。传统的电磁吸波材料为高磁导率铁氧体磁环、平板复合材料、涂层等，这些材料要获得有效的吸波和抗EMI效果，往往需要毫米以上的厚度，无法在平板显示、柔性线路板、便携式穿戴设备等高精尖电子产品中使用。新型的吸波材料采用片状FeSiAl粉末和压延工艺，使得吸波材料的厚度降低到最低50μm，能够在MHz的范围内获得较好的吸波性能，且已经实现了商业化生产，但是近...
【技术保护点】
1.一种超薄抗EMI薄膜，其特征在于：其结构为基材/金属反射层/复合梯度层；所述的基材为PE、PVC、PET、OPP、PP、PA、PC、PU、PPO、PI、PTFE、铜箔、铝箔、锡箔中的一种，或玻璃基板，或电子元器件；所述的金属反射层为Ag、Cu、Al、Au、Ni、石墨中的一种，厚度为0.05~2μm；所述的复合梯度层具有亚层结构，厚度为0.5~10μm，包含多层磁性体和介电体的复合层；所述的复合梯度层，磁性体体积分数由内向外递减；所述的磁性体和介电体的复合层中，磁性体以纳米颗粒的形式弥散在介电体基体中，纳米颗粒尺寸为2~100nm；所述的磁性体为过渡族金属Fe、Co、Ni...
【技术特征摘要】
1.一种超薄抗EMI薄膜，其特征在于：其结构为基材/金属反射层/复合梯度层；所述的基材为PE、PVC、PET、OPP、PP、PA、PC、PU、PPO、PI、PTFE、铜箔、铝箔、锡箔中的一种，或玻璃基板，或电子元器件；所述的金属反射层为Ag、Cu、Al、Au、Ni、石墨中的一种，厚度为0.05~2μm；所述的复合梯度层具有亚层结构，厚度为0.5~10μm，包含多层磁性体和介电体的复合层；所述的复合梯度层，磁性体体积分数由内向外递减；所述的磁性体和介电体的复合层中，磁性体以纳米颗粒的形式弥散在介电体基体中，纳米颗粒尺寸为2~100nm；所述的磁性体为过渡族金属Fe、Co、Ni、Mn及其与其他元素形成的合金，或者稀土软磁合金；所述的介电体为氧化物、氮化物、氟化物、硼化物或者有机大分子高聚物。2.根据权利要求1所述的一种超薄抗EMI薄膜，其特征在于其磁性能为：截止频率fr高于1GHz，磁导率μi高于100，吸收带宽Δf不小于1GHz。3.一种超薄抗EMI薄膜的制备方法，其特征在于采用磁控溅射、脉冲激光...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。