一种SERS芯片及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种SERS芯片及其制备方法，所述SERS芯片包括表面具有多个凹坑的衬底和设置在所述凹坑内的纳米结构单元，所述纳米结构单元包括设置在所述凹坑内的第一部以及位于所述凹坑外的第二部。本发明专利技术先在衬底的凹坑中生长第一纳米粒子，然后在第一纳米粒子的位置生长第二纳米粒子并使得第二纳米粒子长至凹坑外制得芯片，该芯片的制备工艺简单、效率高、成本低、能大规模地生产高性能SERS芯片，能很好的满足商业化的需求。本发明专利技术制得的SERS芯片，可重复性高，热点均匀，性质稳定，可大面积生长，灵敏度高，可以进行多次循环使用，从而节约用户成本，并可以实现多种低浓度有机物的检测。

SERS chip and preparation method thereof

The invention provides a SERS chip and a preparation method thereof. The SERS chip comprises a substrate having a plurality of pits on the surface and a nanostructure unit disposed in the pit. The nanostructure unit comprises a first part disposed in the pit and a second part disposed outside the pit. The invention firstly grows the first nanoparticle in the pit of the substrate, then grows the second nanoparticle at the position of the first nanoparticle and makes the second nanoparticle grow out of the pit. The chip has the advantages of simple preparation process, high efficiency, low cost and large-scale production of high-performance SERS chip, which can satisfy the manufacturers very well. The demand for industrialization. The SERS chip prepared by the invention has the advantages of high repeatability, uniform hot spot, stable property, large area growth, high sensitivity, and can be recycled for many times, thereby saving user cost, and realizing the detection of various low concentration organic substances.

【技术实现步骤摘要】
一种SERS芯片及其制备方法
本专利技术涉及表面增强拉曼(Surface-EnhancedRamanScattering，SERS)技术，特别是一种SERS芯片及其制备方法。
技术介绍
拉曼光谱是一种散射光谱，拉曼光谱分析法是基于印度科学家C.V.拉曼(Raman)所发现的拉曼散射效应，对与入射光频率不同的散射光谱进行分析以得到分子振动、转动方面信息，并应用于分子结构研究的一种分析方法。该技术因其快速、简单、可重复、无损伤的定性定量分析优势，而被广泛应用于化学、物理学、生物学和医学等各个领域，在纯定性分析、高度定量分析和测定分子结构方面也展现独特优势。SERS增强源包括贵金属溶胶和增强基底。现有的SERS研究中，研究者都集中在制备可控的、可重复的、热点集中的金属纳米结构SERS基底。如专利号：201610658664.6，专利名称为：一种制备有序银纳米球阵列方法的专利技术专利，采用在有序的铝纳米碗OAB阵列模板样品的表面蒸镀一层10nm厚的银膜，之后OAB模板在500℃下真空退火1h，得到有序的银纳米阵列结构，该方法银纳米球高度有序，尺寸分布大小可调，但蒸镀及退火工艺繁琐，成本较高。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SERS芯片，其特征在于：所述SERS芯片包括表面具有多个凹坑的衬底和设置在所述凹坑内的纳米结构单元，所述纳米结构单元包括设置在所述凹坑内的第一部以及位于所述凹坑外的第二部。

【技术特征摘要】
1.一种SERS芯片，其特征在于：所述SERS芯片包括表面具有多个凹坑的衬底和设置在所述凹坑内的纳米结构单元，所述纳米结构单元包括设置在所述凹坑内的第一部以及位于所述凹坑外的第二部。2.根据权利要求1所述的SERS芯片，其特征在于：所述的纳米结构单元通过自组装方法在衬底的凹坑内形成第一导电材料，然后在所述的第一导电材料的表面原位生长第二导电材料制得。3.根据权利要求2所述的SERS芯片，其特征在于：所述的第一导电材料包括一个或多个纳米粒子，纳米粒子的粒径范围为2nm～120nm，优选为2～80nm，更优选为5～30nm。4.根据权利要求3所述的SERS芯片的制备方法，其特征在于：所述第一导电材料的纳米粒子为合金结构或者核壳结构。5.根据权利要求1至3中任一项所述的SERS芯片，其特征在于：所述第一导电材料和所述第二导电材料包括金、银、铜、铂、铝中的一种或多种。6.根据权利要求1至3中任一项所述的SERS芯片，其特征在于：所述的第二部的厚度为2～200nm。7.根据权利要求1至3中任一项所述的SERS芯片，其特征在于：所述凹坑的深度范围为30nm～300nm，优选为40nm～30...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙海龙，郭清华，
申请(专利权)人：苏州天际创新纳米技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32