一种化合物、一种有机发光显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及有机电致发光材料技术领域，特别是涉及一种化合物、一种有机发光显示装置。所述化合物具有式(I)所示的结构：

【技术实现步骤摘要】
一种化合物、一种有机发光显示装置
本专利技术涉及有机电致发光材料
，特别是涉及一种化合物、一种有机发光显示装置。
技术介绍
根据发光机制，可用于OLED发光层的材料主要有以下四种：荧光材料、磷光材料、三线态-三线态湮灭(TTA)材料和热活化延迟荧光(TADF)材料。其中，荧光材料的理论最大内量子产率不超过25％，TTA材料的理论最大内量子产率不超过62.5％；磷光材料、TADF材料的理论最大内量子产率均可达100％。然而，磷光材料基本为Ir、Pt、Os、Re、Ru等重金属配合物，生产成本较高，不利于大规模生产；且在高电流密度下，磷光材料存在严重的效率滚降现象；此外，磷光器件的稳定性也并不好。TADF材料主要为有机化合物，不需要稀有金属元素，生产成本低，并且可通过多种方法进行化学修饰。
技术实现思路
本专利技术提供了一种化合物、一种有机发光显示装置。根据本专利技术的一方面，提供了一种化合物，具有式(I)所示的结构：其中，D表示电子给体单元，A表示电子受体单元，m和n各自独立地选自1、2或者3，并且m+n≤4。根据本专利技术的一个实施方式，所述化合物中，至少一个D单元和至少一个A单元分别与环上的相邻-CH-相连。根据本专利技术的另一方面，还提供了一种有机发光显示装置，包括有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括：有机功能层，所述有机功能层包括一层或多层有机膜层，且至少一层所述有机膜层为发光层；所述发光层包含发光材料，且所述发光材料包含如上所述化合物中的任意一种或一种以上。根据本专利技术的有机发光显示装置例如可以是手机显示屏、电脑显示屏、液晶电视显示屏等。根据本专利技术的一个实施方式，所述化合物作为所述发光层的主体材料或掺杂体材料，或者所述化合物单独构成所述发光层以制备非掺杂有机发光显示装置。根据本专利技术的一个实施方式，所述发光材料为热活化延迟荧光材料。根据本专利技术的化合物可作为热激活延迟荧光(TADF)材料，S1态与T1态之间的能隙值较小且T1态激子寿命较长时，在一定温度条件下，T1态激子可以逆向系间窜越(RISC)实现T1→S1的过程，再由S1态辐射衰减至基态S0。根据本专利技术的化合物通过引入电子给体单元D和电子受体单元A以及大空间位阻的构建单元降低HOMO和LUMO的交叠程度，由于ΔEst与HOMO和LUMO的交叠程度呈正相关，因此根据本专利技术的化合物S1态与T1态之间的能级差ΔEst较小。当本专利技术的化合物作为有机发光显示装置的发光材料、客体材料或者主体材料时，得益于噻吩基团的引入，使分子中D单元和A单元之间的作用更加强烈，分子扭曲强度增大，形成了较大的二面角，实现了HOMO轨道和LUMO的有效分离，减弱了由π-π堆积(π-πstacking)导致的激子淬灭问题，同时分子维持了一定的分子刚性，能够实现较高的光致发光量子产率PLQY，从而获得了较为满意的器件性能。附图说明图1为化合物P1的HOMO、LUMO能级分布图；其中，图1中的(a)为化合物P1的HOMO能级分布图，图1中的(b)为化合物P1的LUMO能级分布图。图2为根据本专利技术的有机电致发光器件的结构示意图。图3为手机显示屏的示意图。具体实施方式具体实施方式仅为对本专利技术的说明，而不构成对本
技术实现思路
的限制，下面将结合具体的实施方式对本专利技术进行进一步说明和描述。本专利技术提供了一种化合物、一种有机发光显示装置。根据本专利技术的一方面，提供了一种化合物，具有式(I)所示的结构：其中，D表示电子给体单元，A表示电子受体单元，m和n各自独立地选自1、2或者3，并且m+n≤4。本专利技术采用噻吩基团作为桥接部分，具有以下优势：1)基于噻吩单元的化学修饰方法已经非常成熟，能够通过多种方法有效地对噻吩单元的不同位点进行功能化修饰，在很大的范围内调控材料的物理化学性能；2)噻吩类材料具有优异的化学性能和物理性能；3)噻吩类材料具有良好的稳定性，具有独特的电学、光学、氧化还原和自组装性能，使之成为有机电子学材料的重要候选者；4)噻吩环上的硫原子具有良好的可极化性和高的富电子性，使噻吩类有机材料具有良好的电荷传输性能和给电子性能。D-A型分子结构有利于实现HOMO和LUMO的有效分离。根据本专利技术的一个实施方式，所述化合物中，至少一个D单元和至少一个A单元分别与环上的相邻-CH-相连。当至少一个D单元和至少一个A单元分别与环上的相邻-CH-相连时，具有以下优点：首先，D单元和A单元之间通过噻吩环的邻位连接，可以增大D单元和A单元之间的二面角，使D单元和A单元之间具有较大的空间位阻作用，从而获得较小的ΔEst；其次，邻位连接增加了分子内的空间限制作用，可以降低分子的正溶剂化变色效应，同时可以提高分子发光色纯度，实现较低的半峰宽。根据本专利技术的D单元应具有良好的给电子能力、较高的三线态能级、合适的HOMO能级以及良好的空穴传输性能。根据本专利技术的一个实施方式，D单元选自以下结构中的任意一种或一种以上：其中，X、X1和X2各自独立地选自碳原子、氮原子、氧原子、硫原子或硅原子；#表示能够与连接的位置；m和n各自独立地选自0、1、2或3；R1、R2、R3、R4各自独立地选自氢原子、碳原子数为1-20的烷基、碳原子数为1-20的烷氧基、取代或未取代的碳原子数为6-40的芳基、取代或未取代的碳原子数为4-40的杂芳基、取代或未取代的碳原子数为12-40的咔唑基及其衍生物基团、取代或未取代的碳原子数为12-40的二苯胺基及其衍生物基团、取代或未取代的碳原子数为12-40的吖啶基及其衍生物基团、取代或未取代的碳原子数为3-40的吖嗪基及其衍生物基团中的任意一种或一种以上；当X为氧原子或硫原子时，R3不存在；当X1为氧原子或硫原子时，R3不存在；当X2为氧原子或硫原子时，R4不存在。碳原子数为1-20的烷基可以例如选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基或叔丁基等饱和脂肪族烃基中的一种或几种。碳原子数为1-20的烷氧基可以例如选自甲氧基、乙氧基、丙氧基等脂肪族烷氧基中的一种或几种。碳原子数为6-40的芳基可以例如选自苯基、二联苯基、9,9-芴基、苯三联苯基等芳香烃基中的一种或几种。上述碳原子数为6-40的芳基可以具有取代基也可以不具有取代基。碳原子数为4-40的杂芳基可以例如选自呋喃基、吡咯基、吡啶基、噻唑基、吡嗪基、咪唑基、吡唑基、嘧啶基、噻吩基等。上述碳原子数为4-40的杂芳基可以具有取代基也可以不具有取代基。对于本文中其他位置提到的上述术语，也应作与以上相同的理解。本专利技术中，“取代或未取代的碳原子数为12-40的咔唑基及其衍生物基团”是指咔唑基及其衍生物基团可以是取代的或者未取代的，咔唑基及其衍生物基团(如果存在取代基，则包括取代基在内)的总碳原子为12-40。衍生物基团是指咔唑基中的氢原子或原子团被其他原子或原子团取代而衍生的化合物。对于“取代或未取代的碳原子数为12-40的二苯胺基及其衍生物基团”、“取代或未取代的碳原子数为12-40的吖啶基及其衍生物基团”、“取代或未取代的碳原子数为3-40的吖嗪基及其衍生物基团”也应作相同的理解。具体地，D单元选自以下结构中的任意一种或一种以上：其中，#表示与连接的位置，每个结构式中的R各自独立地表示碳原子数1-20的烷基、碳原子数1-20的烷氧基、碳原子数2-20的烯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化合物，其特征在于，具有式(I)所示的结构：

【技术特征摘要】
1.一种化合物，其特征在于，具有式(I)所示的结构：其中，D表示电子给体单元，A表示电子受体单元，m和n各自独立地选自1、2或者3，并且m+n≤4。2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物中，至少一个D单元和至少一个A单元分别与环上的相邻-CH-相连。