摄像装置和电子设备制造方法及图纸

公开了一种摄像装置和电子设备。该摄像装置，包括：第一电极膜、有机光电转换膜、第二电极膜、以及电连接于第二电极膜的金属配线膜，第一电极膜、有机光电转换膜以及第二电极膜按此顺序全部设置在基板上，并且金属配线膜覆盖有机光电转换膜的整个端部。

【技术实现步骤摘要】
摄像装置和电子设备本申请是申请日为2014年06月24日、申请号为201410286186.1、专利技术名称为“摄像装置和电子设备”的专利申请的分案申请。
本技术涉及摄像装置，以及配备有该摄像装置的电子设备。
技术介绍
目前，摄像装置，诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和电荷耦合装置(CCDs)，被广泛应用于数字照相机、数字摄像机、以及其他类似的设备。此类摄像装置在每个像素中例如包括获取光电转换信号的光电转换膜以及读取光电转换信号并将其输出至外部的信号读取电路。该光电转换膜例如由有机材料构成(例如，参考日本未审查专利申请公开特开2013-55252号)。
技术实现思路
有机材料倾向于容易被水分或气体恶化。因此，如果光电转换膜由有机材料构成，抑制水分和气体进入该光电转换膜是必要的。在一些相关技术中，光电转化膜被一层保护膜覆盖，该保护膜包含的主要成分例如为氮化硅，从而抑制了水分和气体进入光电转换膜。然而，仅仅用保护膜覆盖光电转换膜仍然难于充分地抑制水分和气体的进入。这是因为保护膜上可能产生针孔或其台阶可能会破裂，并且通过这些气孔或裂缝的水分或气体将导致光电转换膜的恶化。此外，光电转换膜在制造过程中遭受到蚀刻损坏，并因此可能恶化。简而言之，光电转换膜倾向于容易被各种事件恶化。因此，有必要抑制光电转换膜的恶化。所希望的是提供能够抑制光电转换膜恶化的摄像装置，以及一种配备有该摄像装置的电子设备。根据本技术的实施例的摄像装置包括：第一电极膜；有机光电转换膜；第二电极膜；以及电连接到第二电极膜的金属配线膜。第一电极膜、有机光电转换膜以及第二电极膜按此顺序全部设置在基板上。金属配线膜覆盖有机光电转换膜的整个端部。根据本技术的实施例的电子设备包括：摄像装置；以及信号处理电路，该信号处理电路对从摄像装置输出的像素信号进行预定的处理，该摄像装置包括第一电极膜、有机光电转换膜以及第二电极膜，第一电极膜、有机光电转换膜以及第二电极膜按此顺序全部设置在基板上。该摄像装置还包括电连接于第二电极膜的金属配线膜，金属配线膜覆盖有机光电转换膜的整个端部。根据本技术的实施例中的摄像装置和电子设备，电连接于第二电极膜的金属配线膜覆盖有机光电转换膜的整个端部。由此，用于驱动摄像装置的金属配线膜抑制了水分和气体通过有机光电转换膜的端部进入有机光电转换膜的内部。因此，根据本技术的实施例，金属配线膜不仅用于第二电极膜施加电压路径，而且用于保护有机光电转换膜。根据本技术的实施例中的摄像装置和电子设备，用于驱动摄像装置的金属配线膜抑制了水分和气体通过有机光电转换膜的端部进入有机光电转换膜的内部。因此可以抑制光电转换膜的恶化。此外，根据本技术的实施例中的摄像装置和电子设备，如果保护膜被设置在有机光电转换膜和金属配线膜之间使得其同时覆盖于有机光电转换膜和第二电极膜上，可以利用该保护膜减轻在摄像装置的制造过程中对有机光电转换膜的蚀刻损坏。因此可以抑制光电转换膜的恶化。根据本技术的另一实施例的摄像装置包括：形成在基板上的多个第一电极膜；连续的有机光电转换膜，构造为将光转换为电荷，其中所述有机光电转换膜与基板基本平行并且形成在多个第一电极膜之上；基本上平行于基板的连续的第二电极膜；布置在基板中的光电二极管；电连接到第二电极膜的金属配线膜；和覆盖有机光电转换膜的端表面和第二电极膜的端表面中的至少一个的膜。多个第一电极膜、有机光电转换膜和第二电极膜按此顺序设置在基板上。所述膜的一部分位于金属配线膜的一部分与有机光电转换膜的一部分之间。根据本技术的另一实施例的电子设备包括摄像装置构造为使得外部光进入摄像装置的透镜。该摄像装置包括：形成在基板上的多个第一电极膜；连续的有机光电转换膜，构造为将光转换为电荷，其中所述有机光电转换膜与基板基本平行并且形成在多个第一电极膜之上；基本上平行于基板的连续的第二电极膜；布置在基板中的光电二极管；电连接到第二电极膜的金属配线膜；和覆盖有机光电转换膜的端表面和第二电极膜的端表面中的至少一个的膜。多个第一电极膜、有机光电转换膜和第二电极膜按此顺序设置在基板上。所述膜的一部分位于金属配线膜的一部分与有机光电转换膜的一部分之间。应理解，前面的总体描述以及后面的详细描述二者都是示范性的，并且旨在对所要求保护的技术提供进一步的说明。附图说明附图包括提供本公开的进一步理解，并且结合在该说明书中且构成其一部分。附图示出了实施例，并且与说明书一起用于说明本技术的原理。图1是示出根据本技术的第一实施例的摄像装置的上表面构造示例的示意图。图2是示出从图1中A-A箭头方向看的截面构造示例的示意图。图3是示出根据第一变型例的摄像装置的上表面构造示例的示意图图4是示出从图3中A-A箭头方向看的截面构造示例的示意图。图5是示出根据第二变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。图6是示出根据第三变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。图7是示出根据第三变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。图8是示出根据第三变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。图9A是示出图6中的摄像装置的制作步骤示例的示意图。图9B是示出接续图9A的制作步骤示例的示意图。图10A是示出接续图9B的制作步骤示例的示意图。图10B是示出接续图10A的制作步骤示例的示意图。图11是示出接续图10A的另一制作步骤示例的示意图。图12是示出根据第三实施例的摄像装置的截面构造示例的示意图。图13是示出根据第四变型例的摄像装置的上表面构造示例的示意图。图14是示出从图13中A-A箭头方向看的截面构造示例的示意图。图15是示出根据第四变型例的摄像装置的上表面构造示例的示意图。图16是示出从图15中A-A箭头方向看的截面构造示例的示意图。图17是示出根据第四变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。图18是示出根据第四变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。图19是示出根据第四变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。图20是示出根据第四变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。图21是示出根据第五变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。图22是示出根据第五变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。图23是示出根据第五变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。图24是示出根据第六变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。图25是示出根据本技术的第二个实施例的摄像模块的示意性构造示例的示意图。图26是示出根据本技术的第三个实施例的电子设备的示意性构造示例的示意图。具体实施方式下面，将参考附图详细描述本公开的某些实施例和修改。应注意，描述将按下面的顺序给出。1.第一实施例(摄像装置)金属配线膜设置有单一开口的示例2.变型例(摄像装置)第一变型例：各个像素中金属配线层设置有开口的示例第二变型例：像素中有机光电转换膜彼此分隔的示例第三实施例：保护膜设置于透明电极上的示例第四变型例：设置了光学黑色区域的示例第五变型例：设置了防闪光膜的示例第六变型例：设置了钝化膜的示例3.第二实施例(摄像模块)4.第三实施例(电子设备)[1.第一实施例](构造)图1示出了根据本技术的第一实施例的摄像装置上表面的构造示例；图2示出了从图1中A-A箭头方向看的截面构造示例。摄像装置1例如包括像素区域11，多个像素12以矩阵方式排列在像素区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种摄像装置，包括：形成在基板上的多个第一电极膜；连续的有机光电转换膜，构造为将光转换为电荷，其中所述有机光电转换膜与基板基本平行并且形成在多个第一电极膜之上；基本上平行于基板的连续的第二电极膜；布置在基板中的光电二极管；电连接到第二电极膜的金属配线膜；和覆盖有机光电转换膜的端表面和第二电极膜的端表面中的至少一个的膜，其中，多个第一电极膜、有机光电转换膜和第二电极膜按此顺序设置在基板上，并且其中，所述膜的一部分位于金属配线膜的一部分与有机光电转换膜的一部分之间。

