一种高纯无氧铟的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高纯无氧铟的制备方法。本发明专利技术所述的高纯无氧铟的制备方法包括以下步骤：(1)将金属铟放入坩埚中，再将装好金属铟的坩埚送入真空炉内，然后对真空炉抽真空；(2)在真空状态下将坩埚中的金属铟加热至500～800℃，再往坩埚液态金属铟内持续通入氢气，并保温4～8小时；(3)停止通入氢气，将真空炉内的氢气抽走并重新抽真空，然后在真空状态下将坩埚中的金属铟加热至1000～1200℃，再保温1～8小时；(4)将坩埚中的金属铟冷却至室温，得到高纯无氧铟。本发明专利技术所述的制备方法能够有效除去金属铟中的氧元素，具有效率高、能耗低、成本低的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种高纯无氧铟的制备方法
本专利技术涉及光电显示材料制备的
，特别是一种高纯无氧铟的制备方法。
技术介绍
三甲基铟是生产半导体发光材料的重要MOCVD原材料之一，生产高纯的三甲基铟必须使用高纯的金属铟作为原料。通常，金属铟中的金属杂质可以通过电解或化学除杂处理除去，但其中的氧元素无法通过电解、化学处理等方式除去，而高纯MOCVD用金属铟原料对其中的氧含量要求非常严格。传统方法采用区域熔炼、单晶拉制等方式来降低非金属、部分金属杂质的含量，然而这些方式存在能耗高、效率低的缺陷。因此，有必要开发新的除去高纯铟中微量氧的技术。
技术实现思路
基于此，本专利技术的目的在于，提供一种高纯无氧铟的制备方法，其能够有效除去金属铟中的氧元素，具有效率高、能耗低、成本低的优点。本专利技术采取的技术方案如下：一种高纯无氧铟的制备方法，包括以下步骤：(1)将金属铟放入坩埚中，再将装好金属铟的坩埚送入真空炉内，然后对真空炉抽真空；(2)在真空状态下将坩埚中的金属铟加热至500～800℃，再往坩埚内持续通入氢气，并保温4～8小时；(3)停止通入氢气，将真空炉内的氢气抽走并重新抽高真空，然后在真空状态下将坩埚中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高纯无氧铟的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)将金属铟放入坩埚中，再将装好金属铟的坩埚送入真空炉内，然后对真空炉抽真空；(2)在真空状态下将坩埚中的金属铟加热至500～800℃，再往坩埚内持续通入氢气，并保温4～8小时；(3)停止通入氢气，将真空炉内的氢气抽走并重新抽真空，然后在真空状态下将坩埚中的金属铟加热至1000～1200℃，再保温1～8小时；(4)将坩埚中的金属铟冷却至室温，得到高纯无氧铟。

【技术特征摘要】
1.一种高纯无氧铟的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)将金属铟放入坩埚中，再将装好金属铟的坩埚送入真空炉内，然后对真空炉抽真空；(2)在真空状态下将坩埚中的金属铟加热至500～800℃，再往坩埚内持续通入氢气，并保温4～8小时；(3)停止通入氢气，将真空炉内的氢气抽走并重新抽真空，然后在真空状态下将坩埚中的金属铟加热至1000～1200℃，再保温1～8小时；(4)将坩埚中的金属铟冷却至室温，得到高纯无氧铟。2.根据权利要求1所述的高纯无氧铟的制备方法，其特征在于：所述坩埚的材料为耐高温高纯陶瓷。3.根据权利要求2所述的高纯无氧铟的制备方法，其特征在于：所述坩埚的材料为氧化铝、氧化锆或氧化硅，其材料的纯度为99.99％或以上。4.根据权利要求1所述的高纯无氧铟的制备方法，其特征在于：所述坩埚的底部开设有通气口；步骤(...

【专利技术属性】
技术研发人员：王泽乾，王东伟，邓向荣，
申请(专利权)人：韶关市锦源实业有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44