【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】热传导构件以及热传导构件的制造方法
本专利技术涉及一种热传导构件以及热传导构件的制造方法。
技术介绍
公知有在硅树脂(siliconeresin)中填充碳化硅作为热传导填料而成的热传导构件(例如专利文献1)。为了促进来自电子零件等发热体的散热,这种热传导构件以与该发热体接触的方式配置来使用。具体而言,以使片状的热传导构件夹在发热体与散热器之间的方式来使用。再者,近年来,使用碳化硅(SiC)等的新一代功率半导体备受瞩目。这种半导体能在目前为止无法实现的高温下(例如200℃以上)使用,另外,据说将来最大发热温度将达到250℃以上。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2004-6981号公报(专利技术要解决的问题)当在如上所述的高温下使用以往的热传导构件时,无法确保热传导构件的绝缘性,这一直成为问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种耐热性和绝缘性优异的热传导构件及其制造方法。技术方案本专利技术人等为了达成所述目的进行了深入研究,其结果是,发现了如下事实,直至完成了本专利技术:一种热传导构件,具有:硅树脂;粒径为30μm~100μm的大粒径热传导填料;粒径为1 ...
【技术保护点】
1.一种热传导构件,具有:硅树脂;粒径为30μm~100μm的大粒径热传导填料;粒径为10μm以下的小粒径热传导填料;以及粒径为10μm以下、且纵横比为50以下的云母,所述云母相对于100质量份所述硅树脂的添加比例为0.9~11质量份。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.05 JP 2016-0208281.一种热传导构件,具有:硅树脂;粒径为30μm~100μm的大粒径热传导填料;粒径为10μm以下的小粒径热传导填料;以及粒径为10μm以下、且纵横比为50以下的云母,所述云母相对于100质量份所述硅树脂的添加比例为0.9~11质量份。2.根据权利要求1所述的热传导构件,其中,所述大粒径热传导填料以及所述小粒径热传导填料相对于总体积的合计填充量为50~60体积%,并且所述大粒径热传导填料与所述小粒径热传导填料的填充比例按体积比为大粒径热传导填料:小粒径热传导填料=2:3~4:1。3.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:铃木智之,近藤康雄,水野峻志,川口康弘,出口智司,
申请(专利权)人:北川工业株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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