【技术特征摘要】
2013.07.01 JP 2013-1382621.一种摄像装置，包括：形成在基板上的多个第一电极膜；连续的有机光电转换膜，构造为将光转换为电荷，其中所述有机光电转换膜与基板基本平行并且形成在多个第一电极膜之上；基本上平行于基板的连续的第二电极膜；布置在基板中的光电二极管；电连接到第二电极膜的金属配线膜；和覆盖有机光电转换膜的端表面和第二电极膜的端表面中的至少一个的膜，其中，多个第一电极膜、有机光电转换膜和第二电极膜按此顺序设置在基板上，并且其中，所述膜的一部分位于金属配线膜的一部分与有机光电转换膜的一部分之间。2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述金属配线膜由W、Al、Ti、Mo、Ta或Cu，或者包含其中一种或多种的合金，或者包含其中一种或多种以及Si的材料制成。3.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述膜是氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜或者包含其中两种或更多种的叠层膜。4.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述膜包括第一膜和第二膜，所述第一膜覆盖所述第二电极膜的上表面，并且所述第二膜覆盖所述有机光电转换膜和第一膜。5.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述膜具有与该第二电极膜相对定位的一个或多个开口，并且该金属配线膜通过该一个或多个开口与该第二电极膜接触。6.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，该第一电极膜对应于设置在各个像素中的多个像素电极，并且该金属配线膜覆盖该片...

【专利技术属性】
技术研发人员：广瀬遥平，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP