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本发明提供了一种SERS芯片及其制备方法，所述SERS芯片包括表面具有多个凹坑的衬底和设置在所述凹坑内的纳米结构单元，所述纳米结构单元包括设置在所述凹坑内的第一部以及位于所述凹坑外的第二部。本发明先在衬底的凹坑中生长第一纳米粒子，然后在第一...
该专利属于苏州天际创新纳米技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州天际创新纳米技术有限公司授权不得商用。

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