正丁醇气敏材料及制备方法、正丁醇气敏器件及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种正丁醇气敏材料及其制备方法以及正丁醇气敏器件及其制备方法。正丁醇气敏材料为CoSnO3纳米粉体，其为中空的立方体结构且其粒径为80～150nm。气敏材料制备方法为：将氯化锡水溶液和柠檬酸水溶液混合得到溶液Ⅰ；将氯化钴水溶液与溶液Ⅰ混合，加入NaOH或KOH搅拌再加入NaOH或KOH搅拌得到混合溶液，第一次和第二次加入的NaOH或KOH与氯化锡的摩尔比分别为6～10:1和12～16:1；将混合溶液进行水热反应并将反应产物抽滤、洗涤、干燥，得到前驱体，前驱体升温煅烧得到锡酸钴纳米粉体。本发明专利技术气敏材料对正丁醇的灵敏度高、选择性好，制备的气敏器件具有对正丁醇气体高度敏感的检测功能。

N-butanol gas sensitive material and preparation method, n-butanol gas sensing device and preparation method thereof

The invention relates to a n-butanol gas sensing material and a preparation method thereof, and a n-butanol gas sensing device and a preparation method thereof. The n-butanol gas sensing material is CoSnO_3 nanometer powder with hollow cubic structure and its particle size is 80-150 nm. The preparation method of gas sensitive material is as follows: mixing tin chloride solution with citric acid solution to get solution I; mixing cobalt chloride solution with solution I, adding NaOH or KOH to stir and adding NaOH or KOH to stir to get mixed solution; the molar ratio of NaOH or KOH to tin chloride added for the first time and second time is 6-10:1 and 12-16:1 respectively. The precursor was obtained by hydrothermal reaction of the mixed solution and the reaction product was filtered, washed and dried. The precursor was calcined to obtain cobalt stannate nano-powder. The gas sensing material of the invention has high sensitivity and good selectivity to n-butanol, and the prepared gas sensing device has the detection function of high sensitivity to n-butanol gas.

【技术实现步骤摘要】
正丁醇气敏材料及制备方法、正丁醇气敏器件及制备方法
本专利技术涉及半导体气敏原件
，具体涉及一种正丁醇气敏材料及其制备以及正丁醇气敏器件及其制备方法。
技术介绍
正丁醇主要用于制造邻苯二甲酸、脂肪族二元酸及磷酸的正丁酯类增塑剂，它们广泛用于各种塑料和橡胶制品中，也是有机合成中制丁醛、丁酸、丁胺和乳酸丁酯等的原料。还是油脂、药物(如抗生素、激素和维生素)和香料的萃取剂，醇酸树脂涂料的添加剂等，又可用作有机染料和印刷油墨的溶剂，脱蜡剂。正丁醇易挥发，空气中的正丁醇能对人产生刺激影响身体健康，且在空气中高于一定浓度易与空气形成爆炸混合物，妨碍生产以及公共安全。因此需要检测生产场地空气中正丁醇的含量。半导体气敏器件是一个宽带检测装置，既可以检测ppm级的有毒气体也可以用于检测百分比浓度高的易燃易爆气体。现今正丁醇半导体气敏传感器在国内处于探索研究阶段，安全生产提高了人们对正丁醇等易燃易爆气体的关注，对正丁醇气体的检测和监控在现在生活中变得越来越重要，正丁醇半导体气敏传感器的性能主要取决于气敏材料的性能。目前国内没有成熟的正丁醇气敏材料，因此制备一种响应灵敏度高、工作温度低，超低检测极限本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种正丁醇气敏材料，其特征在于，所述正丁醇气敏材料为CoSnO3纳米粉体，所述CoSnO3纳米粉体为中空的立方体结构且其粒径为80～150nm。

【技术特征摘要】
1.一种正丁醇气敏材料，其特征在于，所述正丁醇气敏材料为CoSnO3纳米粉体，所述CoSnO3纳米粉体为中空的立方体结构且其粒径为80～150nm。2.一种如权利要求1所述的正丁醇气敏材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)称取SnCl4·5H2O配制成氯化锡水溶液，称取柠檬酸配制成柠檬酸水溶液，将两种溶液混合均匀得到溶液Ⅰ；(2)将CoCl2·6H2O溶于水中，得到溶液Ⅱ；(3)在磁力搅拌下将所述溶液Ⅰ和所述溶液Ⅱ混合并搅拌均匀，加入NaOH或KOH，搅拌15-30min，然后第二次加入NaOH或KOH，搅拌15min，得到混合溶液，第一次加入的NaOH或KOH与混合溶液中氯化锡的摩尔比为6～10:1，第二次加入的NaOH或KOH与混合溶液中氯化锡的摩尔比为12～16:1；(4)将所述混合溶液转入反应釜中进行水热反应,反应结束后，将反应产物抽滤、洗涤、干燥，得到前驱体CoSn(OH)6纳米粉体；(5)将所述前驱体CoSn(OH)6纳米粉进行升温煅烧得到所述CoSnO3纳米粉体，即为正丁醇气敏材料。3.根据权利要求2所述的正丁醇气敏材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志东，李婷，陈喆，
申请(专利权)人：武汉工程大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42