3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，D单元选自以下结构中的任意一种或一种以上：其中，X、X1和X2各自独立地选自碳原子、氮原子、氧原子、硫原子或硅原子；#表示能够与连接的位置；x和y各自独立地选自0、1、2或3；R1、R2、R3、R4各自独立地选自氢原子、碳原子数为1-20的烷基、碳原子数为1-20的烷氧基、取代或未取代的碳原子数为6-40的芳基、取代或未取代的碳原子数为4-40的杂芳基、取代或未取代的碳原子数为12-40的咔唑基及其衍生物基团、取代或未取代的碳原子数为12-40的二苯胺基及其衍生物基团、取代或未取代的碳原子数为12-40的吖啶基及其衍生物基团、取代或未取代的碳原子数为3-40的吖嗪基及其衍生物基团中的任意一种或一种以上；当X为氧原子或硫原子时，R3不存在；当X1为氧原子或硫原子时，R3不存在；当X2为氧原子或硫原子时，R4不存在。4.根据权利要求3所述的化合物，其特征在于，D单元选自以下结构中的任意一种或一种以上：其中，#表示与连接的位置，每个结构式中的R各自独立地表示碳原子数1-20的烷基、碳原子数1-20的烷氧基、碳原子数2-20的烯基、碳原子数2-20的炔基、碳原子数6-40的芳香基、碳原子数4-40的杂芳香基。5.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，D单元选自以下结构中的任意一种或一种以上：其中，X选自碳原子、氮原子、氧原子、硫原子或硅原子；#表示与连接的位置；r、s各自独立地选自0、1、2或3；p、q各自独立地选自0、1或2；R1、R2、R3、R4各自独立地选自氢原子、碳原子数为1-20的烷基、碳原子数为1-20的烷氧基、取代或未取代的碳原子数为6-40的芳基、取代或未取代的碳原子数为4-40的杂芳基、取代或未取代的碳原子数为12-40的咔唑基及其衍生物基团、取代或未取代的碳原子数为12-40的二苯胺基及其衍生物基团、取代或未取代的碳原子数为12-40的吖啶基及其衍生物基团、取代或未取代的碳原子数为3-40的吖嗪基及其衍生物基团中的任意一种或一种以上；当X为氧原子和硫原子时，p＝0、q＝0；当X为氮原子时，p、q各自独立地选自0或1；当X为碳原子或硅原子时，p、q各自独立地选自0、1或2。6.根据权利要求5所述的化合物，其特征在于，D单元选自以下结构中的任意一种或一种以上：其中，#表示与连接的位置。7.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，D单元选自以下结构中的任意一种或一种以上：#表示与连接的位置；u、v各自独立地选自0、1、2或3；R1、R2各自独立地选自氢原子、碳原子数为1-20的烷基、碳原子数为1-20的烷氧基、取代或未取代的碳原子数为6-40的芳基、取代或未取代的碳原子数为4-40的杂芳基、取代或未取代的碳原子数为12-40的咔唑基及其衍生物基团、取代或未取代的碳原子数为12-40的二苯胺基及其衍生物基团、取代或未取代的碳原子数为12-40的吖啶基及其衍生物基团、取代或未取代的碳原子数为3-40的吖嗪基及其衍生物基团中的任意一种或一种以上。8.根据权利要求7所述的化合物，其特征在于，D单元选自以下结构中的任意一种或一种以上：其中，#表示与连接的位置。9.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，D单元选自以下结构中的任意一种或一种以上：其中，#表示能够与连接的位置。10.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，A单元选自含氮杂环类取代基、氰基类取代基、三芳基硼类取代基、苯甲酮类取代基、芳杂环甲酮类取代基和砜类取代基中的任意一种或一种以上。11.根据权利要求10所述的化合物，其特征在于，所述含氮杂环类取代基选自以下结构中的任意一种或一种以上：其中，#表示能够与连接的位置；R选自氢原子、碳原子数为1-20的烷基、碳原子数为1-20的烷氧基、碳原子数为4-8的环烷基、碳原子数为6-40的芳基、碳原子数为4-40的杂芳基。12.根据权利要求10所述的化合物，其特征在于，所述氰基类取代基选自以下结构中的一种或一种以上：其中，#表示能够与连接的位置。13.根据权利要求10所述的化合物，其特征在于，所述芳基硼类取代基选自以下结构中的一种或一种以上：其中，#表示能够与连接的位置。14.根据权利要求10所述的化合物，其特征在于，所述芳基甲酮类取代...

【专利技术属性】
技术研发人员：高威，王湘成，张磊，牛晶华，
申请(专利权)人：上海天马有机发光显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31